Дослідження електричної поведінки одноперехідних сонячних елементів GaAs/Ge
| Автори | M. Hebali1 , 2 , B. Kada1, B. Ibari1 , M. Bennaoum1 , I.F. Bouguenna1, A. Maachou1, M. Altun3 |
| Афіліація |
1Department of Electrotechnical, University Mustapha Stambouli of Mascara, 29000 Mascara, Algeria 2LSTE Laboratory, University Mustapha Stambouli of Mascara, 29000 Mascara, Algeria 3Department of Electronics and Communication Engineering, Istanbul Technical University, Istanbul, Turkey |
| Е-mail | mourad.hebali@univ-mascara.dz |
| Випуск | Том 18, Рік 2026, Номер 2 |
| Дати | Одержано 03 вересня 2025; у відредагованій формі 20 квітня 2026; опубліковано online 29 квітня 2026 |
| Цитування | M. Hebali, B. Kada, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 18 № 2, 02032 (2026) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.18(2).02032 |
| PACS Number(s) | 73.61. – r, 88.40.jm |
| Ключові слова | GaAs/Ge, Сонячний елемент (39) , Один перехід, Моделювання (87) , Статичні характеристики, Електричні параметри (7) . |
| Анотація |
Для дослідження електричної поведінки одноперехідного сонячного елемента GaAs/Ge було використано математичну модель, засновану на еквівалентній схемі (однодіодній моделі). Для підтвердження придатності запропонованої моделі було використано номінальні значення, надані виробником, такі як фотострум (ISC), напруга холостого ходу (VOC), максимальна потужність (Pmax), форм-фактор (FF) та коефіцієнт корисної дії (Ω). Порівняння номінальних статичних характеристик, вольт-амперної залежності (I-V) та потужності (P-V), з тими, що отримані за допомогою запропонованої моделі цього сонячного елемента, показало, що вони дуже ідентичні. На основі цієї запропонованої моделі було досліджено вплив опромінення та температури на ці статичні властивості та на різні електричні параметри цього сонячного елемента. Це дослідження продемонструвало придатність запропонованої моделі для дослідження того, як на електричну поведінку цього сонячного елемента впливають зміни освітленості та температури відповідно. Незважаючи на простоту запропонованої моделі, вона демонструє хорошу поведінку та високу продуктивність, що робить її найбільш придатною математичною моделлю для дослідження одноперехідних сонячних елементів на основі напівпровідникової технології GaAs/Ge. Для моделювання запропонованої моделі та аналізу продуктивності цього сонячного елемента було використано програмне забезпечення MATLAB. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Кінетика росту згустків Ag на мікрокристалах AgBr під дією фемтосекундного імпульсного лазерного випромінювання [02001-1-02001-7]2) Радіаційні дефекти у зелених світлодіодах GaP [02002-1-02002-5]
3) Вплив будови і властивостей перехідної зони між матрицею і наповнювачем на руйнування композиційних покриттів при терті [02003-1-02003-7]
4) Моделювання поширення хвиль у циліндричному хвилеводі з нелінійного метаматеріалу типу Керра за допомогою методу скінченних різниць у часовій області допоміжних диференціальних рівнянь [02004-1-02004-11]
5) Обчислювальна основа на медичних зображеннях для картографування електромагнітного поля та оцінки коефіцієнта питомого коефіцієнта поглинання (SAR) у біологічних тканинах [02005-1-02005-5]
6) Ефект саморозігрівання в GaN діоді з варізонною InGaN мезаструктурою [02006-1-02006-6]
7) Проєктування та аналіз надкомпактної трищілинної шестикутної патч-антени для застосувань в ІоТ у ТГц діапазоні [02007-1-02007-7]
8) Удосконалення чотирьохзондових вимірювань неоднорідних матеріалів [02008-1-02008-5]
9) Термодинамічне моделювання фазового складу структур Si/SiОx, отримуваних фазовим розділенням нестехіометричних оксидів кремнію [02009-1-02009-6]
