Evaluation of Vertical Coherence Length, Twist and Microstrain of GaAs / Si Epilayers Using Modified Williamson-Hall Analysis
| Автори | Ravi Kumar1, Tapas Ganguli2, Vijay Chouhan1,4, V.K. Dixit1, Puspen Mondal2, A.K. Srivastava2, C. Mukherjee3, T.K. Sharma1 |
| Приналежність | 1 Semiconductor Physics & Devices Laboratory, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore - 452013, India 2 Indus Synchrotron Utilisation Division, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore - 452013, India 3 Mechanical & Optical Support Section, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore - 452013, India 4 Currently at High energy accelerator research organization (KEK), Tsukuba 305- 0801, Japan |
| Е-mail | ravi@rrcat.gov.in, tarun@rrcat.gov.in |
| Випуск | Том 6, Рік 2014, Номер 2 |
| Дати | Одержано 05.05.2014, опубліковано online - 20.06.2014 |
| Посилання | Ravi Kumar, Tapas Ganguli, Vijay Chouhan, et al., J. Nano- Electron. Phys. 6 No 2, 02010 (2014) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 61.05.cp, 81.05.Ea |
| Ключові слова | HRXRD (3) , GaAs / Si (2) , Anti Phase domain, Microstructure (21) , Williamson-Hall analysis. |
| Анотація | Modified Williamson-Hall (WH) analysis is used to determine the reliable values of the microstructures for Zincblende epilayers grown on non-polar substrates. Systematic high resolution X-ray diffraction (HRXRD) experiments are performed for several skew symmetric reflections which enable an accurate measurement of the values of vertical coherence length (VCL) and microstrain of GaAs epilayers grown on Si. Furthermore, a simple method based on the orientation of Burgers vector is proposed for estimating the ratio of tilt and twist. In this method, the twist can be found easily once tilt is known. It is rather quick and the measured values of twist are very similar to those which are otherwise estimated by acquiring numerous HRXRD scans along with tedious fitting procedures. Presence of 60 mixed dislocations is confirmed from the cross sectional high resolution transmission electron microscope images of GaAs / Si samples. Furthermore, the estimated value of VCL is equivalent to the layer thickness measured by the surface profiler. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Люмінесценція монокристалів бромистого кадмію із додаванням домішки срібла [02001-1-02001-3]2) Класифікація мультикутової та спектральної еліпсометрії для напівпровідникових наноструктур [02002-1-02002-5]
3) Структурні властивості та елементний склад імплантованих Au+ плівок ZnO:Al, отрима-них золь-гель методом [02003-1-02003-5]
4) Surface Morphological Studies of Solar Absorber Layer Cu2ZnSnS4 (CZTS) Thin Films by Non-vacuum Deposition Methods [02004-1-02004-5]
5) Double Peak Behavior of Resistivity-Temperature Curves in (Nd / Pr)0.67Sr0.33MnO3 Manganites [02005-1-02005-3]
6) Interaction of Glucose with ZnO Nanoparticles [02006-1-02006-2]
7) Field Profile of Asymmetric Slab Waveguide Structure with LHM Layers [02007-1-02007-5]
8) Investigation of CNTFET Performance with Gate Control Coefficient Effect [02008-1-02008-4]
9) Response of Ag Thick Film Microstripline due to Superstrate Strontium Substituted Bismuth Manganites [02009-1-02009-3]
10) Вклад магнітного поля вихрових струмів у параметр загасання Гільберта [02011-1-02011-5]
11) Чисельне моделювання процесів формування електронних пучківу аксіально-симетричних системах [02012-1-02012-5]
12) Визначення комплексного показника заломлення еталона для вимірювання коефіцієнта відбиття [02013-1-02013-5]
13) Структурні, магнітні та магніторезистивні властивості трикомпонентного плівкового сплаву Ni-Fe-Co [02014-1-02014-7]
14) До розподілу Вагнера-Венгреновича [02015-1-02015-9]
15) Розробка економічних струмопровідних контактів для газочутливих плівкових шарів диоксиду олова [02016-1-02016-5]
16) Отримання шарів AlN при магнетронному розпиленні алюмінію в газовій суміші Ar + N2 [02017-1-02017-5]
17) Механізм виникнення та нейтралізація залишкової трибоелектрики при скануванні кремнієвим зондом атомно-силового мікроскопу діелектричних поверхонь [02018-1-02018-5]
18) Аналіз елементного складу плівок Cu2ZnSnSe4 методами PIXE та μ-PIXE [02019-1-02019-4]
19) Міжзеренні межі і електричні властивості тонких плівок твердих розчинів PbTe-Bi2Te3 [02020-1-02020-7]
20) Спінові хвилі у довільній феромагнітній наносистемі з трансляційною симетрією. Нанотрубка кругового перерізу. Нанотрубка еліптичного перерізу. [02021-1-02021-6]
21) Фазовий склад та магнітні властивості плівкових систем на основі Fe (Co) та Gd (Dy) [02022-1-02022-8]
22) Масив наночастинок золота на напівпровідникових плівках CdS: одержання, морфологія та оптичні властивості [02023-1-02023-4]
23) Вплив термічної та радіаційної дій на фазовий склад, структуру й напружено-деформований стан покриттів системи Ti-W-B, осаджених з іонно-атомних потоків [02024-1-02024-6]
24) Фазові перетворення і магніторезистивні властивості розбавлених твердих розчинів на основі атомів Fe і Ge [02025-1-02025-4]
25) Чотирьохдзеркальний відкритий резонатор з канавкою на плоскому дзеркалі [02026-1-02026-6]
26) Поля непрямих обмінних взаємодій в магнітних наногранульованих плівках [02027-1-02027-5]
27) Аналіз елементного складу та профілів розподілу нітридного наноструктурного покриття на основі TiHfVNbZr високоентропійного сплаву [02028-1-02028-5]
28) Дослідження топографії та атомної структури поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 [02029-1-02029-7]
