Investigation of CNTFET Performance with Gate Control Coefficient Effect
| Автори | S.A. Khan1, M. Hasan2 , S.M. Mominuzzaman3 |
| Афіліація | 1 Robotics Research Lab, School of Engineering and Computer Science, BRAC University, Bangladesh 2 Department of Electrical & Electronic Engineering, BRAC University, Bangladesh 3 Department of Electrical & Electronic Engineering, Bangladesh University of Engineering & Technology, Bangladesh |
| Е-mail | khan.sabbir@bracu.ac.bd, momin@eee.buet.ac.bd |
| Випуск | Том 6, Рік 2014, Номер 2 |
| Дати | Одержано 23.03.2014, у відредагованій формі - 05.06.2014, опубліковано online - 20.06.2014 |
| Цитування | S.A. Khan, M. Hasan, S.M. Mominuzzaman, J. Nano- Electron. Phys. 6 No 2, 02008 (2014) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 61.46.Fg; 85.35.Kt; 63.20.Kr |
| Ключові слова | Gate Control Coefficient, CNTFET (9) , Drain сurrent, Transconductance (3) . |
| Анотація | For the first time, a deep study of gate control coefficient (αG) effect on CNTFET performance has done in this research. A new, analytical CNTFET simulation along with multiple parameter approach has executed with 3D output in MATLAB and that used it to examine device performance. It is found that, drain current and transconductance increases with high gate control coefficient. On the other hand, total capacitance decreases with high αG value resulting improved charging energy. Likewise, drain induced barrier lowering (DIBL) decreases with αG that provides less deviation from ideal device performance. Finally, subthreshold swing comes very close to the theoretical limit at high αG which is desired for low threshold voltage and low-power operation for FETs scaled down to small sizes. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Люмінесценція монокристалів бромистого кадмію із додаванням домішки срібла [02001-1-02001-3]2) Класифікація мультикутової та спектральної еліпсометрії для напівпровідникових наноструктур [02002-1-02002-5]
3) Структурні властивості та елементний склад імплантованих Au+ плівок ZnO:Al, отрима-них золь-гель методом [02003-1-02003-5]
4) Surface Morphological Studies of Solar Absorber Layer Cu2ZnSnS4 (CZTS) Thin Films by Non-vacuum Deposition Methods [02004-1-02004-5]
5) Double Peak Behavior of Resistivity-Temperature Curves in (Nd / Pr)0.67Sr0.33MnO3 Manganites [02005-1-02005-3]
6) Interaction of Glucose with ZnO Nanoparticles [02006-1-02006-2]
7) Field Profile of Asymmetric Slab Waveguide Structure with LHM Layers [02007-1-02007-5]
8) Response of Ag Thick Film Microstripline due to Superstrate Strontium Substituted Bismuth Manganites [02009-1-02009-3]
9) Evaluation of Vertical Coherence Length, Twist and Microstrain of GaAs / Si Epilayers Using Modified Williamson-Hall Analysis [02010-1-02010-7]
10) Вклад магнітного поля вихрових струмів у параметр загасання Гільберта [02011-1-02011-5]
11) Чисельне моделювання процесів формування електронних пучківу аксіально-симетричних системах [02012-1-02012-5]
12) Визначення комплексного показника заломлення еталона для вимірювання коефіцієнта відбиття [02013-1-02013-5]
13) Структурні, магнітні та магніторезистивні властивості трикомпонентного плівкового сплаву Ni-Fe-Co [02014-1-02014-7]
14) До розподілу Вагнера-Венгреновича [02015-1-02015-9]
15) Розробка економічних струмопровідних контактів для газочутливих плівкових шарів диоксиду олова [02016-1-02016-5]
16) Отримання шарів AlN при магнетронному розпиленні алюмінію в газовій суміші Ar + N2 [02017-1-02017-5]
17) Механізм виникнення та нейтралізація залишкової трибоелектрики при скануванні кремнієвим зондом атомно-силового мікроскопу діелектричних поверхонь [02018-1-02018-5]
18) Аналіз елементного складу плівок Cu2ZnSnSe4 методами PIXE та μ-PIXE [02019-1-02019-4]
19) Міжзеренні межі і електричні властивості тонких плівок твердих розчинів PbTe-Bi2Te3 [02020-1-02020-7]
20) Спінові хвилі у довільній феромагнітній наносистемі з трансляційною симетрією. Нанотрубка кругового перерізу. Нанотрубка еліптичного перерізу. [02021-1-02021-6]
21) Фазовий склад та магнітні властивості плівкових систем на основі Fe (Co) та Gd (Dy) [02022-1-02022-8]
22) Масив наночастинок золота на напівпровідникових плівках CdS: одержання, морфологія та оптичні властивості [02023-1-02023-4]
23) Вплив термічної та радіаційної дій на фазовий склад, структуру й напружено-деформований стан покриттів системи Ti-W-B, осаджених з іонно-атомних потоків [02024-1-02024-6]
24) Фазові перетворення і магніторезистивні властивості розбавлених твердих розчинів на основі атомів Fe і Ge [02025-1-02025-4]
25) Чотирьохдзеркальний відкритий резонатор з канавкою на плоскому дзеркалі [02026-1-02026-6]
26) Поля непрямих обмінних взаємодій в магнітних наногранульованих плівках [02027-1-02027-5]
27) Аналіз елементного складу та профілів розподілу нітридного наноструктурного покриття на основі TiHfVNbZr високоентропійного сплаву [02028-1-02028-5]
28) Дослідження топографії та атомної структури поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 [02029-1-02029-7]
