Імітаційне дослідження перовскітних сонячних елементів на основі галогеніду свинцю і формамідію (FAPbX3; X = I та Br) з використанням симулятора SCAPS-1D

Автори R. Saha , K. Chakraborty , M.G. Choudhury , S. Paul
Приналежність

Advanced Materials Research and Energy Application Laboratory (AMREAL), Department of Energy Engineering, North-Eastern Hill University, Shillong-793022, India

Е-mail
Випуск Том 13, Рік 2021, Номер 3
Дати Одержано 10 січня 2021; у відредагованій формі 15 червня 2021; опубліковано online 25 червня 2021
Посилання R. Saha, K. Chakraborty, M.G. Choudhury, S. Paul, Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 3, 03019 (2021)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.13(3).03019
PACS Number(s) 88.40.jp
Ключові слова Перовскіт (18) , Сонячний елемент (32) , Формамідій, SCAPS (27) , Ефективність перетворення енергії (2) .
Анотація

Перовскітні наноматеріали стали перспективними матеріалами для застосування не тільки в галузі сонячної енергетики, а й в оптоелектронних пристроях. Дослідження перовскітних сонячних елементів за допомогою моделювання викликають все більший інтерес серед дослідників фотоелектричних систем для глибшого розуміння впливу параметрів матеріалу на характеристики пристроїв на основі сонячних елементів. У роботі проведено імітаційний аналіз перовскітних сонячних елементів на основі галогеніду свинцю і формамідію (FAPbX3; X = I та Br), а саме FAPbI3 і FAPbBr3, за допомогою симулятора SCAPS-1D. У дослідженні spiro-OMeTAD і TiO2 були використані відповідно як електронний транспортний шар (ETL) і дірковий транспортний шар (HTL) в конфігурації сонячних елементів. Ми оцінили вплив різних товщин перовскітних шарів та робочих температур на продуктивність перовскітних сонячних елементів. У роботі представлені вольт-амперні характеристики в залежності від товщини і температури для кожного з двох перовскітних активних матеріалів.

Перелік посилань