Розробка та аналіз гетерогенного L-подібного тунельного польового транзистора (TFET) на основі зарядової плазми для застосувань з низьким енергоспоживанням

У цій пропонованій роботі фокусується на подоланні традиційних проблем легування в L-подібних тунельних польових транзисторах за допомогою концепції зарядової плазми (CP) і збільшення провідності струму шляхом формування гетерогенного переходу (SiC-Si-SiC). Карбід кремнію використовується як матеріал для джерела та витоку. Концепція зарядової плазми реалізована в областях витоку та стоку шляхом реалізації різних робочих функцій, а для покращення провідності струму області витоку та стоку виготовлені з карбіду кремнію, а канал виготовлений із кремнію, який утворює гетероперехід, який створює горизонтальну деформацію розтягування та вертикальну деформація стиснення в області каналу, що збільшує рухливість електронів, головним чином для малопотужних напівпровідникових застосувань. Описано продуктивність таких параметрів пристрою, як підпорогове коливання характеристик передачі, вихідні характеристики. Аналіз порогової напруги, струму витоку та співвідношення ION/IOFF було проведено для L-TFET на основі CP. Технологія Sentaurus Computer Aided Design (TCAD) була використана для оцінки та аналізу пристрою для TFET на основі CP. Пристрій було змодельовано в Sentaurus TCAD, у якому оцінюються певні параметри, у яких певні моделі, такі як модель Slotboom, застосовуються для розгляду впливу концентрації допінгу на звуження забороненої зони енергії в областях джерела/витоку (S/D). Також використовуються статистика Фермі та рекомбінаційні моделі Шоклі-Ріда-Холла. Включення зарядової плазми та SiC у пристрій покращує рухливість електронів, а провідність струму покращується з меншим струмом витоку, і його можна використовувати для додатків з низьким енергоспоживанням, таких як інвертори, пристрої пам’яті.