Автори | З.Д. Ковалюк1 , В.М. Катеринчук1, З.Р. Кудринський1, О.С. Литвин2 |
Афіліація | 1 Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича Національної академії наук України, Чернівецьке відділення, вул. Ірини Вільде, 5, 58001 Чернівці, Україна 2 Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України, пр. Науки, 41, 03028 Київ-28, Україна |
Е-mail | kudrynskyi@gmail.com |
Випуск | Том 5, Рік 2013, Номер 3 |
Дати | Одержано 12.02.2013, опубліковано online – 17.10.2013 |
Цитування | З.Д. Ковалюк, В.М. Катеринчук, З.Р. Кудринський, О.С. Литвин, Ж. нано- електрон. фіз. 5 No 3, 03027 (2013) |
DOI | |
PACS Number(s) | 73.40.Lq, 81.65.Mq, 81.16.Dn |
Ключові слова | Гетеропереходи (5) , Шаруваті кристали (11) , Наноструктури (23) , Атомно-силова мікроскопія (16) , Оксидні плівки. |
Анотація | Досліджені фоточутливі гетеропереходи n-In2O3 / p-InSe, в яких фронтальний шар In2O3 є наноструктурованим. Виявлено, що спектри фоточутливості таких гетеропереходи істотно залежать від поверхневої топології оксиду. Це свідчить про те, що оксид в парі з напівпровідниковою підкладкою відіграє не лише роль активної компоненти структури, але і одночасно служить комірчастим дифракційним елементом. Поверхнева топологія оксиду досліджувалася за допомогою атомно-силового мікроскопа. За різних умов окислення InSe поверхня зразків містила наноформування переважно у формі наноголок. Їх структура мала як невпорядкований, так і впорядкований характер. Оптичний розмірний ефект в плівці оксиду виявлений завдяки поєднанню властивостей наноструктуризованої поверхні In2O3 і анізотропного поглинання світла в InSe. Чим вище відхилення падаючого світла від його нормального напрямку, викликане наноструктурованою поверхнею оксиду, тим більші зміни у фотогенерації носіїв в анізотропному напівпровіднику. Ці зміни полягали в розширенні смуги фотовідгуку, а також в особливостях поведінки екситонної лінії в спектрі гетеропереходу. Чим вище густина і впорядкування наноголок, тим більше довгохвильовий зсув смуги фотовідгуку і інтенсивніший екситонний пік в спектрі. |
Перелік посилань |