Зниження міжфазного перемішування в багатошарових рентгенівських дзеркалах Sс/Si
| Автори | Ю.П. Першин1 , О.Ю. Девізенко1, В.В. Кондратенко1 , D.L. Voronov2, E.M. Gullikson2 |
| Афіліація | 1 Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Кирпичова, 2, 61002 Харків, Україна 2 Advanced Light Source, Berkeley National Laboratory, 1, Cyclotron Road, MS 15R0217, Berkeley, CA 94720 |
| Е-mail | persh@kpi.kharkov.ua |
| Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 2 |
| Дати | Одержано 05.12.2016, у відредагованій формі - 26.04.2017, опубліковано online - 28.04.2017 |
| Цитування | Ю.П. Першин, О.Ю. Девізенко, В.В. Кондратенко, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 2, 02029 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(2).02029 |
| PACS Number(s) | 61.05.cm, 61.43.Dq, 68.65.Ac, 41.50. + h, 07.85.Fv |
| Ключові слова | Багатошарове рентгенівське дзеркало (4) , Перемішанні зони, Зменшення перемішування (2) , Тиск аргону, Збільшення відбивної здатності. |
| Анотація | Методами рентгенівської дифракції як в жорсткої ( 0,154 нм), так й в м’якої ( 11,7-50,0 нм) рентгенівських областях досліджено вплив зміни тиску аргону на міжфазне перемішування в багатошарових рентгенівських дзеркалах (БРД) Sc/Si при виготовленні. Виявлено значне зниження активності утворення перемішаних силіцидних зон з ростом тиску аргону від 1,6 до 2,4 мТорр на обох міжфазних межах, що призводить до зменшення товщини зон принаймні в 3 рази. Встановлено, що у всіх досліджених дзеркалах склад зон не змінюється та відповідає моносиліциду (ScSi). Зменшення товщини зон призводить до росту відбивної здатності БРД Sc/Si на довжині хвилі 46,9 нм щонайменше на 20 %. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Effect of Single and Double Layer Antireflection Coating to Enhance Photovoltaic Efficiency of Silicon Solar [02001-1-02001-4]2) Sonochemical Synthesis of AgInS2 Quantum Dots and Characterisation [02002-1-02002-4]
3) Assessment of the H2 Followed by Air Sintering of Co-doped In2O3 Based Diluted Magnetic Semiconductors [02003-1-02003-3]
4) Analysis on Solar Panel Crack Detection Using Optimization Techniques [02004-1-02004-6]
5) Effect the Technique of Light Trapping on the Performance of Simple Junction n-p Solar Cells Based on GaAs and Si [02005-1-02005-3]
6) Smoluchowski Formulation for Simulation of Nano Core-Shell Structure Creation in Nanoparticle Fabrication by Laser Ablation in Liquid Media Process [02006-1-02006-4]
7) Отримання нанокристалів ZnS:Mn методом самопоширюваного високотемпературного синтезу [02007-1-02007-4]
8) Гнучкі сонячні елементи на основі базових шарів СdТe, отриманих методом магнетроного розпилення [02008-1-02008-5]
9) Отримання нанокомпозиту анатаз / брукіт з контрольованими структурно- морфологіч-ними характеристиками [02009-1-02009-6]
10) Керована смугопропускна лінія передачі на основі одновісних монокристалічних гексаферитів в доменній області [02010-1-02010-5]
11) Cтруктура та сорбційні характеристики порошків феритів NiCrxFe2 – xO4 [02011-1-02011-7]
12) Енергетичний спектр сигналів акустичної емісії нанорозмірних об'єктів [02012-1-02012-4]
13) Two-Dimensional Graphene Superlattice:Energy Spectrum and Current-Voltage Characteristics [02013-1-02013-4]
14) Вплив синтетичних дискретних волоконна властивості епоксидних композитів для захисних покриттів [02014-1-02014-5]
15) Вплив танталу на текстуру вакуумних конденсатів міді [02015-1-02015-4]
16) Вплив домішки бору на структуру та механічні властивості гафнію [02016-1-02016-5]
17) The Exact Nonrelativistic Energy Eigenvalues for Modified Inversely Quadratic Yukawa Potential Plus Mie-type Potential [02017-1-02017-7]
18) Термостимульована люмінесценція нанодротів ZnO [02018-1-02018-3]
19) Thermally Evaporated Tin Oxide Thin Film for Gas Sensing Applications [02019-1-02019-4]
20) Тонкі плівки аморфних молекулярних напівпровідників для створення поверхневих темплатів упорядкованих структур [02020-1-02020-6]
21) Магніторезистивний ефект у гранульованих плівкових сплавах на основі Ag і Fe або Со [02021-1-02021-4]
22) Фотолюмінісцентні властивості PECVD плівок на основі Si, C, N [02022-1-02022-6]
23) Температурна залежність спектрів ЯКР і параметрів кристалічної гратки InSe [02023-1-02023-4]
24) Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщиниквантового напівпровідникового дроту [02024-1-02024-4]
25) Оствальдівське дозрівання квантових точок InAsSbР у рамках модифікованої теорії ЛСВ [02025-1-02025-6]
26) Методика отримання та властивості зносостійких покриттів на основі Ti і N та Ti, Al і N [02026-1-02026-7]
27) Перехідні процеси в мікроелектронних композиціях Ag-Ge-In/n-GaAs [02027-1-02027-5]
28) Про критичний розмір переходу феромагнетика в однодоменний стан [02028-1-02028-17]
29) Розрахунки електронної структури об’ємних кристалів і нанокристалів групи АIIВVI (CdS, CdSe) методом модельного нелокального псевдопотенціалу [02030-1-02030-7]
30) Комп'ютерне моделювання радіаційно-стимульованих структурних змін і властивості багатоперіодної системи ZrNx/MoNx [02031-1-02031-5]
31) Формування регулярних доменних структур у сегнетоелектриках при перемиканні поляризації у сильнонерівноважних умовах [02032-1-02032-7]
32) Characterization of Thermally Oxidized Ti6Al4V Alloys for Dental Application [02033-1-02033-3]
33) Research of the Vacancy Migration Process on the Surface of BC Nanolayer [02034-1-02034-2]
