Формування регулярних доменних структур у сегнетоелектриках при перемиканні поляризації у сильнонерівноважних умовах
| Автори | Л.І. Стефанович, О.Ю. Мазур |
| Афіліація | Інститут фізики гірничих процесів НАН України, вул. Сімферопольска, 2а, 49005 Дніпро, Україна |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 2 |
| Дати | Одержано 14.03.2017, у відредагованій формі - 26.04.2017, опубліковано online - 28.04.2017 |
| Цитування | Л.І. Стефанович, О.Ю. Мазур, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 2, 02032 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(2).02032 |
| PACS Number(s) | 64.60.Cn, 64.70.Kb |
| Ключові слова | Сегнетоелектрик (5) , Параметр порядку (5) , Електричне поле (11) , Високочастотне поле, Регулярна доменна структура, Монодоменна структура, Полідоменна структура, Еволюційні криві. |
| Анотація | На прикладі кристалів танталата літію (LiTaO3), що зазнає сегнетоелектричний фазовий перехід другого роду типа порядок-непорядок, в рамках моделі Гінзбурга-Ландау розглянуто кінетика формування регулярних доменних структур (РДС) під впливом високочастотного електричного поля. Зважаючи на нелінійність отриманих рівнянь був проведений чисельний аналіз, який показав, що можливе формування монодоменного і полідоменного станів впорядкування, а також проміжних асиметричних «віртуальних» полідоменних структур. Шляхом чисельних розрахунків встановлено, що існує деяка порогова частота електричного поля, вище за яку система еволюціонує до полідоменного типу впорядкування. Показано, що при високих частотах формується симетрична термодинамічно стабільна РДС. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Effect of Single and Double Layer Antireflection Coating to Enhance Photovoltaic Efficiency of Silicon Solar [02001-1-02001-4]2) Sonochemical Synthesis of AgInS2 Quantum Dots and Characterisation [02002-1-02002-4]
3) Assessment of the H2 Followed by Air Sintering of Co-doped In2O3 Based Diluted Magnetic Semiconductors [02003-1-02003-3]
4) Analysis on Solar Panel Crack Detection Using Optimization Techniques [02004-1-02004-6]
5) Effect the Technique of Light Trapping on the Performance of Simple Junction n-p Solar Cells Based on GaAs and Si [02005-1-02005-3]
6) Smoluchowski Formulation for Simulation of Nano Core-Shell Structure Creation in Nanoparticle Fabrication by Laser Ablation in Liquid Media Process [02006-1-02006-4]
7) Отримання нанокристалів ZnS:Mn методом самопоширюваного високотемпературного синтезу [02007-1-02007-4]
8) Гнучкі сонячні елементи на основі базових шарів СdТe, отриманих методом магнетроного розпилення [02008-1-02008-5]
9) Отримання нанокомпозиту анатаз / брукіт з контрольованими структурно- морфологіч-ними характеристиками [02009-1-02009-6]
10) Керована смугопропускна лінія передачі на основі одновісних монокристалічних гексаферитів в доменній області [02010-1-02010-5]
11) Cтруктура та сорбційні характеристики порошків феритів NiCrxFe2 – xO4 [02011-1-02011-7]
12) Енергетичний спектр сигналів акустичної емісії нанорозмірних об'єктів [02012-1-02012-4]
13) Two-Dimensional Graphene Superlattice:Energy Spectrum and Current-Voltage Characteristics [02013-1-02013-4]
14) Вплив синтетичних дискретних волоконна властивості епоксидних композитів для захисних покриттів [02014-1-02014-5]
15) Вплив танталу на текстуру вакуумних конденсатів міді [02015-1-02015-4]
16) Вплив домішки бору на структуру та механічні властивості гафнію [02016-1-02016-5]
17) The Exact Nonrelativistic Energy Eigenvalues for Modified Inversely Quadratic Yukawa Potential Plus Mie-type Potential [02017-1-02017-7]
18) Термостимульована люмінесценція нанодротів ZnO [02018-1-02018-3]
19) Thermally Evaporated Tin Oxide Thin Film for Gas Sensing Applications [02019-1-02019-4]
20) Тонкі плівки аморфних молекулярних напівпровідників для створення поверхневих темплатів упорядкованих структур [02020-1-02020-6]
21) Магніторезистивний ефект у гранульованих плівкових сплавах на основі Ag і Fe або Со [02021-1-02021-4]
22) Фотолюмінісцентні властивості PECVD плівок на основі Si, C, N [02022-1-02022-6]
23) Температурна залежність спектрів ЯКР і параметрів кристалічної гратки InSe [02023-1-02023-4]
24) Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщиниквантового напівпровідникового дроту [02024-1-02024-4]
25) Оствальдівське дозрівання квантових точок InAsSbР у рамках модифікованої теорії ЛСВ [02025-1-02025-6]
26) Методика отримання та властивості зносостійких покриттів на основі Ti і N та Ti, Al і N [02026-1-02026-7]
27) Перехідні процеси в мікроелектронних композиціях Ag-Ge-In/n-GaAs [02027-1-02027-5]
28) Про критичний розмір переходу феромагнетика в однодоменний стан [02028-1-02028-17]
29) Зниження міжфазного перемішування в багатошарових рентгенівських дзеркалах Sс/Si [02029-1-02029-6]
30) Розрахунки електронної структури об’ємних кристалів і нанокристалів групи АIIВVI (CdS, CdSe) методом модельного нелокального псевдопотенціалу [02030-1-02030-7]
31) Комп'ютерне моделювання радіаційно-стимульованих структурних змін і властивості багатоперіодної системи ZrNx/MoNx [02031-1-02031-5]
32) Characterization of Thermally Oxidized Ti6Al4V Alloys for Dental Application [02033-1-02033-3]
33) Research of the Vacancy Migration Process on the Surface of BC Nanolayer [02034-1-02034-2]
