Аналіз продуктивності структурованого n-i-p та p-i-n перовскітного сонячного елемента без свинцю на основі Cs2TiI6
| Автори | K. Chakraborty1 , R. Narmadha2, Islom Kadirov3, Visalakshi Narapareddi4, Ranjan Kumar Mahapatra5 , Karedla Chitambara Rao6 |
| Афіліація |
1Department of Electrical Engineering, IMPS College of Engineering and Technology, Malda, W.B, India 2Department of Mechatronics, Sathyabama Institute of Science and Technology, Chennai, T.N, India 3Department of Transport Systems, Urgench State University, Urgench, Uzbekistan 4School of Business, Aditya University, Surampalem, A.P, India 5Department of Electronics and Communication Engineering, Koneru Lakshmaiah Education Foundation, Guntur, A.P, India 6Department of Electronics and Communication Engineering, Aditya Institute of Technology and Management, Tekkali, A.P., India |
| Е-mail | kunal.eiilm.vu@gmail.com |
| Випуск | Том 18, Рік 2026, Номер 2 |
| Дати | Одержано 25 січня 2026; у відредагованій формі 19 квітня 2026; опубліковано online 29 квітня 2026 |
| Цитування | K. Chakraborty, R. Narmadha та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 18 № 2, 02022 (2026) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.18(2).02022 |
| PACS Number(s) | 88.40.jm |
| Ключові слова | Cs2TiI6, Перовскіт (21) , EQE (3) , PV (30) , Товщина (19) , PCE (8) . |
| Анотація |
У цій роботі показано розробку фотоелектричної моделі PSC на основі FTO/TiO2/Cs2TiI6/Spiro-OMeTAD/Au з n-i-p структурою та p-i-n структурою на основі FTO/PEDOT:PSS/Cs2TiI6/PCBM/Al. Матеріал PSC, товщина Cs2TiI6, температура пристрою та оптична видимість досліджувалися за оптимальних умов для моделей з n-i-p та p-i-n структурою за допомогою симулятора ємності сонячних елементів зі спектром 1,5 Г – 1 вимір (SCAPS-1D). Модель n-i-p (звичайна) показала, що PSC на основі Cs2TiI6 має оптимальну фотоелектричну продуктивність при товщині 500 нм, де фотоелектрична продуктивність зафіксована як VOC: 0,76 В, JSC: 13,69 мА/см2, PCE: 7,6 % та FF: 76 %, а модель p-i-n (інвертована) показала, що PSC на основі Cs2TiI6 має найвищу фотоелектричну продуктивність при товщині 400 нм, де фотоелектричні індекси зафіксовані як VOC: 0,63 В, JSC: 14,22 мА/см2, PCE: 6,7 % та FF: 70 %. З іншого боку, як моделі PSC на основі n-i-p-структури FTO/TiO2/Cs2TiI6/Spiro-OMeTAD/Au, так і моделі PSC на основі p-i-n-структури FTO/PEDOT:PSS/Cs2TiI6/PCBM/Al мають оптимальну температуру пристрою на рівні 30 °C. Видимий діапазон для моделі n-i-p та пристрою на основі моделі p-i-n становить довжину хвилі 1000 нм та 900 нм відповідно. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Кінетика росту згустків Ag на мікрокристалах AgBr під дією фемтосекундного імпульсного лазерного випромінювання [02001-1-02001-7]2) Радіаційні дефекти у зелених світлодіодах GaP [02002-1-02002-5]
3) Вплив будови і властивостей перехідної зони між матрицею і наповнювачем на руйнування композиційних покриттів при терті [02003-1-02003-7]
4) Моделювання поширення хвиль у циліндричному хвилеводі з нелінійного метаматеріалу типу Керра за допомогою методу скінченних різниць у часовій області допоміжних диференціальних рівнянь [02004-1-02004-11]
5) Обчислювальна основа на медичних зображеннях для картографування електромагнітного поля та оцінки коефіцієнта питомого коефіцієнта поглинання (SAR) у біологічних тканинах [02005-1-02005-5]
6) Ефект саморозігрівання в GaN діоді з варізонною InGaN мезаструктурою [02006-1-02006-6]
7) Проєктування та аналіз надкомпактної трищілинної шестикутної патч-антени для застосувань в ІоТ у ТГц діапазоні [02007-1-02007-7]
8) Удосконалення чотирьохзондових вимірювань неоднорідних матеріалів [02008-1-02008-5]
9) Термодинамічне моделювання фазового складу структур Si/SiОx, отримуваних фазовим розділенням нестехіометричних оксидів кремнію [02009-1-02009-6]
