Автори | S.A. Najim |
Афіліація |
University of Mosul, 41002 Mosul, Iraq |
Е-mail | suhaabdullah@uomosul.edu.iq |
Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 3 |
Дати | Одержано 19 квітня 2024; у відредагованій формі 20 червня 2024; опубліковано online 28 червня 2024 |
Цитування | S.A. Najim, Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 3, 03032 (2024) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(3).03032 |
PACS Number(s) | 88.40.H –, 88.40.jm |
Ключові слова | Тонкі плівки (71) , Сонячні елементи (17) , Гетероперехід CdSe, Наноструктури (23) . |
Анотація |
Кремнієвий напівпровідник p-типу використовується як поглинаючий шар в сонячних елементах. У цій роботі було досліджено вплив товщини CdSe (0,1, 0,5, 1, 1,5, 2, 2,5, 3 нм) на електричні параметри та ефективність перетворення сонячних елементів CdSe/Si, виготовлених методом хімічного осадження у ванні, до та після відпалу при 873 К протягом однієї години. Було виявлено, що щільність струму короткого замикання, напруга холостого ходу та ефективність перетворення збільшуються зі збільшенням товщини CdSe. Максимальне значення ефективності досягало приблизно 5,31% при товщині CdSe 3 нм. Після відпалу ефективність перетворення була покращена і склала 8,74%. Додатково досліджені характеристики щільності струму напруги сонячної батареї в темряві. Було виявлено, що інтенсивність для всіх піків зменшується після процесу відпалу при температурі 873 К. |
Перелік посилань |