Моделювання механічно з’єднаного три-перехідного сонячного елементу GaInP / GaAs / Si

Автори О.Б. Гниленко1,2, С.В. Плаксін2
Приналежність

1 Дніпропетровський національний університет імені Олеся Гончара, пр. Гагаріна, 72, 49010 Дніпропетровськ, Україна

2 Інститут транспортних систем і технологій НАНУ, вул. Пісаржевського, 5, 49005 Дніпропетровськ, Україна

Е-mail gnilenko@ua.fm
Випуск Том 5, Рік 2013, Номер 4
Дати Одержано 10.10.2013, опубліковано online - 31.01.2014
Посилання О.Б. Гниленко, С.В. Плаксін, Ж. Нано- електрон. фіз. 5 № 4, 04057 (2013)
DOI
PACS Number(s) 73.40.Lq, 78.20.Bh, 84.60.Jt
Ключові слова Сонячний елемент (32) , Три-перехідний, Механічно з’єднаний, GaInP / GaAs / Si, Silvaco TCAD (3) .
Анотація За допомогою програмного пакету Silvaco TCAD проведено моделювання механічно з’єднаного три-перехідного сонячного елементу GaInP / GaAs / Si і його порівняння з більш традиційною конфігурацією GaInP / GaAs / Ge з механічним з’єднанням каскадів. Розраховано зовнішню квантову ефективність, вольт-амперні характеристики та основні параметри сонячних елементів і на цій підставі показано переваги використання кремнію замість германію в якості матеріалу активної підкладки нижнього фотоелементу.

Перелік посилань