Механізм виникнення та нейтралізація залишкової трибоелектрики при скануванні кремнієвим зондом атомно-силового мікроскопу діелектричних поверхонь

Автори М.О. Бондаренко1, С.О. Білокінь1, В.С. Антонюк2 , Ю.Ю. Бондаренко1
Приналежність

1 Черкаський державний технологічний університет, бул. Шевченка, 460, 18006 Черкаси, Україна

2 Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут», пр. Перемоги, 37, 03056 Київ-56, Україна

Е-mail maxxium@rambler.ru
Випуск Том 6, Рік 2014, Номер 2
Дати Одержано 16.03.2014, опубліковано online - 20.06.2014
Посилання М.О. Бондаренко, С.О. Білокінь, В.С. Антонюк, Ю.Ю. Бондаренко, Ж. нано- електрон. фіз. 6 № 2, 02018 (2014)
DOI
PACS Number(s) 07.79.Lh, 41.20.Cv, 81.05. – t, 34.35. + a
Ключові слова Атомно-силова мікроскопія (16) , Трибоелектрика, Діелектрична поверхня, Кремнієвий зонд, Багатофотонна іонізація.
Анотація В статті встановлені причини та наведений механізм руйнівної дії сил електростатичної взаємодії кремнієвого зонду з діелектричними поверхнями при дослідженні їх мікрогеометрії та механічних характеристик методом атомно-силової мікроскопії. Проведений розрахунок сил електростатичної взаємодії двох кремнієвих поверхонь та визначена руйнівна дія електростатичного розряду, що виникає внаслідок трибоелектричного ефекту. Запропонований модуль зняття електростатичного заряду, принцип роботи якого полягає у формуванні зони провідності в місці контакту двох діелектриків шляхом багатофотонної іонізації. Показано, що застосування такого способу нейтралізації залишкової трибоелектрики підвищує точність, надійність та відтворюваність результатів сканування.

Перелік посилань

English version of article