Al2O3, вирощений методом ALD, як міжфазний шар в сонячних елементах SIS на основі ITO
| Автори | K. Chowdhury1,2, U. Gangopadhyay3, R. Mandal2 |
| Приналежність |
1Department of Renewable Energy, Maulana Abul Kalam Azad University of Technology, West Bengal, India 2School of Energy Studies, Jadavpur University, Kolkata, India 3CARREST, Meghnad Saha Institute of Technology, Kolkata, India
|
| Е-mail | kunal.chowdhury2012@gmail.com |
| Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 3 |
| Дати | Одержано 10 січня 2021; у відредагованій формі 15 червня 2021; опубліковано online 25 червня 2021 |
| Посилання | K. Chowdhury, U. Gangopadhyay, R. Mandal, Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 3, 03004 (2021) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(3).03004 |
| PACS Number(s) | 84.60.Jt |
| Ключові слова | SIS (123) , ITO (13) , Al2O3 (6) , Відбивна здатність (2) , Вироджений напівпровідник, Селективні контакти дірок. |
| Анотація |
Звичайний процес дифузії для формування емітера сонячного елементу c-Si – це складний процес з високими тепловими та матеріальними витратами. Альтернативою для уникнення цього процесу є створення структурованих сонячних елементів MIS/SIS, де для формування емітерної частини сонячного елементу використовується інший процес. У дослідженні розроблено структурований елемент SIS розміром 3 ×3 (ITO-Al2O3-n-Si), де n-Si є вихідним матеріалом, Al2O3 та шар ITO виконують відповідно ролі селективного шару дірок та емітерного шару. Розпилений шар ITO товщиною 150 нм виконує роль виродженого напівпровідника так само як і ARC. Для сонячного елементу, вкритого шаром ITO, середня відбивна здатність зменшується з 13,63 % до 4,54 % порівняно з лише текстурованим елементом. Металізація проводиться за допомогою Ag з обох боків на лицьовій стороні над шаром ITO і постійним контактом на тильній стороні блоком для нанесення вакуумного покриття. Окрім тунелювання дірок, дуже тонкий шар Al2O3 (1,5 нм),вирощенийметодом ALD, виступає в ролі пасиваційного шару і збільшує час життя неосновних носіїв заряду з 9,732 мкс до 17,548 мкс. Досягнуті напруга холостого ходу (Voc) і струм короткого замикання (Isc) становлять відповідно 684 мВ і 35 мА. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Компактна подвійна широкосмугова відкрита кругова несиметрична друкована антена з щілинним завантаженням для додатків X-діапазону [03001-1-03001-4]2) Антибактеріальна та оптична активність нанострижнів Zn2SnO4, синтезованих під дією мікрохвиль [03002-1-03002-4]
3) Підготовка та дослідження наночастинок ZnO, легованих Ni, Ca та Fe [03003-1-03003-5]
4) Аналіз продуктивності системи бездротової передачі електроенергії для офісного зв'язку [03005-1-03005-4]
5) Оптимізація розмірів гібридних енергетичних систем, підключених до мережі: сучасний рівень розвитку та перспективи [03006-1-03006-4]
6) Розробка та впровадження двовісної системи стеження за сонцем у порівнянні із системою нерухомих панелей [03007-1-03007-4]
7) Змішана конвекція всередині порожнини, яка містить нанорідину Cu-H2O, з провідними циліндрами, розміщеними в оптимальному положенні [03008-1-03008-4]
8) Вплив ширини забороненої зони активного шару та освітленості на продуктивність пристрою PSC на основі одиночного галогеніду Cs2TiX6 [03009-1-03009-4]
9) Комплексне аналітичне моделювання газового датчика з гетероструктурою на основі AlGaN/GaN [03010-1-03010-5]
10) Оптимізація, чутливість та енергоменеджмент гібридних систем відновлюваної енергії для кліматичних умов Haldia за допомогою програмного забезпечення HOMER: Тематичне дослідження [03011-1-03011-5]
11) Моделювання шару каталізатора для полімерних електролітичних мембранних паливних елементів: підхід MATLAB [03012-1-03012-5]
12) Дослідження оптико-електричних та теплових характеристик світлодіодів RGB [03013-1-03013-4]
