Фотоелектричні властивості гетеропереходів власний оксид - p-In4Se3

Автори В.М. Катеринчук1, З.Д. Ковалюк1 , Б.В. Кушнір1, О.С. Литвин2
Приналежність

1 Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення, вул. І. Вільде, 5, 58001 Чернівці, Україна

2 Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, пр. Науки, 41, 03028 Київ, Україна

Е-mail KushnirBV@gmail.com
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 3
Дати Одержано 15.03.2016, опубліковано online - 03.10.2016
Посилання В.М. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, Б.В. Кушнір, О.С. Литвин, Ж. нано- електрон. фіз. 8 № 3, 03032 (2016)
DOI 10.21272/jnep.8(3).03032
PACS Number(s) 61.43.Dq, 75.50.Pp, 75.60Ej
Ключові слова Cеленід індію (2) , Шаруваті кристали (11) , Гетеропереходи (5) , Спектральні характеристики (3) , Вольт-амперні характеристики (12) .
Анотація Методом термічного окислення напівпровідникової підкладки створений новий гетероперехід власний оксид  p-In4Se3. На основі аналізу електричних і фотоелектричних характеристик гетеропереходу побудована його якісна зонна діаграма. Особливістю даного гетеропереходу є механізм протікання струму через бар’єр, який визначається не дифузією носіїв, а термоелектронною емісією. Представлені також АСМ-зображення поверхні оксидного шару та спектр фоточутливості досліджуваного гетеропереходу.

Перелік посилань

English version of article