Електричні та фотоелектричні властивості гетероз’єднань ZnFe2O4/InSe
| Автори | І.Г. Ткачук1,2, В.І. Іванов1 , І.Г. Орлецький3, В.Б. Боледзюк1 , М.З. Ковалюк1, А.Я. Струк3, Є.Г. Махрова2 |
| Афіліація |
1Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, 58001 Чернівці, Україна 2Буковинський державний медичний університет, 58000 Чернівці, Україна 3Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, 58012 Чернівці, Україна |
| Е-mail | ivan.tkachuk.1993@gmail.com |
| Випуск | Том 17, Рік 2025, Номер 3 |
| Дати | Одержано 02 квітня 2025; у відредагованій формі 15 червня 2025; опубліковано online 27 червня 2025 |
| Цитування | І.Г. Ткачук, В.І. Іванов, І.Г. Орлецький, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 17 № 3, 03001 (2025) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.17(3).03001 |
| PACS Number(s) | 73.40. – c, 78.66. – w |
| Ключові слова | Селенід індію (14) , Гетероструктури (10) , Піроліз розпиленням (3) , Вольт-амперні характеристики (15) , Фоточутливість (9) . |
| Анотація |
Фоточутливі n-ZnFe2O4/p-InSe гетероз’єднання були виготовлені методом низькотемпературного піролізу розпиленням. Для цього водний розчин відповідного складу наносили розпиленням на підігріту підкладку з шаруватого кристалу InSe, в результаті чого на її поверхні формувалася тонка плівка ZnFe2O4. Використання шаруватих напівпровідників як підкладки дозволяє отримувати високоякісні інтерфейси завдяки відсутності порушених зв’язків на їхній поверхні. Було досліджено фотоелектричні та оптичні властивості отриманого гетероз’єднання та побудовано відповідні графічні залежності: 1) вольт-амперні характеристики за різних температур, 2) температурну залежність висоти потенційного бар’єру, 3) спектральну залежність відносної квантової ефективності в діапазоні енергій фотонів 1,2 – 3,1 еВ. На основі аналізу температурних залежностей прямих і зворотних ВАХ були розраховані енергетичні параметри гетероз’єднання. Визначено механізми формування прямих і зворотних струмів через енергетичний бар’єр ZnFe2O4/InSe. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Проектування, виготовлення та вимірювання одношарової мініатюризованої патч-антени X-діапазону з метаповерхнею для місій CubeSat 0.5U та 1U [03002-1-03002-10]2) Мікроструктура та морфологічні властивості гранульованого термоелектричного матеріалу Mg3Sb2 [03003-1-03003-7]
3) Проєктування та покращення характеристик еліптичної патч-антени на 3,5 ГГц для застосувань у 5G Sub-6 ГГц та WiMAX [03005-1-03005-6]
4) Виявлення сигналу в масивних MIMO-системах методом каскадованого OQRD-PMD [03015-1-03015-6]
5) Радіаційно-індуковані процеси у зразках комерційного активованого вугілля під впливом гамма- та бета-радіоактивності [03028-1-03028-8]
6) Теоретичне та експериментальне дослідження імплантату внутрішнього вуха людини з ультразвуковою лінією зв’язку [03030-1-03030-7]
7) Терморезистивні властивості графітових плівок [03031-1-03031-4]
8) Перколяційна поведінка електропровідності нанокомпозитів на основі полімолочної кислоти [03032-1-03032-6]
9) Вплив параметрів імпульсного струму на формування структури аморфних сплавів Co-W та їх термічну стабільність [03034-1-03034-5]