10) Проєктування та оцінка продуктивності компактної чотирипортової mmWave MIMO-патч-антени, що інтегрує протокол MQTT на частоті 6,6 ГГц у 5G-застосуваннях [02010-1-02010-5]
11) Нанотехнології у ранньому виявленні раку та точній діагностиці: досягнення в нанотехнологіях, технологіях та клінічному застосуванні [02011-1-02011-7]
12) Використання затворів та каналів у графеновому тунельному польовому транзистори (GTFET) у наномасштабі для покращення продуктивності пристроїв [02012-1-02012-5]
13) Незалежні RFID-мітки без орієнтації чіпа з використанням кільцевих структур з квадратними щілинами [02013-1-02013-6]
14) Широкосмугова шестернеподібна щілинна чотирипортова MIMO-антена на підкладці ITO з покращеною ізоляцією за допомогою паразитних впливів для застосувань 5G/WLAN у діапазоні менше 6 ГГц [02014-1-02014-5]
15) Оцінка нанобіосенсорів наступного покоління для виявлення небезпечних біологічних маркерів при захворюваннях [02015-1-02015-5]
16) Низькопрофільна кругла патч-антена у формі півмісяця для застосувань у діапазоні менше 6 ГГц [02016-1-02016-4]
17) Покращення структурних та фізичних властивостей гібридних нанокомпозитів Al 7075–карбід бору–діоксид цирконію [02017-1-02017-7]
18) DGTFET: метод підвищеної чутливості для біосенсорики без міток [02018-1-02018-5]
19) Термокерований трисмуговий метаматеріальний ідеальний поглинач на основі діоксиду ванадію (VO2) для застосування в терагерцовому зв'язку [02019-1-02019-5]
20) Аналіз низькопрофільної шестикутної патч-антени для бездротового зв'язку наступного покоління [02020-1-02020-4]
21) Багатодіапазонна двослотова кругла кільцева мікросмужкова патч-антена з живленням від CPW для застосувань у міліметровому діапазоні 5G [02021-1-02021-5]
22) Залежні від матеріалу варіації сенсибілізації протонного опромінення, опосередкованої наночастинками [02023-1-02023-6]
23) Оптична реакція наноплівок золота та хрому, що залежить від товщини: дослідження ефективності плазмонного зондування [02024-1-02024-5]
24) Електропровідність тонких плівок сплавів CoNi та FeNi [02025-1-02025-7]
25) Польовий транзистор на основі плівки відновленого оксиду графену з поглинаючими шарами ZnO та поруватого кремнію для виявлення іонізуючого випромінювання [02026-1-02026-5]
26) Компактна широкосмугова мікросмужкова патч-антена з використанням часткової заземлювальної площини для застосувань міліметрового діапазону 28 ГГц [02027-1-02027-6]
27) Покращення захоплення світла, кероване TCAD, у кремнієвих фотоелектричних елементах за допомогою спроектованих геометрій наноотворів [02028-1-02028-5]
28) Застосування наночастинок заліза для відновлення хрому [02029-1-02029-8]
29) Структурні та оптичні властивості наностержнів ZnO, синтезованих за допомогою екстракту тулші (Ocimum tenuiflorum): екологічний підхід [02030-1-02030-5]
30) Дослідження електричної поведінки одноперехідних сонячних елементів GaAs/Ge [02032-1-02032-7]
31) Вплив золь-гель обробки та відпалу на нанокристалічні тонкі плівки TiO2 для фотоелектричних застосувань [02033-1-02033-4]
32) Магнітоопір в магнітовпордякованих «симетричних» та «несиметричних» сендвічах з ультратонкими прошарками [02034-1-02034-6]
33) Оптимізація відбивної здатності в біізотропних багатошарових дзеркалах: роль співвідношень хіральних та теллегенівських параметрів [02035-1-02035-6]
34) Моделювання впливу розмірів пор на механічні властивості композитів з металевою матрицею, армованих частинками SiC [02036-1-02036-5]
35) Аналіз методом скінченних елементів оптимізованих наноматеріалів Fe2O3 під дією прикладеного механічного тиску [02037-1-02037-4]
36) Властивості тонких плівок ZnO, легованих Sn, створених шляхом піролізу сонячного розпилення для фотоелектричних застосувань [02038-1-02038-5]
