Двосмуговий поляризаційно-нечутливий метаматеріальний поглинач на основі діоксиду ванадію для терагерцових застосувань
| Автори | Mahesh Valathuru1, Pokkunuri Pardhasaradhi1, Suresh Dannana2, Nagandla Prasad2, B.T.P. Madhav1 , Sudipta Das3 |
| Афіліація |
1ALRC Research Centre, Department of ECE, Koneru Lakshmaiah Education Foundation, Guntur, Andhra Pradesh, India 2Department of Electronics and Communication Engineering, GMR Institute of Technology, Rajam, 532127 Andhra Pradesh, India 3Department of Electronics and Communication Engineering, IMPS College of Engineering and Technology, Malda 732103 West Bengal, India |
| Е-mail | pspokkunuri@kluniversity.in |
| Випуск | Том 17, Рік 2025, Номер 2 |
| Дати | Одержано 12 лютого 2025; у відредагованій формі 18 квітня 2025; опубліковано online 28 квітня 2025 |
| Цитування | Mahesh Valathuru, Pokkunuri Pardhasaradhi, Suresh Dannana, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 17 № 2, 02021 (2025) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.17(2).02021 |
| PACS Number(s) | 78.67.Pt, 87.50.U |
| Ключові слова | Абсорбент, Метаматеріал (18) , Діоксид ванадію (VO2). |
| Анотація |
Метою цього дослідження є ретельне проектування та аналіз метаматеріальних поглиначів ТГц на основі діоксиду ванадію (VO2). Тришарові конструкції запропонованих метаматеріальних поглиначів (ММА) включають випромінюючий елемент з діоксиду ванадію (VO2) товщиною 0,2 мкм, діелектричну підкладку з полііміду з діелектричною проникністю 3,5 та заземлювальний провідний шар золота (Au) з електропровідністю 4,56e + 0,7 См/м для запобігання поширенню електромагнітних хвиль. Загальний розмір запропонованої структури становить 34 × 36 × 7,4 мкм³. Дві пікові частоти поглинання, на яких працює елементарний елементарний ММА, становлять 4,4 ТГц та 9,68 ТГц. Максимальні відсотки поглинання в робочих діапазонах частот становлять 96 % та 98 %, і вони охоплюють діапазон від 4 до 4,8 ТГц та від 9,5 до 11,4 ТГц відповідно. Дуже корисно зрозуміти явища провідності випромінюючої плями VO2, щоб досягти високого відсотка поглинання для відповідної смуги частот поглинання. Крім того, перевіряється нечутливість поглинання до кута поляризації. Додатково проводиться параметричний аналіз для різних конструктивних параметрів на поглинальну характеристику запропонованого поглинача. Крім того, представлено вплив кута поляризації на поглинання для TE- та TM-мод. Запропонований двосмуговий терагерцовий поглинач може бути придатним для маскування, візуалізації, детектування та електромагнітного екранування. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Інновації та застосування у технологіях наносенсорів: короткий огляд [02001-1-02001-10]2) Прогнозування фізичної поведінки модифікованої вісмутом халькогенідної системи Se-Ge [02002-1-02002-4]
3) Проєктування та впровадження фрактальної біосенсорної антенної системи на основі дерева для бездротового дистанційного моніторингу пацієнтів [02003-1-02003-6]
4) Кубічно-нелінійна теорія супергетеродинного параметричного H-убітронного ЛВЕ з секцією підсилення повздовжніх хвиль просторового заряду [02004-1-02004-6]
5) Вплив взаємодії між адсорбованими частинками та підкладкою на статистичні властивості поверхневих структур при конденсації [02005-1-02005-6]
6) Вплив геометрії на термоплазмонні явища у металевих наночастинках [02006-1-02006-11]
7) Удосконалений підсилювач чутливості малої потужності з використанням методу від-новлення рівнів та порівняння продуктивності з існуючими топологіями за технологією 32 нм [02007-1-02007-8]
8) Моделювання і аналіз тепловідведення в компактних маршрутизаторах: ефективність радіаторів та корпусних перфорацій [02008-1-02008-8]
9) Трансляційні двійники та незвичайна класифікація нітратів двовалентних елементів [02009-1-02009-4]
10) Особливості окиснення та відпалу наночастинок заліза, отриманих способом EB-PVD на підкладці, що обертається [02010-1-02010-6]
11) Характеристика та оптимізація Si0.75Ge0.25-FinFET на основі робочої температури та довжини затвора [02011-1-02011-7]
12) Вплив тривалості імпульсу лазерної абляції на морфологічні властивості наночастинок золота, нанесених на пористий кремній [02012-1-02012-6]
13) Вплив лазерного термоциклювання на еволюцію структури ітриботехнічні властивості плазмових покриттів [02013-1-02013-5]
14) Вплив одноосного стиснення на умови збудження та параметри низькочастотних автоколивань струму в компенсованому кремнії [02014-1-02014-6]
15) Відбиття двостороннього пористого кремнію з макропорами або нанодротинами [02015-1-02015-7]
16) Проектування та моделювання мікросмужкової патч-антени для міжповітряного зв’язку в УВЧ, L-діапазоні та S-діапазоні [02016-1-02016-7]
17) Оцінка комплексної діелектричної проникності будівельних матеріалів на частотах X-діапазону [02017-1-02017-5]
18) Нова конфігурація низькочастотного фільтра (LPF) на основі квадратних додаткових розщеплених кільцевих резонаторів (CSRR) [02018-1-02018-5]
19) Широкосмугова щілинна мікросмужкова антена з дефектною опорною поверхнею (DGS) для високошвидкісних міліметрових застосувань 5G [02019-1-02019-5]
20) Дослідження елементного складу тонких нанокристалічних плівок сплавів CoNi та FeNi методом рентгеноспектрального мікроаналізу [02020-1-02020-8]
21) Одноелементна 6,6 ГГц 2 x 4 масивна антена MIMO в пристроях 6G [02022-1-02022-5]
22) Тридіапазонна квадратна багатослотова патч-антена з дефектною заземлювальною структурою для застосувань у діапазонах C, X та Ku [02023-1-02023-5]
23) Проектування та розробка чотириелементної багатодіапазонної мікросмужкової антени MIMO для застосувань LTE/5G [02024-1-02024-6]
24) Ультрафіолетовий фотодетектор на основі наноструктурованих плівок йодиду міді, нанесених автоматичним методом SILAR [02025-1-02025-7]
25) Багатодіапазонна робоча антена в ультраширокосмуговому (UWB) діапазоні з підходом до модифікації підкладки [02026-1-02026-6]
26) Модель контролю якості електровідцентрових нанофібрових матеріалів на основі аналізу зображень [02027-1-02027-6]
27) Стійкість до високотемпературної газової корозії хромоалітованих покриттів з шаром (Ti, Zr)N на нікелі [02028-1-02028-7]
28) Енергоефективне проєктування FPGA через динамічне масштабування напруги та частоти для носимих пристроїв [02029-1-02029-6]
29) Перспективи спінтроніки на основі напівгейслерового сплаву MnAuSn: дослідження магнітних та електронних властивостей за допомогою DFT і гібридних функціоналів [02030-1-02030-5]
30) Температурний коефіцієнт опору нанорозмірних матеріалів для елементів гнучкої електроніки [02031-1-02031-4]
31) Вплив типу золи та матриці на теплопровідність полімерних композитів [02032-1-02032-6]