10) Проєктування та оцінка продуктивності компактної чотирипортової mmWave MIMO-патч-антени, що інтегрує протокол MQTT на частоті 6,6 ГГц у 5G-застосуваннях [02010-1-02010-5]
11) Нанотехнології у ранньому виявленні раку та точній діагностиці: досягнення в нанотехнологіях, технологіях та клінічному застосуванні [02011-1-02011-7]
12) Використання затворів та каналів у графеновому тунельному польовому транзистори (GTFET) у наномасштабі для покращення продуктивності пристроїв [02012-1-02012-5]
13) Незалежні RFID-мітки без орієнтації чіпа з використанням кільцевих структур з квадратними щілинами [02013-1-02013-6]
14) Широкосмугова шестернеподібна щілинна чотирипортова MIMO-антена на підкладці ITO з покращеною ізоляцією за допомогою паразитних впливів для застосувань 5G/WLAN у діапазоні менше 6 ГГц [02014-1-02014-5]
15) Оцінка нанобіосенсорів наступного покоління для виявлення небезпечних біологічних маркерів при захворюваннях [02015-1-02015-5]
16) Низькопрофільна кругла патч-антена у формі півмісяця для застосувань у діапазоні менше 6 ГГц [02016-1-02016-4]
17) Покращення структурних та фізичних властивостей гібридних нанокомпозитів Al 7075–карбід бору–діоксид цирконію [02017-1-02017-7]
18) DGTFET: метод підвищеної чутливості для біосенсорики без міток [02018-1-02018-5]
19) Термокерований трисмуговий метаматеріальний ідеальний поглинач на основі діоксиду ванадію (VO2) для застосування в терагерцовому зв'язку [02019-1-02019-5]
20) Аналіз низькопрофільної шестикутної патч-антени для бездротового зв'язку наступного покоління [02020-1-02020-4]
21) Багатодіапазонна двослотова кругла кільцева мікросмужкова патч-антена з живленням від CPW для застосувань у міліметровому діапазоні 5G [02021-1-02021-5]
22) Аналіз продуктивності структурованого n-i-p та p-i-n перовскітного сонячного елемента без свинцю на основі Cs2TiI6 [02022-1-02022-4]
23) Залежні від матеріалу варіації сенсибілізації протонного опромінення, опосередкованої наночастинками [02023-1-02023-6]
24) Оптична реакція наноплівок золота та хрому, що залежить від товщини: дослідження ефективності плазмонного зондування [02024-1-02024-5]
25) Електропровідність тонких плівок сплавів CoNi та FeNi [02025-1-02025-7]
26) Польовий транзистор на основі плівки відновленого оксиду графену з поглинаючими шарами ZnO та поруватого кремнію для виявлення іонізуючого випромінювання [02026-1-02026-5]
27) Компактна широкосмугова мікросмужкова патч-антена з використанням часткової заземлювальної площини для застосувань міліметрового діапазону 28 ГГц [02027-1-02027-6]
28) Покращення захоплення світла, кероване TCAD, у кремнієвих фотоелектричних елементах за допомогою спроектованих геометрій наноотворів [02028-1-02028-5]
29) Застосування наночастинок заліза для відновлення хрому [02029-1-02029-8]
30) Структурні та оптичні властивості наностержнів ZnO, синтезованих за допомогою екстракту тулші (Ocimum tenuiflorum): екологічний підхід [02030-1-02030-5]
31) Вплив золь-гель обробки та відпалу на нанокристалічні тонкі плівки TiO2 для фотоелектричних застосувань [02033-1-02033-4]
32) Магнітоопір в магнітовпордякованих «симетричних» та «несиметричних» сендвічах з ультратонкими прошарками [02034-1-02034-6]
33) Оптимізація відбивної здатності в біізотропних багатошарових дзеркалах: роль співвідношень хіральних та теллегенівських параметрів [02035-1-02035-6]
34) Моделювання впливу розмірів пор на механічні властивості композитів з металевою матрицею, армованих частинками SiC [02036-1-02036-5]
35) Аналіз методом скінченних елементів оптимізованих наноматеріалів Fe2O3 під дією прикладеного механічного тиску [02037-1-02037-4]
36) Властивості тонких плівок ZnO, легованих Sn, створених шляхом піролізу сонячного розпилення для фотоелектричних застосувань [02038-1-02038-5]
