Моделювальне дослідження ефективності безперехідного польового транзистора з подвійним затвором для зміни концентрації легування
| Автори | P. Saikia, A.K. Raibaruah , K.C.D. Sarma |
| Афіліація |
Central Institute of Technology Kokrajhar, Department of Instrumentation Engineering, 783370, India |
| Е-mail | ak.raibaruah@cit.ac.in |
| Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 5 |
| Дати | Одержано 12 червня 2024; у відредагованій формі 20 жовтня 2024; опубліковано online 30 жовтня 2024 |
| Цитування | P. Saikia, A.K. Raibaruah, K.C.D. Sarma, Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 5, 05016 (2024) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(5).05016 |
| PACS Number(s) | 85.30.Tv |
| Ключові слова | Безперехідний (7) , Ефект поля, DGJLFET, Легування (29) , Порогова напруга (5) , Підпорогове коливання (7) . |
| Анотація |
Стаття стосується дослідженню зміни концентрації домішки на безперехідному польовому транзисторі з подвійним затвором. Концентрація легування для пристрою варіювалася від 1010/см3 до 1019/см3, а їх характеристики передачі та вихідні характеристики були досліджені для напруг секції стоку з 0,1 В, 0,5 В та 1 В. При напрузі стоку 1 В з рівнем легування 1019 см – 3 отримано струм стоку 1,7 мА. Крім того, досліджуються різні електричні параметри, такі як струм, співвідношення ION/IOFF, підпорогове коливання, порогові напруги. При 1019 см – 3 і потенціалі стоку 1 В струм в корпусі становить 1,9 мА. З іншого боку, підпорогове коливання, отримане при 1019 см – 3 з потенціалом витоку 1 В, становить 79 мВ/декаду. Симуляція виконується за допомогою симулятора Cogenda Visual TCAD. Збільшуючи концентрацію легування, можна отримати кращий контроль над струмом стоку. Краще значення струму можна досягти при вищій варіації легування. |
|
Перелік цитувань |
Інші статті цього номера
1) Дисперсійні властивості поверхневого плазмону плівок оксиду ванадію [05001-1-05001-4]2) Покращення впровадження та надійності детекторів на основі наноматеріалів за допомогою методу глибокого навчання [05002-1-05002-6]
3) Умови спікання та їх вплив на механічні властивості оксиду алюмінію (α-Al2O3) [05003-1-05003-7]
4) Аналіз високої потужності транзистора без польового ефекту з оточеними каналами [05004-1-05004-4]
5) Компактна широкосмугова антена з щілинами для застосування в біомедичній телеметрії [05005-1-05005-5]
6) Оцінка ефективності композицій PCM і гліцерину для зберігання теплової енергії [05006-1-05006-5]
7) Розробка компактної патч-антени з конфігурацією сходів і слотів для носимих додатків у діапазоні WBAN / ISM [05007-1-05007-5]
8) Дослідження теплопровідності та діелектрики графенових квантових точок для теплопередачі та електричних застосувань [05008-1-05008-5]
9) Дослідження впливу температури на безсвинцевий подвійний перовскітний сонячний елемент на основі цезію за допомогою SCAPS-1D [05009-1-05009-4]
10) Оптимізація трафіку даних: ефективне управління фізичними процесами в мережевих інформаційних системах [05010-1-05010-6]
11) Інноваційний класифікаційний підхід для прогнозування фізичних властивостей наночастинок [05011-1-05011-5]
12) Двохдіапазонна CSRR навантажена півмісяцева прорізна кругла патч-антена типу MIMO [05012-1-05012-5]
13) Мініатюрна суперширокосмугова антена з подвійним пазом із використанням паразитної стрічки та слота [05013-1-05013-5]
14) Біосенсор OFET: моделювання та аналіз різних біомолекул [05014-1-05014-5]
15) Розробка та аналіз інноваційного рішення для збору енергії, що використовується для розгортання сенсорного вузла IoT [05015-1-05015-5]
16) Аналіз життєво важливих ознак за допомогою техніки розумного серцебиття на основі Arduino [05017-1-05017-5]
17) Виявлення інтенсивності болю за допомогою аналізу виразу обличчя використовуючи методи штучного інтелекту [05018-1-05018-5]
18) Контрольований синтез наночастинок срібла різної форми та їх застосування – огляд [05019-1-05019-11]
19) Cинтез і дослідження структури наночастинок фериту кобальту легованих кадмієм за допомогою рентгенівського дифракційного аналізу [05020-1-05020-6]
20) Поляризаційна реконфігурована антена для додатків WLAN з двома PIN-кодами та перевернутим L-слотом [05021-1-05021-4]
21) Кластери нікелю в решітці кремнію [05022-1-05022-5]
22) Приймальна антена для збору радіочастотної енергії для діапазонів додатків Bluetooth і Wi-Fi у діапазоні до 6 ГГц технології 5G [05023-1-05023-5]
23) Властивості тонких плівок ZnO, легованих ZnO та Al, отриманих розпилювальним піролізом [05024-1-05024-5]
24) Текстуровані двосторонні кремнієві сонячні елементи за різних умов освітлення [05025-1-05025-10]
25) Фотоемісійний струм від металевих наночастинок у кремнії [05026-1-05026-4]
26) Розробка та аналіз гетерогенного L-подібного тунельного польового транзистора (TFET) на основі зарядової плазми для застосувань з низьким енергоспоживанням [05027-1-05027-4]
27) Аналіз продуктивності багатомостового багатоканального польового транзистора Vertical Gate All-Around для малопотужних додатків [05028-1-05028-6]
28) Вплив форми та розміру частинок на поведінку композитного матеріалу з використанням методу скінченних елементів [05029-1-05029-5]
29) Оксид цинку, допований алюмінієм, шляхом легкого піролізу пневматичним розпиленням для фотоелектричних систем [05030-1-05030-5]
30) Фотодетектори на основі CdTe:Li [05031-1-05031-5]
31) Електрохімічний синтез цинк оксиду в присутності поверхнево-активної речовини TERGITOL 15-S-5 [05032-1-05032-5]
32) Електронні та магнітні властивості вюрцитового твердого розчину Mn:ZnSeS [05033-1-05033-5]
33) Взаємодія лазерного випромінювання (УФ) з матеріалами [05034-1-05034-6]
