Автори | М.О. Бондаренко1, С.О. Білокінь1, В.С. Антонюк2 , Ю.Ю. Бондаренко1 |
Афіліація | 1 Черкаський державний технологічний університет, бул. Шевченка, 460, 18006 Черкаси, Україна 2 Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут», пр. Перемоги, 37, 03056 Київ-56, Україна |
Е-mail | maxxium@rambler.ru |
Випуск | Том 6, Рік 2014, Номер 2 |
Дати | Одержано 16.03.2014, опубліковано online - 20.06.2014 |
Цитування | М.О. Бондаренко, С.О. Білокінь, В.С. Антонюк, Ю.Ю. Бондаренко, Ж. нано- електрон. фіз. 6 № 2, 02018 (2014) |
DOI | |
PACS Number(s) | 07.79.Lh, 41.20.Cv, 81.05. – t, 34.35. + a |
Ключові слова | Атомно-силова мікроскопія (16) , Трибоелектрика, Діелектрична поверхня, Кремнієвий зонд, Багатофотонна іонізація. |
Анотація | В статті встановлені причини та наведений механізм руйнівної дії сил електростатичної взаємодії кремнієвого зонду з діелектричними поверхнями при дослідженні їх мікрогеометрії та механічних характеристик методом атомно-силової мікроскопії. Проведений розрахунок сил електростатичної взаємодії двох кремнієвих поверхонь та визначена руйнівна дія електростатичного розряду, що виникає внаслідок трибоелектричного ефекту. Запропонований модуль зняття електростатичного заряду, принцип роботи якого полягає у формуванні зони провідності в місці контакту двох діелектриків шляхом багатофотонної іонізації. Показано, що застосування такого способу нейтралізації залишкової трибоелектрики підвищує точність, надійність та відтворюваність результатів сканування. |
Перелік посилань English version of article |