Методика розрахунку теплоємності кристалічної решітки твердого тіла з використанням потенціалу міжатомної взаємодії
| Автори | О.О. Гайша |
| Афіліація | Національний університет кораблебудування імені адмірала Макарова, пр. Героїв Сталінграду, 9, 54000, Миколаїв, Україна |
| Е-mail | physics2005@mail.ru |
| Випуск | Том 4, Рік 2012, Номер 2 |
| Дати | Одержано 07.09.2011, опубліковано online 04.06.2012 |
| Цитування | О.О. Гайша, Ж. нано- електрон. фіз. 4 № 2, 02035 (2012) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 1.50.Ah, 65.40.Ba |
| Ключові слова | теплоємність (2) , міжатомний потенціал (3) , потенціальна енергія атома решітки, теплове розширення (2) , кристалічна решітка (2) . |
| Анотація | В роботі запропонована методика розрахунку теплоємності решітки твердого тіла. Енергія решітки визначається через енергію одного атому, яка розраховується як сума потенціальних енергій взаємодії атома з його сусідами (враховується більше 30 координаційних сфер). Зважаючи на теплове розширення, існує залежність постійної решітки (а, отже, і потенціальної енергії) від температури, на основі чого знайдена теплоємність, яка для нормальних умов краще відповідає експериментальному значенню, ніж інші загальновідомі залежності. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Numerical Simulation of Intensity Fluctuations in Random Laser Systems [02001-1-02001-5]2) High Second-Order Nonlinear Susceptibility Induced in GaN/AlxGa1 – xN Coupled Quantum Well for Infrared Photodectors Application [02002-1-02002-3]
3) Фильтрація об’ємних спінових хвиль на межі двох одновісних феромагнітних середовищ [02003-1-02003-3]
4) Design and Implementation of a Hybrid SET-CMOS Based Sequential Circuits [02004-1-02004-5]
5) Overview of Bottom-up Nano Electronics Materials and Its Application [02005-1-02005-8]
6) Electrical Transport Characteristics and Deep Level Transient Spectroscopy of Ni/V/n-InP Schottky Barrier Diodes [02006-1-02006-9]
7) Nanostructure Zinc Oxide with Cobalt Dopant by PLD for Gas Sensor Applications [02007-1-02007-6]
8) Superconducting State Parameters of Binary Superconductors [02008-1-02008-7]
9) Prospects of III-Vs for Logic Applications [02009-1-02009-5]
10) The Role of Interactions in Systems of Single Domain Ferrimagnetic Iron Oxide Nanoparticles [02010-1-02010-7]
11) Еволюція процесів росту парафазних наноструктур телуриду свинцю [02011-1-02011-5]
12) Структура і електричні властивості тонких плівок чистого і легованого вісмутом телуриду свинцю [02012-1-02012-5]
13) Бездифузійна «рекристалізація» за великої одноосьової деформації [02013-1-02013-5]
14) Магніторезистивний ефект та магнітні параметри нанокристалічних плівок на основі Co, Fe, Ag та Cu [02014-1-02014-6]
15) Активні ЛВЕ-клістрони як формувачі фемтосекундних кластерів електромагнітного поля. Системи на основі двопотокової нестійкості [02015-1-02015-7]
16) Аналіз можливостей використання потенціалу міжатомної взаємодії для моделювання механічних та теплових властивостей речовини [02016-1-02016-4]
17) Квазірівноважні процеси в високозбуджених молекулах резазурину [02017-1-02017-7]
18) Зміна електрохімічних параметрів та провідних властивостей комірки з катодом на основі MgF2 у процесі циклювання [02018-1-02018-6]
19) Осциляції термоелектричних параметрів наноструктур PbTe:Bi на ситалі [02019-1-02019-6]
20) Одержання і властивості гібридних колоїдних наночастинок Au-CdSe [02020-1-02020-3]
21) Quantum Confinement in Cadmium Selenide Multilayer Thin Films Using Physical Vapour Deposition Method [02021-1-02021-3]
22) Fabrication of Low-Roughness Au/Ti/ SiO2/Si Substrates for Nanopatterning of 16-Mercapto Hexadecanoic Acid (MHA) by Dip-Pen-Nanolithography [02022-1-02022-4]
23) Analytical Modeling of SON MOSFET and Realization Inverter Circuit for High Speed and Ultra Dense Low Power Circuits [02023-1-02023-5]
24) Effect of Impurity Concentration on the Depth Profile of the Electric Field within Monolayer Thin Film [02024-1-02024-4]
25) Static and Vibrational Properties of Equiatomic Cesium-Alkali Binary Alloys [02025-1-02025-6]
26) Вплив спектральних характеристик корелюючих шумів на поведінку стохастичної системи [02026-1-02026-7]
27) Кореляційні ефекти в біологічних мережах [02027-1-02027-4]
28) Одностороннє проходження при розповсюдженні хвилі уздовж границі розділу анізотропних середовищ [02028-1-02028-4]
29) До питання про механізми світіння поверхні металу при бомбардуванні його інтенсивним потоком електронів [02029-1-02029-4]
30) Електрохемілюмінесцентні властивості органічних плівок з введеними вуглецевими нанотрубками [02030-1-02030-4]
31) Методика визначення коефіцієнта пружності міжатомного зв’язку на основі експериментальної кривої навантаження [02031-1-02031-4]
32) Ефект втягування для тангенціального напрямку осі анізотропії в анізотропному середовищі [02032-1-02032-6]
33) Застосування волоконо-оптичних датчиків для визначення розмірів наночастинок у хімічних реакторах [02033-1-02033-4]
34) Структурні властивості стопів Zr – 12.5 % Nb та Zr – 25 % Nb з ГПУ та ОЦК ґратками: моделювання з перших принципів [02034-1-02034-6]
35) Особливості формування шарів пористого кремнію модифікованих НСl і HBr в контексті оптичних властивостей [02036-1-02036-4]
36) Активні ЛВЕ-клістрони як формувачі фемтосекундних кластерів електромагнітного поля. Нелінійна фізика прольотної секції [02037-1-02037-7]
37) Програмно-апаратний комплекс досліджень оптичних властивостей тонких плівок [02038-1-02038-6]
38) Нанокристали золота як підкладка для мікрораманівської спектроскопії [02039-1-02039-8]
39) Реалізація неоднорідного магнітного поля призмового мас-аналізатора [02040-1-02040-3]
40) Кількісне визначення контрасту електронно-мікроскопічних зображень аморфних наноматеріалів складного хімічного складу [02041-1-02041-5]
41) Топологія поверхні шаруватих кристалів p-InSe і n-SnS2-xSex (0 ≤ x ≤ 1) та гетеропереходи на їх основі [02042-1-02042-4]
42) Магніто-деформаційний ефект в двошарових плівкових системах [02043-1-02043-3]
