Fabrication of Low-Roughness Au/Ti/ SiO2/Si Substrates for Nanopatterning of 16-Mercapto Hexadecanoic Acid (MHA) by Dip-Pen-Nanolithography
| Автори | A. Kumar1 , P.B. Agarwal1 , S.K. Gupta1, A.K. Sharma1, D. Kumar2 , Chandra Shekhar1 |
| Афіліація | 1 Sensors and Nanotechnology Group CSIR-Central Electronics Engineering Research Institute, Pilani –333 031, India 2 Dept. of Electronics Science, Kurukshetra University, Kurukshetra-136 119, India |
| Е-mail | akumar1758@yahoo.co.in |
| Випуск | Том 4, Рік 2012, Номер 2 |
| Дати | Received 24 October 2011; revised manuscript received 29 May 2012; published online 04 June 2012 |
| Цитування | A. Kumar, P.B. Agarwal, S.K. Gupta, et al., J. Nano-Electron. Phys. 4 No 2, 22 (2012) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 1.16.Nd, 68.35.Ct |
| Ключові слова | Atomic force microscopy (9) , Dip-pen-nanolithography, Nanopatterning (2) , Self-assembled-monolayers (2) . |
| Анотація | Silicon based low-roughness Au/Ti/SiO2/Si substrates were fabricated using standard IC fabrication processes. Evolution of surface roughness during substrate fabrication process was studied. Fabrication process steps, namely, thermal oxidation and e-beam evaporation for ultra-thin Ti(~ 5 nm)/Au(22 nm) films, were optimized to result in surface r.m.s roughness ~ 0.2 m and ~ 1.0 nm, after thermal oxidation and Ti/Au deposition steps respectively. Surface roughness was estimated by atomic force microscope (AFM) imaging and image analysis. Nano-patterning experiments using thiol based 16-MHA molecular-ink on fabricated substrates were carried out, under controlled environment conditions, by dip-pen-nanolitho-graphy (DPN) technique. Minimum line-width ~ 60 nm and circular dots radius ~ 175 nm were patterned. |
|
Перелік цитувань |
Інші статті цього номера
1) Numerical Simulation of Intensity Fluctuations in Random Laser Systems [02001-1-02001-5]2) High Second-Order Nonlinear Susceptibility Induced in GaN/AlxGa1 – xN Coupled Quantum Well for Infrared Photodectors Application [02002-1-02002-3]
3) Фильтрація об’ємних спінових хвиль на межі двох одновісних феромагнітних середовищ [02003-1-02003-3]
4) Design and Implementation of a Hybrid SET-CMOS Based Sequential Circuits [02004-1-02004-5]
5) Overview of Bottom-up Nano Electronics Materials and Its Application [02005-1-02005-8]
6) Electrical Transport Characteristics and Deep Level Transient Spectroscopy of Ni/V/n-InP Schottky Barrier Diodes [02006-1-02006-9]
7) Nanostructure Zinc Oxide with Cobalt Dopant by PLD for Gas Sensor Applications [02007-1-02007-6]
8) Superconducting State Parameters of Binary Superconductors [02008-1-02008-7]
9) Prospects of III-Vs for Logic Applications [02009-1-02009-5]
10) The Role of Interactions in Systems of Single Domain Ferrimagnetic Iron Oxide Nanoparticles [02010-1-02010-7]
11) Еволюція процесів росту парафазних наноструктур телуриду свинцю [02011-1-02011-5]
12) Структура і електричні властивості тонких плівок чистого і легованого вісмутом телуриду свинцю [02012-1-02012-5]
13) Бездифузійна «рекристалізація» за великої одноосьової деформації [02013-1-02013-5]
14) Магніторезистивний ефект та магнітні параметри нанокристалічних плівок на основі Co, Fe, Ag та Cu [02014-1-02014-6]
15) Активні ЛВЕ-клістрони як формувачі фемтосекундних кластерів електромагнітного поля. Системи на основі двопотокової нестійкості [02015-1-02015-7]
16) Аналіз можливостей використання потенціалу міжатомної взаємодії для моделювання механічних та теплових властивостей речовини [02016-1-02016-4]
17) Квазірівноважні процеси в високозбуджених молекулах резазурину [02017-1-02017-7]
18) Зміна електрохімічних параметрів та провідних властивостей комірки з катодом на основі MgF2 у процесі циклювання [02018-1-02018-6]
19) Осциляції термоелектричних параметрів наноструктур PbTe:Bi на ситалі [02019-1-02019-6]
20) Одержання і властивості гібридних колоїдних наночастинок Au-CdSe [02020-1-02020-3]
21) Quantum Confinement in Cadmium Selenide Multilayer Thin Films Using Physical Vapour Deposition Method [02021-1-02021-3]
22) Analytical Modeling of SON MOSFET and Realization Inverter Circuit for High Speed and Ultra Dense Low Power Circuits [02023-1-02023-5]
23) Effect of Impurity Concentration on the Depth Profile of the Electric Field within Monolayer Thin Film [02024-1-02024-4]
24) Static and Vibrational Properties of Equiatomic Cesium-Alkali Binary Alloys [02025-1-02025-6]
25) Вплив спектральних характеристик корелюючих шумів на поведінку стохастичної системи [02026-1-02026-7]
26) Кореляційні ефекти в біологічних мережах [02027-1-02027-4]
27) Одностороннє проходження при розповсюдженні хвилі уздовж границі розділу анізотропних середовищ [02028-1-02028-4]
28) До питання про механізми світіння поверхні металу при бомбардуванні його інтенсивним потоком електронів [02029-1-02029-4]
29) Електрохемілюмінесцентні властивості органічних плівок з введеними вуглецевими нанотрубками [02030-1-02030-4]
30) Методика визначення коефіцієнта пружності міжатомного зв’язку на основі експериментальної кривої навантаження [02031-1-02031-4]
31) Ефект втягування для тангенціального напрямку осі анізотропії в анізотропному середовищі [02032-1-02032-6]
32) Застосування волоконо-оптичних датчиків для визначення розмірів наночастинок у хімічних реакторах [02033-1-02033-4]
33) Структурні властивості стопів Zr – 12.5 % Nb та Zr – 25 % Nb з ГПУ та ОЦК ґратками: моделювання з перших принципів [02034-1-02034-6]
34) Методика розрахунку теплоємності кристалічної решітки твердого тіла з використанням потенціалу міжатомної взаємодії [02035-1-02035-3]
35) Особливості формування шарів пористого кремнію модифікованих НСl і HBr в контексті оптичних властивостей [02036-1-02036-4]
36) Активні ЛВЕ-клістрони як формувачі фемтосекундних кластерів електромагнітного поля. Нелінійна фізика прольотної секції [02037-1-02037-7]
37) Програмно-апаратний комплекс досліджень оптичних властивостей тонких плівок [02038-1-02038-6]
38) Нанокристали золота як підкладка для мікрораманівської спектроскопії [02039-1-02039-8]
39) Реалізація неоднорідного магнітного поля призмового мас-аналізатора [02040-1-02040-3]
40) Кількісне визначення контрасту електронно-мікроскопічних зображень аморфних наноматеріалів складного хімічного складу [02041-1-02041-5]
41) Топологія поверхні шаруватих кристалів p-InSe і n-SnS2-xSex (0 ≤ x ≤ 1) та гетеропереходи на їх основі [02042-1-02042-4]
42) Магніто-деформаційний ефект в двошарових плівкових системах [02043-1-02043-3]
