Синтез та характеристики оксиду оксиду графену з електронною поведінкою

Оксид графену (GO) синтезується за допомогою вдосконаленого методу Хаммерса, підвищуючи його розчинність, дисперсність та реакційну здатність, вводячи кисневі функціональні групи. Процес передбачає окислення очищених природних графітових пластівців з подальшим сольвотермальним лікуванням. Відлущування оксиду графіту в дистильованій воді за допомогою ультразвукових хвиль призводить до утворення тонкої плівки оксиду графену. Цей метод оптимізує виробництво GO, використовуючи його унікальні властивості для різних застосувань у матеріалознавстві та нанотехнології. Структурні та фізико-хімічні характеристики матеріалів аналізували за допомогою рентгенівської порошкової дифракції (XRD), трансформації Фур'є (FTIR), скануючої електронної мікроскопії (SEM) та ультрафіолетової спектроскопії (УФ-ВІЗ). XRD Peak вказав на міжшаровий інтервал 0,83 нм. Аналізи FTIR та Рамана виявили введення атомів кисню в графітовий шар, утворюючи різні хімічні зв’язки, такі як C-H, OH, C = O, C-O-C та COOH з графеном. Зображення SEM проілюстрували утворення ультратонких та однорідних графенових плівок. Ультрафіолетові спектри GO демонстрували чіткий пік поглинання приблизно на 239 нм, що відповідає переходу атомного зв'язку C-C та при 301 нм, який відповідає переходу ароматичних зв'язків C-C. Електрохімічна поведінка склоподібного вуглецевого електрода, модифікованого з GO, була досліджена за допомогою системи окислювально -відновної пари . Результати показали, що процес передачі електронів контролював електрохімічну поведінку.