Радіаційні дефекти у зелених світлодіодах GaP

Автори Т.М. Загородня1 , Л.А. Кот2, О.О. Краснянський2, П.М. Павловський2, Д.П. Стратилат3, В.П. Тартачник3
Афіліація

1Сумський державний університет, 40000, Суми, Україна

2Український державний університет імені Михайла Драгоманова, 02000, Київ, Україна

3Інститут ядерних досліджень, 02000, Київ, Україна

Е-mail l.a.kot@udu.edu.ua
Випуск Том 18, Рік 2026, Номер 2
Дати Одержано 05 січня 2026; у відредагованій формі 21 квітня 2026; опубліковано online 29 квітня 2026
Цитування Т.М. Загородня, Л.А. Кот, О.О. Краснянський, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 18 № 2, 02002 (2026)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.18(2).02002
PACS Number(s) 61.80. – x, 78.60.Fi
Ключові слова Світлодіод (8) , GaP (45) , Електролюмісценція, Вольт-амперні характеристики (16) , Спектральні характеристики (5) , Опромінення (28) .
Анотація

У роботі наведені результати досліджень оптичних та електрофізичних характеристик зелених СД GaP, вирощених подвійною рідинною епітаксією. На низькотемпературних спектрах електролюмісценції в межах 530-590 нм виявлена структура з λ1 = 542 нм, λ2 = 554 нм, λ3 = 576 нм та λ4 = 584 нм, одержані інжекційні характеристики для перерахованих довжин хвиль. Зроблені порівняльні оцінки радіаційної стійкості випромінювань з λ1 = 542 нм і λ3 = 576 нм, а також величин диференційних опорів діодів на ділянках ВАХ з додатнім та від'ємним опором. Розглянуто результати впливу електронного опромінення на зворотні струми СД, а саме: розширення передпробійної ділянки ВАХ та зсув пробійного каналу у бік вищих напруг. Робота також містить матеріали досліджень відновлення електрофізичних характеристик опромінених діодів, спричинених ізохронним відпалом.

Перелік посилань