Назва |
The Study of Microstructure of III-V Polar on Non-Polar Heterostructures by HRXRD |
Автори |
Ravi Kumar, Tapas Ganguli, Vijay Chouhan, V.K. Dixit |
Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 1 |
Сторінки |
0017 - 0025 |
Назва |
Optical Fiber Based Spectral Response Measurement System for Multi-Junction Solar Cells |
Автори |
A.P. Shah, R. Bag, R. Tyagi, S.S. Chandvankar, V.A. Chaudhari, K.L. Narasimhan, B.M. Arora |
Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 |
Сторінки |
0662 - 0666 |
Назва |
Моделювання механічно з’єднаного три-перехідного сонячного елементу GaInP / GaAs / Si |
Автори |
О.Б. Гниленко, С.В. Плаксін |
Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 4 |
Сторінки |
04057-1 - 04057-6 |
Назва |
Evaluation of Vertical Coherence Length, Twist and Microstrain of GaAs / Si Epilayers Using Modified Williamson-Hall Analysis |
Автори |
Ravi Kumar, Tapas Ganguli, Vijay Chouhan, V.K. Dixit, Puspen Mondal, A.K. Srivastava, C. Mukherjee, T.K. Sharma |
Випуск |
Том 6, Рік 2014, Номер 2 |
Сторінки |
02010-1 - 02010-7 |
Назва |
Photosensitive AlGaAs / GaAs Structures Grown by Molecular Beam Epitaxy |
Автори |
M.A. Bazalevsky, G.I. Koltsov, S.I. Didenko, S.Yu. Yurchuk, S.A. Legotin, O.I. Rabinovich, V.N. Murashev, I.P. Kazakov |
Випуск |
Том 6, Рік 2014, Номер 3 |
Сторінки |
03019-1 - 03019-3 |
Назва |
Simulation of Tunnel Junction in Cascade Solar Cell (GaAs/Ge) Using AMPS-1D |
Автори |
Benmoussa Dennai, H. Ben Slimane, A. Helmaoui |
Випуск |
Том 6, Рік 2014, Номер 4 |
Сторінки |
04001-1 - 04001-3 |
Назва |
Simulation of Hetero-junction (GaInP/GaAs) Solar Cell Using AMPS-1D |
Автори |
Dennai Benmoussa, M. Boukais, H. Benslimane |
Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 1 |
Сторінки |
01009-1 - 01009-3 |
Назва |
Effect of Temperature on the AlGaAs/GaAs Tandem Solar Cell for Concentrator Photovoltaic Performances |
Автори |
Hemmani Abderrahmane, B. Dennai, H. Khachab, A. Helmaoui |
Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 1 |
Сторінки |
01015-1 - 01015-4 |
Назва |
Формування варізонної активної області фотоелектричного перетворювача на основі твердих розчинів AlGaAs модуляцією потоку триметилалюмінію в методі МОСепітаксії |
Автори |
С.І. Круковський, Г.А. Ільчук, Р.С. Круковський, І.В. Семків, Е.О. Змійовська, С.В. Токарєв |
Випуск |
Том 10, Рік 2018, Номер 3 |
Сторінки |
03025-1 - 03025-5 |
Назва |
Залежні від форми оптичні властивості квантової точки GaAs: модельне дослідження |
Автори |
K.D. Kadam, S.L. Patil, H.S. Patil, P.P. Waifalkar, K.V. More, R.K. Kamat, T.D. Dongale |
Випуск |
Том 11, Рік 2019, Номер 1 |
Сторінки |
01013-1 - 01013-4 |
Назва |
Вдосконалення фізичної моделі сонячних елементів на основі GaAs |
Автори |
Р.В. Зайцев, М.В. Кіріченко |
Випуск |
Том 12, Рік 2020, Номер 6 |
Сторінки |
06015-1 - 06015-6 |
Назва |
Люмінесцентні властивості електрохімічно травленого арсеніду галію |
Автори |
І.В. Гаврильченко, Ю.С. Мілованов, І.І. Іванов, О.Н. Задерко, А.П. Оксанич, С.Е. Притчин, М.Г. Когдась, М.І. Федорченко, С.М. Гойса, В.А. Скришевський |
Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 4 |
Сторінки |
04011-1 - 04011-6 |
Назва |
Електричне дослідження структур Au/GaN/GaAs (100) як функції частоти |
Автори |
A.M. Benamara, A.H. Kacha, A. Talbi, B. Akkal, Z. Benamara, S. Belarouci |
Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
Сторінки |
02008-1 - 02008-4 |
Назва |
Oксидування поверхні n-GaAs: морфологічний та кінетичний аналіз |
Автори |
Я.О. Сичікова, С.С. Ковачов, Ф.С. Лазаренко, І.О. Бардус, К. Тиховод, О.І. Гуренко, І.Т. Богданов |
Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 3 |
Сторінки |
03033-1 - 03033-7 |
Назва |
Порівняння кремнію (Si) та арсеніду галію (GaAs) за допомогою MATLAB |
Автори |
Abdelkrim Mostefai |
Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 4 |
Сторінки |
04028-1 - 04028-4 |
Назва |
Покращення електричних властивостей сонячної елемента типу ITO/Si/GaAs/Si/ITO при зміні розташування проміжного шару GaAs |
Автори |
M. Hebali, M. Bennaoum, H.A. Azzeddine, B. Ibari, A. Maachou, D. Chalabi |
Випуск |
Том 15, Рік 2023, Номер 1 |
Сторінки |
01023-1 - 01023-4 |