| Автори | Т.М. Загородня1 , Л.А. Кот2, О.О. Краснянський2, П.М. Павловський2, Д.П. Стратилат3, В.П. Тартачник3 |
| Афіліація |
1Сумський державний університет, 40000, Суми, Україна 2Український державний університет імені Михайла Драгоманова, 02000, Київ, Україна 3Інститут ядерних досліджень, 02000, Київ, Україна |
| Е-mail | l.a.kot@udu.edu.ua |
| Випуск | Том 18, Рік 2026, Номер 2 |
| Дати | Одержано 05 січня 2026; у відредагованій формі 21 квітня 2026; опубліковано online 29 квітня 2026 |
| Цитування | Т.М. Загородня, Л.А. Кот, О.О. Краснянський, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 18 № 2, 02002 (2026) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.18(2).02002 |
| PACS Number(s) | 61.80. – x, 78.60.Fi |
| Ключові слова | Світлодіод (8) , GaP (45) , Електролюмісценція, Вольт-амперні характеристики (16) , Спектральні характеристики (5) , Опромінення (28) . |
| Анотація |
У роботі наведені результати досліджень оптичних та електрофізичних характеристик зелених СД GaP, вирощених подвійною рідинною епітаксією. На низькотемпературних спектрах електролюмісценції в межах 530-590 нм виявлена структура з λ1 = 542 нм, λ2 = 554 нм, λ3 = 576 нм та λ4 = 584 нм, одержані інжекційні характеристики для перерахованих довжин хвиль. Зроблені порівняльні оцінки радіаційної стійкості випромінювань з λ1 = 542 нм і λ3 = 576 нм, а також величин диференційних опорів діодів на ділянках ВАХ з додатнім та від'ємним опором. Розглянуто результати впливу електронного опромінення на зворотні струми СД, а саме: розширення передпробійної ділянки ВАХ та зсув пробійного каналу у бік вищих напруг. Робота також містить матеріали досліджень відновлення електрофізичних характеристик опромінених діодів, спричинених ізохронним відпалом. |
|
Перелік посилань |