Автори | Ritam Dutta1,2, Nitai Paitya2 |
Афіліація |
1Surendra Institute of Engineering & Management, MAKAUT, West Bengal 734009, India 2Sikkim Manipal Institute of Technology, SMU, Sikkim 737136, India |
Е-mail | ritamdutta1986@gmail.com |
Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 3 |
Дати | Одержано 10 січня 2021; у відредагованій формі 10 червня 2021; опубліковано online 25 червня 2021 |
Цитування | Ritam Dutta, Nitai Paitya, Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 3, 03020 (2021) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(3).03020 |
PACS Number(s) | 85.30.De |
Ключові слова | Робота виходу (7) , DG-TM-PiN-TGNFET, Складений матеріал III/V, Поверхневий потенціал, Зворотне тунелювання, TCAD (13) . |
Анотація |
Було розроблено потрійні матеріали з різними роботами виходу та досліджено їх вплив на роботу тунельного польового транзистора з графенових нанострічок PiN FET з подвійним затвором (DG-TM-PiN-TGNFET) для підвищення продуктивності пристрою. Складений матеріал III/V (InAs) був використаний в області витоку цього тунельного польового транзистора з n-канальним гетеропереходом, завдяки чому напружено-деформований стан покращував тунелювання. Графен, який є матеріалом із невеликою шириною забороненої зони, був використаний у формі нанострічки, щоб максимально зменшити ширину забороненої зони. У роботі представлено три різні матеріали для обмеження зворотного тунелювання між стоком та витоком, а також для покращення продуктивності тунельного транзистора з точки зору розподілу поверхневого потенціалу, поперечно-вертикальних змін електричного поля і передавальних характеристик. Ця DG-PiN-TGNFET структура на основі потрійних матеріалів забезпечує кращі підпорогові коливання амплітудою 18,56 мВ/декада при напрузі живлення 0,5 В у порівнянні з TGN-FET структурами з подвійним затвором на основі одинарних та подвійних матеріалів. Повне моделювання було виконано за допомогою програмного забезпечення для розв'язування двовимірних математичних задач TCAD. Більше того, низька порогова напруга сприяє тому, що пропонований пристрій найкраще підходить для додатків низькопотужної логіки. |
Перелік посилань |