Перспективи отримання нового матеріалу з гетеробаричною структурою GexSi1 – x-Si на основі кремнію для застосування у фотоенергетиці
| Автори | G.A. Kushiev , B.O. Isakov , U.X. Mukhammadjonov |
| Афіліація |
Tashkent State Technical University, 100095 Tashkent, Uzbekistan |
| Е-mail | giyosiddinabdivaxobogli@gmail.com |
| Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 3 |
| Дати | Одержано 15 квітня 2024; у відредагованій формі 14 червня 2024; опубліковано online 28 червня 2024 |
| Цитування | G.A. Kushiev, B.O. Isakov, U.X. Mukhammadjonov, Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 3, 03003 (2024) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(3).03003 |
| PACS Number(s) | 61.72.uf, 81.05.Cy |
| Ключові слова | Дифузія (34) , Германій (8) , Кремній (92) , Марганець (3) , Гетероструктури (9) , Елементний аналіз. |
| Анотація |
У даній роботі визначено технологічні параметри та процеси для отримання сплавів GexSi1 – x дифузійним методом шляхом введення атомів германію в монокристалічний кремній. Результати досліджень свідчать про те, що параметри отриманих сплавів GexSi1 – x відрізняються від параметрів вихідного кремнію, зокрема змінюються значення енергії забороненої зони кремнію. Елементний аналіз поверхонь зразків виявив концентрацію кремнію (в атомних відсотках) приблизно ~ 70,66 % і германію ~ 29,36 %. Для виготовлення та дослідження параметрів кремнієвих сонячних елементів з гетероструктурами GexSi1 – x–Si використовувалися зразки, отримані двома різними методами. У першому методі p-n-перехід формувався введенням домішкових атомів фосфору у вихідний кремній p- тип марки кремнію. У другому методі p-n-перехід був утворений шляхом дифузії бору у вихідний кремній марки SEPH (кремнієвий електронний тип, легуючий матеріал фосфору). В обох випадках глибина p-n-переходу становила від 0,5 до 6 мкм. Також було показано, що бінарні сполуки GexSi1 – x є новим матеріалом для сучасної електроніки; показана можливість формування на їх основі нових електронних пристроїв та функціональних високоефективних сонятних елементів.Kлючові слова: Дифузія, Германій, Кремній, Марганець, Гетероструктури, Елементний аналіз. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив мікросекундного імпульсного гелієвого плазмового потоку на морфологію поверхні та кристалічну структуру фотоелектричних перетворювачів на основі CdS/CdTe [03001-1-03001-8]2) Дослідження нової дводіапазонної копланарної щілинної антени на основі додаткових метаматеріальних резонаторів для бездротового зв’язку [03002-1-03002-5]
3) Керування за допомогою дефектів перемикання поверхні масиву нанодротів ZnO з гідрофобної на гідрофільну: розрахунки із перших принципів [03004-1-03004-7]
4) Мініатюрний мікрохвильовий біосенсор на основі метаматеріального резонатора з високим коефіцієнтом якості для характеристики твердих матеріалів [03005-1-03005-5]
5) Удосконалений дизайн антени MIMO 2 × 1 для бездротового зв’язку 5G з інтеграцією еквівалентної схеми [03006-1-03006-5]
6) Інтеграція бінарного пошуку несучої з матрицею Гільберта (BSS – HBM) 5G MIMO-антени 39 ГГц [03007-1-03007-5]
7) Мініатюризована Т- та перевернута T-щілинна ультраширокосмугова антена з системою DG для 5G зв'язку [03008-1-03008-7]
8) Компактний фільтр на основі SIW для додатка Sub 6GHZ діапазону [03009-1-03009-4]
9) Розробка та аналіз двох модифікованих елементів MIMO -антени для 5G застосувань [03010-1-03010-5]
10) Синтез та характеристики оксиду оксиду графену з електронною поведінкою [03011-1-03011-5]
11) Розробка дводіапазонної мікросмужкової патч-антени з прямокутним отвором для програми наступного покоління12-35 ТГц [03012-1-03012-4]
12) Дослідження шестиелементної дипольної антени для додатків бездротового зв’язку діапазону ISM [03013-1-03013-5]
13) Розмірно-залежні фізичні властивості металевих плівок: аналіз теплових і механічних характеристик у нанорозмірному режимі [03014-1-03014-5]
14) Нанозернисті металеві тонкі плівки: розкриття нелінійної електричної провідності та резистивного перемикання для нейроморфних застосувань [03015-1-03015-5]
15) Покращення нанокомпозитних фільтраційних мембран: удосконалений підхід SVM для точної оцінки потоку пермеату та відторгнення забруднень [03016-1-03016-5]
16) Методи визначення якості поверхневих вод [03017-1-03017-5]
17) Цезій-титан йодид (Cs2TiI6) видимого світла: подвійна деградація перовскітного фотокаталітичного барвника [03018-1-03018-6]
18) Smart навігація: сенсорний вибір точки доступу для автоматизованих керованих транспортних засобів [03019-1-03019-5]
19) Електрохімічне та термодинамічне дослідження препарату Сольфарлем як інгібітора корозії для нікель-фосфорних покриттів [03020-1-03020-5]
20) Дослідження теплових характеристик наноматеріалів із функціональною градацією для покращеного розсіювання тепла в електронних пристроях [03021-1-03021-5]
21) Ідентифікація несправності перемикача GTO в інверторі джерела напруги в інтегрованій фотоелектричній мережі [03022-1-03022-5]
22) Експериментальне дослідження структурних, морфологічних та оптичних властивостей нанокомпозитних матеріалів для застосування в діелектриках [03023-1-03023-5]
23) Розробка функціональних тканин з нанометалевими покриттями для багаторазового використання шляхом дослідження їх електромагнітних та ультрафіолетових властивостей [03024-1-03024-6]
24) Підвищення ресурсу водного транспорту під впливом теплового поля шляхом використання модифікованих епоксидних наноматеріалів [03025-1-03025-7]
25) Розробка та аналіз монопольної антени з розділеним кільцем на основі концентричного кільця з аналізом характерних режимів (CMA) для додатків зв’язку IoT [03026-1-03026-6]
26) Оцінка параметрів оптимізації для передачі відео через оптичне волокно з використанням кодера H265/HEVC у програмах потокового відео [03027-1-03027-7]
27) Вивчення оптичних властивостей та структурних особливостей об'єктів методом рентгенівського фазового контрасту [03028-1-03028-6]
28) Вимірювання малої варіації ефективного опору MOSFET під час активної роботи інвертора в мікромережі [03029-1-03029-5]
29) Імплантат внутрішнього вуха людини з акустичним каналом передачі інформації [03030-1-03030-8]
30) Релаксація електронного збудження в молекулах триазидів [03031-1-03031-5]
31) Виготовлення тонкоплівкових сонячних батарей на основі CdSe/Si методом CBD [03032-1-03032-3]
