Вплив мікросекундного імпульсного гелієвого плазмового потоку на морфологію поверхні та кристалічну структуру фотоелектричних перетворювачів на основі CdS/CdTe

Автори Г.С. Хрипунов1,2, М.М. Харченко1 , А.В. Меріуц1, Ж.Ф. Карлен2, В.А. Махлай3, С.С. Геращенко3, С.Л. Абашин4, С.В. Суровіцкий1, О.O. Пудов3, А.І. Доброжан1
Приналежність

1Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», 61002 Харків, Україна

2Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne, CH-1015 Lausanne, Switzerland

3Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут», 61108, Харків, Україна

4Національний аерокосмічний університет «Харківський авіаційний інститут", 61070, Харків, Україна

Е-mail khrip@ukr.net
Випуск Том 16, Рік 2024, Номер 3
Дати Одержано 10 січня 2024; у відредагованій формі 14 червня 2024; опубліковано online 28 червня 2024
Посилання Г.С. Хрипунов, М.М. Харченко, А.В. Меріуц, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 3, 03001 (2024)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.16(3).03001
PACS Number(s) 81.05.Dz, 81.40.Wx
Ключові слова Фотоелектричні перетворювачі (7) , Тонка плівка (25) , Телурид кадмію (7) , Радіаційна стійкість (3) , Тверді розчини (13) .
Анотація

Досліджено вплив імпульсного опромінення гелієвої плазми тривалістю 10 мкс і поверхневим енергетичним навантаженням 0,2 МДж м –2 на елементно-фазовий склад, морфологію поверхні та кристалічну структуру тонкоплівкових гетеросистем на основі CdS/CdTe. Шари сульфіду кадмію та теллуриду кадмію були нанесені шляхом конденсації за допомогою методу гарячої стінки на скляну підкладку, покриту шаром FTO. Встановлено, що після одного імпульсу конструкція приладу залишається в робочому стані. Збільшення дози опромінення призводить до розпилення поверхні, утворення наскрізних пор розміром 0,5 – 2 мкм і сітки мікротріщин з двома характерними лусочками. Одна сітка тріщин утворюється в скляній підкладці, а друга – з тріщинами в плівці CdTe. Показано, що теплова дія плазми стимулює дифузію сірки; внаслідок цього збільшується частка твердих розчинів CdTe1-xSx, що утворюються в процесі отримання гетеросистеми CdS/CdTe. Крім того, у цих твердих розчинах підвищується вміст сірки, що призводить до їх розкладання з виділенням фази твердого розчину CdS1-yTey. Ці тверді розчини мігрують до поверхні CdTe через тріщини і спостерігаються як окремі кристали.

Перелік посилань