Топологія поверхні шаруватих кристалів p-InSe і n-SnS2-xSex (0 ≤ x ≤ 1) та гетеропереходи на їх основі

Автори В.М. Катеринчук , З.Р. Кудринський , З.Д. Ковалюк
Афіліація

Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича Національної академії наук України, Чернівецьке відділення, вул. Ірини Вільде, 5, Чернівці 58001, Україна

Е-mail kudrynskyi@gmail.com
Випуск Том 4, Рік 2012, Номер 2
Дати Одержано 08.03.2012, у відредагованій формі – 24.05.2012, опубліковано online 04.06.2012
Цитування В.М. Катеринчук, З.Р. Кудринський, З.Д. Ковалюк, Ж. нано- електрон. фіз. 4 № 2, 02042 (2012)
DOI
PACS Number(s) 3.40.Lq, 81.16.Dn
Ключові слова атомно-силова мікроскопія (16) , шаруваті кристали (11) , гетеропереходи (5) , спектральні характеристики (4) , вольт-амперні-характеристики.
Анотація На вирощених шаруватих кристалах p-InSe і n-SnS2-xSex при допомозі атомно-силового мікроскопа проведені дослідження поверхні цих матеріалів. Методом оптичного контакту створено гетеропереходи p-InSe–n-SnS2-xSex і досліджені їх спектральні та вольт-амперні характеристики.

Перелік цитувань