Дослідження розрахунку аb-initio електронної структури CdTe з низькою індексною поверхнею

Автори O.M. Чернікова1, Я.В. Огородник2, В.В. Прокопів3
Приналежність

1Криворізький національний університет, вул. Віталія Матусевича, 11, 50027 Кривий Ріг, Україна

2Radiation Monitoring Devices, inc. USA

3Прикарпатський національний університет Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, 76018 Івано-Франківськ, Україна

Е-mail
Випуск Том 13, Рік 2021, Номер 3
Дати Одержано 21 березня 2021; у відредагованій формі 15 червня 2021; опубліковано online 25 червня 2021
Посилання O.M. Чернікова, Я.В. Огородник, В.В. Прокопів, Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 3, 03041 (2021)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.13(3).03041
PACS Number(s) 71.15.Mb, 71.20.Be, 68.43.Fg
Ключові слова Ab-initio розрахунки, Каталіз (12) , Поверхня (35) , Енергія (58) , Ширина забороненої зони (18) .
Анотація

В даній роботі досліджено електронні властивості плівок CdTe (100) без домішок та з додаванням молекул кисню O2 на основі розрахунків із перших принципів. Встановлено, що при збільшенні концентрації кисню від 8 % до 14 % молекула О2 легше проходить енергетичний бар’єр, що свідчить про підвищення каталітичної активності плівки CdTe. Так як кисень впливає на каталітичний процес, нами зафіксовано переміщення ширини забороненої зони в залежності від концентрації кисню. Згідно розрахункових результатів щодо дослідження малих двохатомних та трьохатомних кластерів (Te, Cd) нами встановлено, що включення в малі кластери (Te, Cd) атомів кисню або атомів іншого роду впливають на каталітичну активність досліджуваних систем в цілому.

Перелік посилань