Перехідні процеси в мікроелектронних композиціях Ag-Ge-In/n-GaAs
| Автори | В.С. Дмитрієв , Л.Б. Дмитрієва |
| Афіліація | Запорізька державна інженерна академія, пр. Соборний, 226, 69006 Запоріжжя, Україна |
| Е-mail | dems562@gmail.com |
| Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 2 |
| Дати | Одержано 22.02.2017, у відредагованій формі - 27.04.2017, опубліковано online - 28.04.2017 |
| Цитування | В.С. Дмитрієв, Л.Б. Дмитрієва, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 2, 02027 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(2).02027 |
| PACS Number(s) | 73.20. – r, 85.40.Sz, 85.30.Hi |
| Ключові слова | Арсенід галію (7) , Потрійний сплав, Омічний контакт, Питомий перехідний опір, Приконтактна область (2) , Відпал (33) , Перехідний шар (3) , Структура (228) . |
| Анотація | В даний час розуміння структури межі розділу метал-напівпровідник здебільшого будується на дослідницьких даних. Це пов'язано з різноманіттям чинників, що впливають на характер процесів, які протікають на міжфазних межах напівпровідника і шару металізації. Досліджено мікроелектронну композицію на основі потрійного сплаву Ag-Ge-In (75 % Ag, 20 % Ge, 5 % In за вагою). Матеріал підкладки епітаксійний монокристалічний n-n+ GaAs (111) В, nе.ш. 2∙1016 см – 3, рухливість 5000 см2/(В∙с). Встановлено вплив попереднього відпалу GaAs-пластини на питомий перехідний опір досліджуваного контакту. Запропоновано феноменологічну модель формування омічного контакту Ag-Ge-In/n-GaAs(111), яка дозволяє встановити залежність між параметрами контакту та режимами термообробки. Встановлено, що при взаємодії плівки потрійного сплаву з приповерхневим шаром арсеніду галію відбувається утворення надлишкового Ga, який створює зі сріблом легкоплавкі сплави та хімічні сполуки, які впливають на величину опору контакту. Термообробка структури Ag-Ge-In/n-GaAs (111) призводить до взаємодифузії Ge і Ag у приконтактну область та формуванню полікристалічної, багатофазної, дрібнозернистої і досить рівномірної плівки. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Effect of Single and Double Layer Antireflection Coating to Enhance Photovoltaic Efficiency of Silicon Solar [02001-1-02001-4]2) Sonochemical Synthesis of AgInS2 Quantum Dots and Characterisation [02002-1-02002-4]
3) Assessment of the H2 Followed by Air Sintering of Co-doped In2O3 Based Diluted Magnetic Semiconductors [02003-1-02003-3]
4) Analysis on Solar Panel Crack Detection Using Optimization Techniques [02004-1-02004-6]
5) Effect the Technique of Light Trapping on the Performance of Simple Junction n-p Solar Cells Based on GaAs and Si [02005-1-02005-3]
6) Smoluchowski Formulation for Simulation of Nano Core-Shell Structure Creation in Nanoparticle Fabrication by Laser Ablation in Liquid Media Process [02006-1-02006-4]
7) Отримання нанокристалів ZnS:Mn методом самопоширюваного високотемпературного синтезу [02007-1-02007-4]
8) Гнучкі сонячні елементи на основі базових шарів СdТe, отриманих методом магнетроного розпилення [02008-1-02008-5]
9) Отримання нанокомпозиту анатаз / брукіт з контрольованими структурно- морфологіч-ними характеристиками [02009-1-02009-6]
10) Керована смугопропускна лінія передачі на основі одновісних монокристалічних гексаферитів в доменній області [02010-1-02010-5]
11) Cтруктура та сорбційні характеристики порошків феритів NiCrxFe2 – xO4 [02011-1-02011-7]
12) Енергетичний спектр сигналів акустичної емісії нанорозмірних об'єктів [02012-1-02012-4]
13) Two-Dimensional Graphene Superlattice:Energy Spectrum and Current-Voltage Characteristics [02013-1-02013-4]
14) Вплив синтетичних дискретних волоконна властивості епоксидних композитів для захисних покриттів [02014-1-02014-5]
15) Вплив танталу на текстуру вакуумних конденсатів міді [02015-1-02015-4]
16) Вплив домішки бору на структуру та механічні властивості гафнію [02016-1-02016-5]
17) The Exact Nonrelativistic Energy Eigenvalues for Modified Inversely Quadratic Yukawa Potential Plus Mie-type Potential [02017-1-02017-7]
18) Термостимульована люмінесценція нанодротів ZnO [02018-1-02018-3]
19) Thermally Evaporated Tin Oxide Thin Film for Gas Sensing Applications [02019-1-02019-4]
20) Тонкі плівки аморфних молекулярних напівпровідників для створення поверхневих темплатів упорядкованих структур [02020-1-02020-6]
21) Магніторезистивний ефект у гранульованих плівкових сплавах на основі Ag і Fe або Со [02021-1-02021-4]
22) Фотолюмінісцентні властивості PECVD плівок на основі Si, C, N [02022-1-02022-6]
23) Температурна залежність спектрів ЯКР і параметрів кристалічної гратки InSe [02023-1-02023-4]
24) Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщиниквантового напівпровідникового дроту [02024-1-02024-4]
25) Оствальдівське дозрівання квантових точок InAsSbР у рамках модифікованої теорії ЛСВ [02025-1-02025-6]
26) Методика отримання та властивості зносостійких покриттів на основі Ti і N та Ti, Al і N [02026-1-02026-7]
27) Про критичний розмір переходу феромагнетика в однодоменний стан [02028-1-02028-17]
28) Зниження міжфазного перемішування в багатошарових рентгенівських дзеркалах Sс/Si [02029-1-02029-6]
29) Розрахунки електронної структури об’ємних кристалів і нанокристалів групи АIIВVI (CdS, CdSe) методом модельного нелокального псевдопотенціалу [02030-1-02030-7]
30) Комп'ютерне моделювання радіаційно-стимульованих структурних змін і властивості багатоперіодної системи ZrNx/MoNx [02031-1-02031-5]
31) Формування регулярних доменних структур у сегнетоелектриках при перемиканні поляризації у сильнонерівноважних умовах [02032-1-02032-7]
32) Characterization of Thermally Oxidized Ti6Al4V Alloys for Dental Application [02033-1-02033-3]
33) Research of the Vacancy Migration Process on the Surface of BC Nanolayer [02034-1-02034-2]
