Квазірівноважні процеси в високозбуджених молекулах резазурину

Автори	П.О.Кондратенко¹, Ю.М.Лопаткін², Т.М.Сакун¹
Афіліація	¹ Національний авіаційний університет, пр. Космонавта Комарова, Київ, Україна, 03680 ² Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, Суми, Україна, 40007
Е-mail
Випуск	Том 4, Рік 2012, Номер 2
Дати	Одержано 24.11.2011, у відредагованій формі – 29.04.2012, опубліковано online 08.05.2012
Цитування	П.О.Кондратенко, Ю.М.Лопаткін, Т.М.Сакун, Ж. нано-електрон. фіз. 4 № 2, 02017 (2012)
DOI
PACS Number(s)	1.50.+w, 31.70.Hq, 31.70.Ks
Ключові слова	високозбуджені молекули, квазірівноважні процеси (2) , барвники (2) , релаксація (12) , дисоціація (6) , електронні стани (5) .
Анотація	Показано, що величина квантового виходу фотодисоціації резазурину при квазірівноважних процесах релаксації збудження росте з пониженням температури. При  > кр  330 нм фотохімічна активність резазурину відсутня, а при  ≤ кр стрибкоподібно зростає і практично не залежить від довжини хвилі. Теоретичні розрахунки задовільно описують експериментально отримані результати в припущення, що константа швидкості квазірівноважного безвипромінювального переходу між електронними станами описується формулою: kmn  k0exp(– bEmn/kT), причому величина b  0,1.
	Перелік посилань Повний текст English version of article

Інші статті цього номера

1) Numerical Simulation of Intensity Fluctuations in Random Laser Systems [02001-1-02001-5]
2) High Second-Order Nonlinear Susceptibility Induced in GaN/Al_xGa_{1 – x}N Coupled Quantum Well for Infrared Photodectors Application [02002-1-02002-3]
3) Фильтрація об’ємних спінових хвиль на межі двох одновісних феромагнітних середовищ [02003-1-02003-3]
4) Design and Implementation of a Hybrid SET-CMOS Based Sequential Circuits [02004-1-02004-5]
5) Overview of Bottom-up Nano Electronics Materials and Its Application [02005-1-02005-8]
6) Electrical Transport Characteristics and Deep Level Transient Spectroscopy of Ni/V/n-InP Schottky Barrier Diodes [02006-1-02006-9]
7) Nanostructure Zinc Oxide with Cobalt Dopant by PLD for Gas Sensor Applications [02007-1-02007-6]
8) Superconducting State Parameters of Binary Superconductors [02008-1-02008-7]
9) Prospects of III-Vs for Logic Applications [02009-1-02009-5]
10) The Role of Interactions in Systems of Single Domain Ferrimagnetic Iron Oxide Nanoparticles [02010-1-02010-7]
11) Еволюція процесів росту парафазних наноструктур телуриду свинцю [02011-1-02011-5]
12) Структура і електричні властивості тонких плівок чистого і легованого вісмутом телуриду свинцю [02012-1-02012-5]
13) Бездифузійна «рекристалізація» за великої одноосьової деформації [02013-1-02013-5]
14) Магніторезистивний ефект та магнітні параметри нанокристалічних плівок на основі Co, Fe, Ag та Cu [02014-1-02014-6]
15) Активні ЛВЕ-клістрони як формувачі фемтосекундних кластерів електромагнітного поля. Системи на основі двопотокової нестійкості [02015-1-02015-7]
16) Аналіз можливостей використання потенціалу міжатомної взаємодії для моделювання механічних та теплових властивостей речовини [02016-1-02016-4]
17) Зміна електрохімічних параметрів та провідних властивостей комірки з катодом на основі MgF₂ у процесі циклювання [02018-1-02018-6]
18) Осциляції термоелектричних параметрів наноструктур PbTe:Bi на ситалі [02019-1-02019-6]
19) Одержання і властивості гібридних колоїдних наночастинок Au-CdSe [02020-1-02020-3]
20) Quantum Confinement in Cadmium Selenide Multilayer Thin Films Using Physical Vapour Deposition Method [02021-1-02021-3]
21) Fabrication of Low-Roughness Au/Ti/ SiO₂/Si Substrates for Nanopatterning of 16-Mercapto Hexadecanoic Acid (MHA) by Dip-Pen-Nanolithography [02022-1-02022-4]
22) Analytical Modeling of SON MOSFET and Realization Inverter Circuit for High Speed and Ultra Dense Low Power Circuits [02023-1-02023-5]
23) Effect of Impurity Concentration on the Depth Profile of the Electric Field within Monolayer Thin Film [02024-1-02024-4]
24) Static and Vibrational Properties of Equiatomic Cesium-Alkali Binary Alloys [02025-1-02025-6]
25) Вплив спектральних характеристик корелюючих шумів на поведінку стохастичної системи [02026-1-02026-7]
26) Кореляційні ефекти в біологічних мережах [02027-1-02027-4]
27) Одностороннє проходження при розповсюдженні хвилі уздовж границі розділу анізотропних середовищ [02028-1-02028-4]
28) До питання про механізми світіння поверхні металу при бомбардуванні його інтенсивним потоком електронів [02029-1-02029-4]
29) Електрохемілюмінесцентні властивості органічних плівок з введеними вуглецевими нанотрубками [02030-1-02030-4]
30) Методика визначення коефіцієнта пружності міжатомного зв’язку на основі експериментальної кривої навантаження [02031-1-02031-4]
31) Ефект втягування для тангенціального напрямку осі анізотропії в анізотропному середовищі [02032-1-02032-6]
32) Застосування волоконо-оптичних датчиків для визначення розмірів наночастинок у хімічних реакторах [02033-1-02033-4]
33) Структурні властивості стопів Zr – 12.5 % Nb та Zr – 25 % Nb з ГПУ та ОЦК ґратками: моделювання з перших принципів [02034-1-02034-6]
34) Методика розрахунку теплоємності кристалічної решітки твердого тіла з використанням потенціалу міжатомної взаємодії [02035-1-02035-3]
35) Особливості формування шарів пористого кремнію модифікованих НСl і HBr в контексті оптичних властивостей [02036-1-02036-4]
36) Активні ЛВЕ-клістрони як формувачі фемтосекундних кластерів електромагнітного поля. Нелінійна фізика прольотної секції [02037-1-02037-7]
37) Програмно-апаратний комплекс досліджень оптичних властивостей тонких плівок [02038-1-02038-6]
38) Нанокристали золота як підкладка для мікрораманівської спектроскопії [02039-1-02039-8]
39) Реалізація неоднорідного магнітного поля призмового мас-аналізатора [02040-1-02040-3]
40) Кількісне визначення контрасту електронно-мікроскопічних зображень аморфних наноматеріалів складного хімічного складу [02041-1-02041-5]
41) Топологія поверхні шаруватих кристалів p-InSe і n-SnS_2-xSe_x(0 ≤ x ≤ 1) та гетеропереходи на їх основі [02042-1-02042-4]
42) Магніто-деформаційний ефект в двошарових плівкових системах [02043-1-02043-3]