Класифікація мультикутової та спектральної еліпсометрії для напівпровідникових наноструктур

Автори А.А. Голобородько, М.В. Єпов, Л.Ю. Бобир, Т.В. Родіонова
Приналежність

Київський національний університет ім. Т. Шевченка, вул. Володимирська, 64/13, 01601 Київ, Україна

Е-mail angol@univ.kiev.ua
Випуск Том 6, Рік 2014, Номер 2
Дати Одержано 11.11.2013, опубліковано online - 20.06.2014
Посилання А.А. Голобородько, М.В. Єпов, Л.Ю. Бобир, Т.В. Родіонова, Ж. нано- електрон. фіз. 6 № 2, 02002 (2014)
DOI
PACS Number(s) 78.40.Fy, 78.66.Jg
Ключові слова Полікремнієва плівка, Спектральна еліпсометрія (2) , Коефіцієнт відбиття (10) , Показник заломлення (11) , Показник поглинання (2) .
Анотація Досліджені можливості багатопараметричного визначення напівпровідникових наноструктур на основі спектральних залежностей поляризованого випромінювання коефіцієнта відбиття Rp, Rs від кута падіння в діапазоні 200-800 нм. Експериментальні дані показали високі коефіцієнти чутливості відбивання кутової залежності від типу полікристалічних структур. Наявність додаткових спектральних екстремумів в залежності від заломлення і поглинання може бути пов'язане з розміром зерен полікристалічної структури і типу меж зерен. Показана можливість багатопараметричного дослідження оптичних властивостей і товщини напівпровідникових шарів на кремнієвій підкладці.

Перелік посилань