Застосування структури зі зворотним подвійним дрейфом для виготовлення GaN IMPATT діода, що працює у терагерцевому діапазоні
| Автори | Sahanowaj Khan1, Rishav Dutta2, Aritra Acharyya3, Arindam Biswas2, Hiroshi Inokawa4, Rudra Sankar Dhar1 |
| Приналежність |
1Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Chaltlang, Aizawl, Mizoram 796012, India 2School of Mines and Metallurgy, Kazi Nazrul University, Asansol, Burdwan, West Bengal 713340, India 3Department of Electronics and Communication Engineering, Cooch Behar Government Engineering College, Cooch Behar, West Bengal 736170, India 4Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu 4328011, Japan |
| Е-mail | khannowda84@gmail.com |
| Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 3 |
| Дати | Одержано 21 березня 2021; у відредагованій формі 16 червня 2021; опубліковано online 25 червня 2021 |
| Посилання | Sahanowaj Khan, Rishav Dutta, Aritra Acharyya, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 3, 03014 (2021) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(3).03014 |
| PACS Number(s) | 42.55.Px, 45.70.Ht |
| Ключові слова | Область подвійного дрейфу (DDR), GaN (34) , IMPATT, Зворотна DDR, Терагерцовий (3) . |
| Анотація |
Корисність структури зі зворотною областю подвійного дрейфу (DDR) була вивчена для виготовлення IMPATT діода з нітриду галію (GaN), що працює на частоті 1,0 ТГц. Для перевірки можливостей структур з традиційною (нормальною) та зворотною DDR у терагерцовому діапазоні проведено моделювання статичних та великих сигналів. Виявлено, що функціонування GaN IMPATT діода можливе тільки у структурі зі зворотною DDR через більш низьке значення послідовного опору в порівнянні зі структурою з нормальною DDR. GaN IMPATT діод з нормальною DDR не може працювати у терагерцовому діапазоні. Однак раніше автори розрахували послідовний опір GaN IMPATT діода з традиційною DDR, призначеного для роботи на частоті 1,0 ТГц. Вони не враховували струм, що протікає, та опір розтіканню на омічних металевих контактах. Саме тому їх результати були помилковими. Отримані ними результати дозволяють зробити висновок, що GaN IMPATT діод з традиційною DDR у терагерцовому діапазоні може створювати достатній ефективний негативний опір, оскільки його послідовний опір залишається в діапазоні 1,5-2,0 Ом. У цій статті автори запропонували IMPATT структуру зі зворотною DDR виключно для матеріалу GaN і терагерцового діапазону частот. Використовуючи цю структуру зі зворотною DDR, p+-GaN ~ Ni/Au може отримати достатню площу контакту, так що опір анодного контакту буде мінімізовано. Розроблена авторами несинусоїдальна модель великого сигналу, що збуджується напругою, була використана для дослідження властивостей статичних (постійних) і великих сигналів структур з традиційною та зворотною DDR на частоті 1,0 ТГц. Це дослідження відкриває новий горизонт для вчених і дослідників у терагерцовому діапазоні. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Компактна подвійна широкосмугова відкрита кругова несиметрична друкована антена з щілинним завантаженням для додатків X-діапазону [03001-1-03001-4]2) Антибактеріальна та оптична активність нанострижнів Zn2SnO4, синтезованих під дією мікрохвиль [03002-1-03002-4]
3) Підготовка та дослідження наночастинок ZnO, легованих Ni, Ca та Fe [03003-1-03003-5]
4) Al2O3, вирощений методом ALD, як міжфазний шар в сонячних елементах SIS на основі ITO [03004-1-03004-4]
5) Аналіз продуктивності системи бездротової передачі електроенергії для офісного зв'язку [03005-1-03005-4]
6) Оптимізація розмірів гібридних енергетичних систем, підключених до мережі: сучасний рівень розвитку та перспективи [03006-1-03006-4]
7) Розробка та впровадження двовісної системи стеження за сонцем у порівнянні із системою нерухомих панелей [03007-1-03007-4]
8) Змішана конвекція всередині порожнини, яка містить нанорідину Cu-H2O, з провідними циліндрами, розміщеними в оптимальному положенні [03008-1-03008-4]
9) Вплив ширини забороненої зони активного шару та освітленості на продуктивність пристрою PSC на основі одиночного галогеніду Cs2TiX6 [03009-1-03009-4]
10) Комплексне аналітичне моделювання газового датчика з гетероструктурою на основі AlGaN/GaN [03010-1-03010-5]
