Автори | М.А. Рувінский, Б.М. Рувінский, О.Б. Костюк |
Афіліація | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, 76018 Івано-Франківськ, Україна |
Е-mail | markruvinskii@gmail.com |
Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 2 |
Дати | Одержано 19.03.2017, у відредагованій формі - 26.04.2017, опубліковано online - 28.04.2017 |
Цитування | М.А. Рувінский, Б.М. Рувінский, О.Б. Костюк, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 2, 02024 (2017) |
DOI | 10.21272/jnep.9(2).02024 |
PACS Number(s) | 73.21.Fg, 73.50.Lw |
Ключові слова | Квантовий напівпровідниковий дріт, Гауссові флуктуації товщини, Електропровідність (33) , ТермоЕРС (3) , Теплопровідність (17) . |
Анотація | Теоретично визначено електропровідність, термоерс і теплопровідність квантового напівпровідникового дроту внаслідок гаусівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків невиродженої і виродженої статистики носіїв заряду. Розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого і чистого дроту з напівпровідників типу А3В5 і А4В6 при низьких температурах. Визначено квантово-розмірні ефекти, характерні для квазіодновимірних систем. |
Перелік посилань |