Дослідження топографії та атомної структури поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3
| Автори | П.В. Галій , Т.М. Ненчук , І.Р. Яровець |
| Приналежність | Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Драгоманова, 50, 79005 Львів, Україна |
| Е-mail | galiy@electronics.lnu.edu.ua |
| Випуск | Том 6, Рік 2014, Номер 2 |
| Дати | Одержано 19.05.2014, у відредагованій формі - 04.06.2014, опубліковано online - 20.06.2014 |
| Посилання | П.В. Галій, Т.М. Ненчук, І.Р. Яровець, Ж. Нано- електрон. фіз. 6 № 2, 02029 (2014) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 61.46._w, 68.37.Ef, 68.37.Ps, 68.47.Fg, 61.05.Jh |
| Ключові слова | Шаруваті кристали (11) , Міжшарові поверхні сколювання (3) , Топографія (4) , Атомна структура (3) , Скануюча тунельна мікроскопія (4) , Атомно-силова мікроскопія (16) , Дифракція повільних електронів (3) . |
| Анотація | Методами сканирующих туннельной, атомно-силовой микроскопий (СТМ, АСМ) и дифракции медленних электронов (ДМЭ) на отражение исследована топография, кристаллография и атомная структура поверхностей скалывания (ПС) (100) слоистых кристаллов In4Se3, полученных путем скалывания in situ. Полученные результаты указывают на существование периодической, гофрированной структуры на ПС. Показано , что ПС (100) In4Se3 являются структурно стабильными и не испытывают атомной реконструкции в широком температурном диапазоне 77-295 K. Установлена анизотропия теплового расширения ПС по основным кристаллолографическим направлениям в плоскости скола (100) In4Se3. Проведенные расчеты значений постоянных двухмерной решетки, находящихся в плоскости ПС (100) орторомбического слоистого кристалла In4Se3 по результатам ДМЭ (b 11,475 Å и c 3,734 Å) удовлетворительно совпадают с результатами полученными методами АСМ и СТМ (b 13-14 Å и c 4 Å) и находятся в пределах погрешности указанных методик , совпадая со значениями полученными методом X-дифрактометрии (b 12,308(1) Å и c 4,0810(5) Å). Кроме того, полученные результаты исследования структуры ПС, указывают на корректность использования фильтрования изображений топограмм, полученных методом СТМ и адекватность использованной модели для расчета постоянных поверхностной решетки ПС (100) In4Se3 по результатам ДМЭ. Проанализировано влияние строения ДПЕ-модуля на полученные результаты. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Люмінесценція монокристалів бромистого кадмію із додаванням домішки срібла [02001-1-02001-3]2) Класифікація мультикутової та спектральної еліпсометрії для напівпровідникових наноструктур [02002-1-02002-5]
3) Структурні властивості та елементний склад імплантованих Au+ плівок ZnO:Al, отрима-них золь-гель методом [02003-1-02003-5]
4) Surface Morphological Studies of Solar Absorber Layer Cu2ZnSnS4 (CZTS) Thin Films by Non-vacuum Deposition Methods [02004-1-02004-5]
5) Double Peak Behavior of Resistivity-Temperature Curves in (Nd / Pr)0.67Sr0.33MnO3 Manganites [02005-1-02005-3]
6) Interaction of Glucose with ZnO Nanoparticles [02006-1-02006-2]
7) Field Profile of Asymmetric Slab Waveguide Structure with LHM Layers [02007-1-02007-5]
8) Investigation of CNTFET Performance with Gate Control Coefficient Effect [02008-1-02008-4]
9) Response of Ag Thick Film Microstripline due to Superstrate Strontium Substituted Bismuth Manganites [02009-1-02009-3]
10) Evaluation of Vertical Coherence Length, Twist and Microstrain of GaAs / Si Epilayers Using Modified Williamson-Hall Analysis [02010-1-02010-7]
11) Вклад магнітного поля вихрових струмів у параметр загасання Гільберта [02011-1-02011-5]
12) Чисельне моделювання процесів формування електронних пучківу аксіально-симетричних системах [02012-1-02012-5]
13) Визначення комплексного показника заломлення еталона для вимірювання коефіцієнта відбиття [02013-1-02013-5]
14) Структурні, магнітні та магніторезистивні властивості трикомпонентного плівкового сплаву Ni-Fe-Co [02014-1-02014-7]
15) До розподілу Вагнера-Венгреновича [02015-1-02015-9]
16) Розробка економічних струмопровідних контактів для газочутливих плівкових шарів диоксиду олова [02016-1-02016-5]
17) Отримання шарів AlN при магнетронному розпиленні алюмінію в газовій суміші Ar + N2 [02017-1-02017-5]
18) Механізм виникнення та нейтралізація залишкової трибоелектрики при скануванні кремнієвим зондом атомно-силового мікроскопу діелектричних поверхонь [02018-1-02018-5]
19) Аналіз елементного складу плівок Cu2ZnSnSe4 методами PIXE та μ-PIXE [02019-1-02019-4]
20) Міжзеренні межі і електричні властивості тонких плівок твердих розчинів PbTe-Bi2Te3 [02020-1-02020-7]
21) Спінові хвилі у довільній феромагнітній наносистемі з трансляційною симетрією. Нанотрубка кругового перерізу. Нанотрубка еліптичного перерізу. [02021-1-02021-6]
22) Фазовий склад та магнітні властивості плівкових систем на основі Fe (Co) та Gd (Dy) [02022-1-02022-8]
23) Масив наночастинок золота на напівпровідникових плівках CdS: одержання, морфологія та оптичні властивості [02023-1-02023-4]
24) Вплив термічної та радіаційної дій на фазовий склад, структуру й напружено-деформований стан покриттів системи Ti-W-B, осаджених з іонно-атомних потоків [02024-1-02024-6]
25) Фазові перетворення і магніторезистивні властивості розбавлених твердих розчинів на основі атомів Fe і Ge [02025-1-02025-4]
26) Чотирьохдзеркальний відкритий резонатор з канавкою на плоскому дзеркалі [02026-1-02026-6]
27) Поля непрямих обмінних взаємодій в магнітних наногранульованих плівках [02027-1-02027-5]
28) Аналіз елементного складу та профілів розподілу нітридного наноструктурного покриття на основі TiHfVNbZr високоентропійного сплаву [02028-1-02028-5]
