Удосконалений підсилювач чутливості малої потужності з використанням методу від-новлення рівнів та порівняння продуктивності з існуючими топологіями за технологією 32 нм

Підсилювачі зчитування (SA) є важливими в периферійних схемах статичної оперативної пам'яті (SRAM). Вони підвищують швидкість роботи, мінімізують споживання енергії та зменшують час доступу. У цій статті представлено модифікований та вдосконалений підсилювач зчитування з подвійним перемиканням рівнів напруги відновлення (DSLR-VMSA). Для моделювання конструкції використовувалися робоча напруга 1,8 В та 32-х наномтеровий технологічний вузол. Порівняльний аналіз з усталеними топологіями підсилювачів зчитування за такими параметрами, як споживання енергії, енергоефективність, затримка та струмові характеристики, показує переважну продуктивність DSLRA-SA. Примітно, що ця вдосконалена схема досягає споживання енергії 6,7 мкВт, що вдвічі менше, ніж у звичайного підсилювача зчитування з перехресним зв'язком напруги та фіксацією (CCVLSA). Показники енергії та затримки також демонструють помітні покращення. Дослідження включає поглиблений аналіз, такий як розмірний, метод Монте-Карло та температурний аналіз, а також оцінку впливу транзисторів сну, для підтвердження продуктивності покращеного підсилювача сну. Включення транзисторів сну в модифіковану конструкцію додатково зменшує споживання енергії, затримку та енергоспоживання, значно підвищуючи загальну продуктивність. Результати підкреслюють придатність та перевагу покращеного SA, особливо для застосувань малопотужних CMOS SRAM.