Автори | П.В. Галій , Т.М. Ненчук , І.Р. Яровець |
Афіліація | Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Драгоманова, 50, 79005 Львів, Україна |
Е-mail | galiy@electronics.lnu.edu.ua |
Випуск | Том 6, Рік 2014, Номер 2 |
Дати | Одержано 19.05.2014, у відредагованій формі - 04.06.2014, опубліковано online - 20.06.2014 |
Цитування | П.В. Галій, Т.М. Ненчук, І.Р. Яровець, Ж. Нано- електрон. фіз. 6 № 2, 02029 (2014) |
DOI | |
PACS Number(s) | 61.46._w, 68.37.Ef, 68.37.Ps, 68.47.Fg, 61.05.Jh |
Ключові слова | Шаруваті кристали (11) , Міжшарові поверхні сколювання (3) , Топографія (4) , Атомна структура (3) , Скануюча тунельна мікроскопія (4) , Атомно-силова мікроскопія (16) , Дифракція повільних електронів (3) . |
Анотація | Методами сканирующих туннельной, атомно-силовой микроскопий (СТМ, АСМ) и дифракции медленних электронов (ДМЭ) на отражение исследована топография, кристаллография и атомная структура поверхностей скалывания (ПС) (100) слоистых кристаллов In4Se3, полученных путем скалывания in situ. Полученные результаты указывают на существование периодической, гофрированной структуры на ПС. Показано , что ПС (100) In4Se3 являются структурно стабильными и не испытывают атомной реконструкции в широком температурном диапазоне 77-295 K. Установлена анизотропия теплового расширения ПС по основным кристаллолографическим направлениям в плоскости скола (100) In4Se3. Проведенные расчеты значений постоянных двухмерной решетки, находящихся в плоскости ПС (100) орторомбического слоистого кристалла In4Se3 по результатам ДМЭ (b 11,475 Å и c 3,734 Å) удовлетворительно совпадают с результатами полученными методами АСМ и СТМ (b 13-14 Å и c 4 Å) и находятся в пределах погрешности указанных методик , совпадая со значениями полученными методом X-дифрактометрии (b 12,308(1) Å и c 4,0810(5) Å). Кроме того, полученные результаты исследования структуры ПС, указывают на корректность использования фильтрования изображений топограмм, полученных методом СТМ и адекватность использованной модели для расчета постоянных поверхностной решетки ПС (100) In4Se3 по результатам ДМЭ. Проанализировано влияние строения ДПЕ-модуля на полученные результаты. |
Перелік посилань English version of article |