Cтруктура та сорбційні характеристики порошків феритів NiCrxFe2 – xO4
| Автори | В.С. Бушкова1 , , І.П. Яремій1 , Р.П. Лісовський2 , Б.В. Карпик1 |
| Афіліація | 1 ДВНЗ «Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника», вул. Шевченка, 57, 76025 Івано-Франківськ, Україна 2 Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України, бульв. акад. Вернадського, 36, 03680 Київ, Україна |
| Е-mail | bushkovavira@gmail.com |
| Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 2 |
| Дати | Одержано 29.11.2016, опубліковано online - 28.04.2017 |
| Цитування | В.С. Бушкова, І.П. Яремій, Р.П. Лісовський, Б.В. Карпик, Ж. нано- елктрон. фіз. 9 No 2, 02011 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(2).02011 |
| PACS Number(s) | 81.07.Wx, 61.05.cp, 61.46. – w, 68.43. – h |
| Ключові слова | Ферит (25) , Золь-гель технологія (5) , Параметр ґратки (4) , Катіонний розподіл (3) , Питома площа поверхні (5) . |
| Анотація | Порошки нікель-хромових феритів були отримані методом золь-гель за участі автогоріння. Х – променевий аналіз показав присутність тільки однієї фази, що відповідає кубічній структурі шпінелі просторової групи Fd3m. Катіонний розподіл за тетра- і октапідґратками показав, що порошки Ni-Cr феритів належать до групи обернених шпінелей. Розраховано міжйонні відстані елементарної ґратки структури шпінелі. Виявлено, що середній розмір областей когерентного розсіювання отриманих порошків знаходиться в межах 23-43 нм. Встановлено, що Х-променева густина dx та аніонний параметр u зростають, в той час як параметр ґратки а лінійно спадає зі збільшенням концентрації йонів Cr3+. Питома площа поверхні S∑ досліджуваних порошків знаходиться в інтервалі 7,2-17,1 м 2/г. В порошках нікель-хромових феритів присутні як мезо-, так і мікропори, причому за кількістю переважають мезопори з ефективним діаметром 3,9 нм. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Effect of Single and Double Layer Antireflection Coating to Enhance Photovoltaic Efficiency of Silicon Solar [02001-1-02001-4]2) Sonochemical Synthesis of AgInS2 Quantum Dots and Characterisation [02002-1-02002-4]
3) Assessment of the H2 Followed by Air Sintering of Co-doped In2O3 Based Diluted Magnetic Semiconductors [02003-1-02003-3]
4) Analysis on Solar Panel Crack Detection Using Optimization Techniques [02004-1-02004-6]
5) Effect the Technique of Light Trapping on the Performance of Simple Junction n-p Solar Cells Based on GaAs and Si [02005-1-02005-3]
6) Smoluchowski Formulation for Simulation of Nano Core-Shell Structure Creation in Nanoparticle Fabrication by Laser Ablation in Liquid Media Process [02006-1-02006-4]
7) Отримання нанокристалів ZnS:Mn методом самопоширюваного високотемпературного синтезу [02007-1-02007-4]
8) Гнучкі сонячні елементи на основі базових шарів СdТe, отриманих методом магнетроного розпилення [02008-1-02008-5]
9) Отримання нанокомпозиту анатаз / брукіт з контрольованими структурно- морфологіч-ними характеристиками [02009-1-02009-6]
10) Керована смугопропускна лінія передачі на основі одновісних монокристалічних гексаферитів в доменній області [02010-1-02010-5]
11) Енергетичний спектр сигналів акустичної емісії нанорозмірних об'єктів [02012-1-02012-4]
12) Two-Dimensional Graphene Superlattice:Energy Spectrum and Current-Voltage Characteristics [02013-1-02013-4]
13) Вплив синтетичних дискретних волоконна властивості епоксидних композитів для захисних покриттів [02014-1-02014-5]
14) Вплив танталу на текстуру вакуумних конденсатів міді [02015-1-02015-4]
15) Вплив домішки бору на структуру та механічні властивості гафнію [02016-1-02016-5]
16) The Exact Nonrelativistic Energy Eigenvalues for Modified Inversely Quadratic Yukawa Potential Plus Mie-type Potential [02017-1-02017-7]
17) Термостимульована люмінесценція нанодротів ZnO [02018-1-02018-3]
18) Thermally Evaporated Tin Oxide Thin Film for Gas Sensing Applications [02019-1-02019-4]
19) Тонкі плівки аморфних молекулярних напівпровідників для створення поверхневих темплатів упорядкованих структур [02020-1-02020-6]
20) Магніторезистивний ефект у гранульованих плівкових сплавах на основі Ag і Fe або Со [02021-1-02021-4]
21) Фотолюмінісцентні властивості PECVD плівок на основі Si, C, N [02022-1-02022-6]
22) Температурна залежність спектрів ЯКР і параметрів кристалічної гратки InSe [02023-1-02023-4]
23) Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщиниквантового напівпровідникового дроту [02024-1-02024-4]
24) Оствальдівське дозрівання квантових точок InAsSbР у рамках модифікованої теорії ЛСВ [02025-1-02025-6]
25) Методика отримання та властивості зносостійких покриттів на основі Ti і N та Ti, Al і N [02026-1-02026-7]
26) Перехідні процеси в мікроелектронних композиціях Ag-Ge-In/n-GaAs [02027-1-02027-5]
27) Про критичний розмір переходу феромагнетика в однодоменний стан [02028-1-02028-17]
28) Зниження міжфазного перемішування в багатошарових рентгенівських дзеркалах Sс/Si [02029-1-02029-6]
29) Розрахунки електронної структури об’ємних кристалів і нанокристалів групи АIIВVI (CdS, CdSe) методом модельного нелокального псевдопотенціалу [02030-1-02030-7]
30) Комп'ютерне моделювання радіаційно-стимульованих структурних змін і властивості багатоперіодної системи ZrNx/MoNx [02031-1-02031-5]
31) Формування регулярних доменних структур у сегнетоелектриках при перемиканні поляризації у сильнонерівноважних умовах [02032-1-02032-7]
32) Characterization of Thermally Oxidized Ti6Al4V Alloys for Dental Application [02033-1-02033-3]
33) Research of the Vacancy Migration Process on the Surface of BC Nanolayer [02034-1-02034-2]
