| Назва |
Дослідження давидівського розщеплення в ік спектрах кристалів дикарбонових кислот |
| Автори |
С.І. Кшнякіна, Ю.М. Лопаткін, Т.А. Гаврилко |
| Випуск |
Том 1, Рік 2009, Номер 3 |
| Сторінки |
043 - 049 |
| Назва |
Збудження вимушених коливань в системі «дисковий діелектричний резонатор-дифракційна гратка» |
| Автори |
О.І. Білоус, О.М. Сухоручко, А.І. Фісун |
| Випуск |
Том 2, Рік 2010, Номер 1 |
| Сторінки |
089 - 093 |
| Назва |
Коливальні стани домішкових мікроутворень на гексагональної підкладці |
| Автори |
А.С. Долгов, Ю.Л. Жабчик |
| Випуск |
Том 7, Рік 2015, Номер 3 |
| Сторінки |
03035-1 - 03035-5 |
| Назва |
Математичне моделювання фізичних процесів перетворення електромагнітного поля в поле пружних коливань в мікротовщинних шарах металів |
| Автори |
С.Ю. Плєснецов, Р.П. Мигущенко, О.Н. Петрищев, Г.М. Сучков, Г.С. Хрипунов |
| Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 5 |
| Сторінки |
05041-1 - 05041-7 |
| Назва |
Фізичні основи створення безконтактних ультразвукових частотних сенсорів для дослідження нанокристалічних феромагнітних матеріалів |
| Автори |
С.Ю. Плєснецов, Р.П. Мигущенко, О.М. Петрищев, Г.М. Сучков, А.Л. Хрипунова |
| Випуск |
Том 10, Рік 2018, Номер 2 |
| Сторінки |
02004-1 - 02004-9 |
| Назва |
Магнітні квантові ефекти в електронних напівпровідниках при поглинанні мікрохвильовим випромінюванням |
| Автори |
G. Gulyamov,, U.I. Erkaboev, A.G. Gulyamov |
| Випуск |
Том 11, Рік 2019, Номер 1 |
| Сторінки |
01020-1 - 01020-6 |
| Назва |
Електрична характеристика транзистора Ge-FinFET на основі нанорозмірних каналів |
| Автори |
Ahmed Mahmood, Waheb A. Jabbar, Yasir Hashim, Hadi Bin Manap |
| Випуск |
Том 11, Рік 2019, Номер 1 |
| Сторінки |
01011-1 - 01011-5 |
| Назва |
Про температурну залежність поздовжніх коливань електричної провідності в вузькозонних електронних напівпровідниках |
| Автори |
G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, J.I. Mirzaev |
| Випуск |
Том 12, Рік 2020, Номер 3 |
| Сторінки |
03012-1 - 03012-5 |
| Назва |
Вплив high-k діелектричних матеріалів на короткоканальні ефекти в тризатворних SOI FinFETs |
| Автори |
Zohmingmawia Renthlei, Swagat Nanda, Rudra Sankar Dhar |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 5 |
| Сторінки |
05013-1 - 05013-6 |
| Назва |
Моделювання процесів в електронному газі методом Particle-in-cell |
| Автори |
І.І. Нікішкін, Р.І. Холодов |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 5 |
| Сторінки |
05022-1 - 05022-5 |
| Назва |
Результати перерахунку ефективної рентгенівської характеристичної температури в її дійсне значення |
| Автори |
Д.І. Вадець, В.І. Гаращенко, О.В. Гаращенко, О.Я. Романів, Я.І. Федишин, С.Л. Форсюк |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 1 |
| Сторінки |
01010-1 - 01010-5 |
| Назва |
Оцінка продуктивності модифікованого безперехідного багатозатворного транзистора із вбудованим каналом |
| Автори |
K. Kalai Selvi, K.S. Dhanalakshmi, Kalaivani Kanagarajan |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 1 |
| Сторінки |
01008-1 - 01008-5 |
| Назва |
Покращений діод Ганна мікронних розмірів на основі варізонного GaPAs – GaInAs |
| Автори |
Ігор Стороженко, Сергій Санін |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 1 |
| Сторінки |
01027-1 - 01027-5 |
| Назва |
Проектування та аналіз безперехідного пристрою VTFET для сенсорних додатків |
| Автори |
Anwesh, Divakaran S., Ravi Prakash Dwivedi, Yogendra Singh, Lucky Agarwal |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 3 |
| Сторінки |
03019-1 - 03019-5 |
| Назва |
Реалізація та аналіз L-подібного тунельного польового транзистора з використанням затвора та оксидної інженерії |
| Автори |
R. Dhanush, S. Ashok Kumar, V. Logisvary |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 5 |
| Сторінки |
05015-1 - 05015-4 |
| Назва |
Реалізація VTFET із лінійно градуйованою роботою виходу бінарного металевого затвору з повітряною кишенею |
| Автори |
K. Kalai Selvi, K.S. Dhanalakshmi |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 6 |
| Сторінки |
06014-1 - 06014-6 |
| Назва |
Планарний n+-n-n+ діод з бічними активними границями на InP підкладці |
| Автори |
О.В. Боцула, В.О. Зозуля, К.Г. Приходько |
| Випуск |
Том 15, Рік 2023, Номер 1 |
| Сторінки |
01011-1 - 01011-4 |
| Назва |
Діод на основі InPAs як активний елемент терагерцового діапазону |
| Автори |
К.Г. Приходько, О.В. Боцула |
| Випуск |
Том 15, Рік 2023, Номер 6 |
| Сторінки |
06019-1 - 06019-5 |
