Структурна інженерія багатоперіодних покриттів ZrN/MoN

Автори О.В. Соболь1 , А.О. Мейлехов1 , В.А. Столбовий2 , Г.О. Постельник1
Приналежність

1НТУ «Харківський політехнічний інститут», вул. Кирпичова, 21, 61002 Харків, Україна

2ННЦ «Харківський фізико-технічний інститут», вул. Академічна, 1, 61108 Харків, Україна

Е-mail
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 3
Дати Одержано 15.06.2016, опубліковано online - 03.10.2016
Посилання О.В. Соболь, А.О. Мейлехов, В.А. Столбовий, Г.О. Постельник, Ж. нано- електрон. фіз. 8 №3 03039 (2016)
DOI 10.21272/jnep.8(3).03039
PACS Number(s) 52.77.Dq, 81.07.Bc, 61.05.cp, 61.82.Rx, 68.55.jm
Ключові слова Багатошарові покриття ZrN/MoN, Товщина шарів (3) , Потенціал зсуву (7) , Структура (212) , Нанорозмір кристалітів, Твердість (63) .
Анотація Використовуючи метод структурної інженерії шляхом зміни товщини шарів в багатоперіодній системі ZrN/MoN досліджено вплив фазово-текстурного стану кристалітів і їх розмір на твердість вакуумно-дугових покриттів. Виявлено визначальний вплив ZrN шарів на формування переважної орієнтації зросту з віссю [100] при малій товщині шарів 7-20 нм (час осадження 3 -10 сек). При великій товщині шарів визначальним текстуру [311] є кристаліти -Mo2N фази, що формується в Mo-N шарах. Імпульсна високовольтна стимуляція не змінюючи тип структурних станів для різних товщин шарів, призводить до часткової разорієнтації текстури при великій товщині шарів. Твердість покриттів з товстими (80 нм) шарами становить 35-37 ГПа. У шарах малої товщини імпульсна стимуляції рухливості атомів призводить до формування планарної структури з середнім розміром кристалітів в шарах 4-9 нм, що супроводжується підвищенням твердості до 44 ГПа.

Перелік посилань