11) Оптимізація, чутливість та енергоменеджмент гібридних систем відновлюваної енергії для кліматичних умов Haldia за допомогою програмного забезпечення HOMER: Тематичне дослідження [03011-1-03011-5]
12) Моделювання шару каталізатора для полімерних електролітичних мембранних паливних елементів: підхід MATLAB [03012-1-03012-5]
13) Дослідження оптико-електричних та теплових характеристик світлодіодів RGB [03013-1-03013-4]
14) Вплив high-k діелектричних матеріалів на короткоканальні ефекти 14 нм тризатворного транзистора SOI FinFET для зменшеної площі мікросхеми [03015-1-03015-4]
15) Окислювальний синтез активованого вуглецю із низькосортного індійського третинного вугілля та його хімічні характеристики [03016-1-03016-4]
16) Синтез перовскітного каталізатора на основі титано-барієвого оксиду зі змішаними фазами (BaTiO3/Ba2TiO4) для виробництва біопалива [03017-1-03017-4]
17) Дослідження товщини та внутрішньої квантової ефективності подвійного перовскітного матеріалу на основі Cs2AgBiBr6 для фотоелектричних додатків [03018-1-03018-4]
18) Імітаційне дослідження перовскітних сонячних елементів на основі галогеніду свинцю і формамідію (FAPbX3; X = I та Br) з використанням симулятора SCAPS-1D [03019-1-03019-4]
19) Вплив потрійного матеріалу на дослідження продуктивності тунельного польового транзистора з графенових нанострічок PiN FET з подвійним затворомдля додатків низькопотужної логіки [03020-1-03020-4]
20) Розробка та реалізація контролера нечіткої логіки для діабету 1 типу [03021-1-03021-4]
21) Інфляційна космологічна модель Б'янкі типу VI з масивним джерелом струн у загальній теорії відносності [03022-1-03022-5]
22) Інноваційний підхід до управління відновлюваною енергією з використанням методу нечіткої логіки [03023-1-03023-5]
23) Вдосконалений метод нечіткої логіки, заснований на гібридній оптимізації поновлюваних джерел енергії, застосування в реальному часі [03024-1-03024-5]
24) Дослідження ємнісних властивостей хімічно активованого біовугілля з жому цукрової тростини для застосування в суперконденсаторах [03025-1-03025-5]
25) Конструкція компактної гексагональної несиметричної антени UWB діапазону зі щілинним отвором і двосмуговим (3.5/5.5 ГГц) режектором [03026-1-03026-4]
26) Попереднє дослідження електрохімічної поведінки скловуглецевого електрода (GCE), модифікованого Ketjen black, у розчині дофаміну [03027-1-03027-3]
27) Надрукована на 3D принтері кругла плоска антенна решітка 2x2 для додатків бездротового зв'язку [03028-1-03028-4]
28) Компактна кільцева антена для додатків мобільного зв'язку 5G [03029-1-03029-4]
29) Новий блок системи безпеки зі зменшенням відхилення частоти для об'єднаної енергосистеми з урахуванням кібератак [03030-1-03030-4]
30) Конструкція контролера нечіткої логіки для управління напругою, частотою, струмом та потужністю ізольованої мікромережі на основі трифазної розподіленої генерації [03031-1-03031-4]
31) Моделювання та характеристики гібридного антенного з'єднувача (з коефіцієнтом підсилення 3 дБ) для додатків 5G [03032-1-03032-5]
32) Патч-антени з T-подібною схемою, індуктивно зв'язаним контуром та макетами вкладених слотів для пасивних тегів UHF-RFID [03033-1-03033-5]
33) Виробництво фікоціаніну високої чистоти шляхом застосування червоних світлодіодів (LEDs) при зростанні водоростей Spirulina platensis [03034-1-03034-4]
34) Аналіз ефективності передискретизованії OFDM через мережу PLC [03035-1-03035-5]
35) Дослідження моделі еквівалентної схеми для мікросмугової патч-антени 5G [03036-1-03036-4]
36) Конструкція компактної чотиридіапазонної антени з подвійною поляризацією, виготовленої з метаматеріалів [03037-1-03037-4]
37) Оптимальні параметри зносу при терті ковзання для мінімального об'ємного зносу стоматологічних композитів на основі смол, наповнених кремнеземом [03039-1-03039-4]
38) Новий підхід до зеленого синтезу наноалмазів як біосумісних агентів [03040-1-03040-6]
39) Дослідження розрахунку аb-initio електронної структури CdTe з низькою індексною поверхнею [03041-1-03041-5]
40) Структурні і магніторезистивні властивості тришарових плівкових структур Сo(1 – x)Crx/Cu/Co [03042-1-03042-4]
