Автори | В.О. Хандожко1, М.Д. Раранський1, В.Н. Балазюк1, З.Д. Ковалюк2 |
Афіліація | 1 Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, 58012 Чернівці, Україна 2 Чернівецьке відділення ІПМ ім. І. М. Францевича НАН України, вул. Ірини Вільде, 5, 58001 Чернівці, Україна |
Е-mail | |
Випуск | Том 5, Рік 2013, Номер 3 |
Дати | Одержано 31.05.2013, опубліковано online 17.10.2013 |
Цитування | В.О. Хандожко, М.Д. Раранський, В.Н. Балазюк, З.Д. Ковалюк, Ж. Нано- електрон. фіз. 5 № 3, 03050 (2013) |
DOI | |
PACS Number(s) | 76.60. – К, 76.60.Gv, 41.50. + h |
Ключові слова | ЯКР (4) , шаруваті сполуки, кристалографічна орієнтація, відпал кристалу. |
Анотація | Використовуючи метод ЯКР, досліджено залежність інтенсивності спектра від орієнтації кристалографічних осей анізотропного кристала щодо вектора магнітної компоненти високочастотного поля. Наявність залишкової інтенсивності резонансного спектру при Н1c свідчить про присутність в монокристалі дефектів – блоків з малими кутовими границями або іншими порушеннями в атомних шарах. Відпал кристалу при температурі 550 С супроводжується покращенням якості резонансних спектрів ЯКР та дифракційних максимумів на топограмах. |
Перелік посилань |