Осциляції термоелектричних параметрів наноструктур PbTe:Bi на ситалі

Автори Д.М. Фреїк1 , І.К. Юрчишин1, М.О. Галущак2 , Я.С. Яворський1 , Ю.В. Лисюк1
Афіліація

1 Фізико-хімічний інститут, кафедра фізики і хімії твердого тіла Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, 76018, Івано-Франківськ, Україна

2 Івано-Франківський національний університет нафти і газу, вул. Карпатська, 15, 76018, Івано-Франківськ, Україна

Е-mail
Випуск Том 4, Рік 2012, Номер 2
Дати Одержано 23.02.2012, у відредагованій формі – 25.04.2012, опубліковано online 08.05.2012
Цитування Д.М. Фреїк, І.К. Юрчишин, М.О. Галущак, та ін., Ж. нано-електрон. фіз. 4 № 2, 02019 (2012)
DOI
PACS Number(s) 5.50.Lw, 73.63.Hs, 73.61.Ey
Ключові слова телурид свинцю (6) , вісмут (7) , ситал, наноструктури (23) , квантово-розмірні ефекти (2) .
Анотація Досліджено товщинні (d) залежності термоелектричних (ТЕ) параметрів (концентрації n, рухливості , провідності , коефіцієнтів Зеєбека S і термоелектричної потужності S2) наноструктур n-PbTe легованих вісмутом із вмістом Bi 2 ат. %, вирощених з парової фази на ситалі. Немонотонний хід d-залежностей досліджуваних параметрів пояснено квантуванням енергетичного спектру електронного газу у квантовій ямі структури ситал/n-PbTe:Bi. На базі цього припущення для зазначеної структури побудовано та співставлено з експериментальними теоретичні d-залежності відповідних ТЕ параметрів.

Перелік цитувань