Автори | О.Б. Гниленко1,2, С.В. Плаксін2 |
Афіліація | 1 Дніпропетровський національний університет імені Олеся Гончара, пр. Гагаріна, 72, 49010 Дніпропетровськ, Україна 2 Інститут транспортних систем і технологій НАНУ, вул. Пісаржевського, 5, 49005 Дніпропетровськ, Україна |
Е-mail | gnilenko@ua.fm |
Випуск | Том 5, Рік 2013, Номер 4 |
Дати | Одержано 10.10.2013, опубліковано online - 31.01.2014 |
Цитування | О.Б. Гниленко, С.В. Плаксін, Ж. Нано- електрон. фіз. 5 № 4, 04057 (2013) |
DOI | |
PACS Number(s) | 73.40.Lq, 78.20.Bh, 84.60.Jt |
Ключові слова | Сонячний елемент (34) , Три-перехідний, Механічно з’єднаний, GaInP / GaAs / Si, Silvaco TCAD (3) . |
Анотація | За допомогою програмного пакету Silvaco TCAD проведено моделювання механічно з’єднаного три-перехідного сонячного елементу GaInP / GaAs / Si і його порівняння з більш традиційною конфігурацією GaInP / GaAs / Ge з механічним з’єднанням каскадів. Розраховано зовнішню квантову ефективність, вольт-амперні характеристики та основні параметри сонячних елементів і на цій підставі показано переваги використання кремнію замість германію в якості матеріалу активної підкладки нижнього фотоелементу. |
Перелік посилань |