13) Застосування структури зі зворотним подвійним дрейфом для виготовлення GaN IMPATT діода, що працює у терагерцевому діапазоні [03014-1-03014-4]
14) Вплив high-k діелектричних матеріалів на короткоканальні ефекти 14 нм тризатворного транзистора SOI FinFET для зменшеної площі мікросхеми [03015-1-03015-4]
15) Окислювальний синтез активованого вуглецю із низькосортного індійського третинного вугілля та його хімічні характеристики [03016-1-03016-4]
16) Синтез перовскітного каталізатора на основі титано-барієвого оксиду зі змішаними фазами (BaTiO3/Ba2TiO4) для виробництва біопалива [03017-1-03017-4]
17) Дослідження товщини та внутрішньої квантової ефективності подвійного перовскітного матеріалу на основі Cs2AgBiBr6 для фотоелектричних додатків [03018-1-03018-4]
18) Імітаційне дослідження перовскітних сонячних елементів на основі галогеніду свинцю і формамідію (FAPbX3; X = I та Br) з використанням симулятора SCAPS-1D [03019-1-03019-4]
19) Вплив потрійного матеріалу на дослідження продуктивності тунельного польового транзистора з графенових нанострічок PiN FET з подвійним затворомдля додатків низькопотужної логіки [03020-1-03020-4]
20) Розробка та реалізація контролера нечіткої логіки для діабету 1 типу [03021-1-03021-4]
21) Інфляційна космологічна модель Б'янкі типу VI з масивним джерелом струн у загальній теорії відносності [03022-1-03022-5]
22) Інноваційний підхід до управління відновлюваною енергією з використанням методу нечіткої логіки [03023-1-03023-5]
23) Вдосконалений метод нечіткої логіки, заснований на гібридній оптимізації поновлюваних джерел енергії, застосування в реальному часі [03024-1-03024-5]
24) Дослідження ємнісних властивостей хімічно активованого біовугілля з жому цукрової тростини для застосування в суперконденсаторах [03025-1-03025-5]
25) Конструкція компактної гексагональної несиметричної антени UWB діапазону зі щілинним отвором і двосмуговим (3.5/5.5 ГГц) режектором [03026-1-03026-4]
26) Попереднє дослідження електрохімічної поведінки скловуглецевого електрода (GCE), модифікованого Ketjen black, у розчині дофаміну [03027-1-03027-3]
27) Надрукована на 3D принтері кругла плоска антенна решітка 2x2 для додатків бездротового зв'язку [03028-1-03028-4]
28) Компактна кільцева антена для додатків мобільного зв'язку 5G [03029-1-03029-4]
29) Новий блок системи безпеки зі зменшенням відхилення частоти для об'єднаної енергосистеми з урахуванням кібератак [03030-1-03030-4]
30) Конструкція контролера нечіткої логіки для управління напругою, частотою, струмом та потужністю ізольованої мікромережі на основі трифазної розподіленої генерації [03031-1-03031-4]
31) Моделювання та характеристики гібридного антенного з'єднувача (з коефіцієнтом підсилення 3 дБ) для додатків 5G [03032-1-03032-5]
32) Патч-антени з T-подібною схемою, індуктивно зв'язаним контуром та макетами вкладених слотів для пасивних тегів UHF-RFID [03033-1-03033-5]
33) Виробництво фікоціаніну високої чистоти шляхом застосування червоних світлодіодів (LEDs) при зростанні водоростей Spirulina platensis [03034-1-03034-4]
34) Аналіз ефективності передискретизованії OFDM через мережу PLC [03035-1-03035-5]
35) Дослідження моделі еквівалентної схеми для мікросмугової патч-антени 5G [03036-1-03036-4]
36) Конструкція компактної чотиридіапазонної антени з подвійною поляризацією, виготовленої з метаматеріалів [03037-1-03037-4]
37) Оптимальні параметри зносу при терті ковзання для мінімального об'ємного зносу стоматологічних композитів на основі смол, наповнених кремнеземом [03039-1-03039-4]
38) Новий підхід до зеленого синтезу наноалмазів як біосумісних агентів [03040-1-03040-6]
39) Дослідження розрахунку аb-initio електронної структури CdTe з низькою індексною поверхнею [03041-1-03041-5]
40) Структурні і магніторезистивні властивості тришарових плівкових структур Сo(1 – x)Crx/Cu/Co [03042-1-03042-4]
