| Назва |
Моделювання нанотранзисторів: будова MOSFET |
| Автори |
Ю.О. Кругляк, П.О. Кондратенко, Ю.М. Лопаткін |
| Випуск |
Том 10, Рік 2018, Номер 6 |
| Сторінки |
06034-1 - 06034-6 |
| Назва |
Моделювання біосенсора у вигляді циліндричного кремнієвого нанодроту на основі польового транзистора: вплив довжини і радіусу нанодроту |
| Автори |
A.V. Pawar, S.S. Kanapally, A.P. Chougule, P.P. Waifalkar, K.V. More, R.K. Kamat, T.D. Dongale |
| Випуск |
Том 11, Рік 2019, Номер 1 |
| Сторінки |
01005-1 - 01005-5 |
| Назва |
Аналоговий мультиплікатор з використанням технології CNTFET |
| Автори |
Seyedehsomayeh Hatefinasab |
| Випуск |
Том 11, Рік 2019, Номер 4 |
| Сторінки |
04022-1 - 04022-5 |
| Назва |
Модель тунельного струму у тунельному польовому транзисторі на базі двошарової графенової нанострічки за допомогою методу матриці переносу |
| Автори |
E. Suhendi, M.F. Fadhillah, I. Anjaningsih, S.D. Ulhaq, A. Fadhillah, D. Rusdiana |
| Випуск |
Том 12, Рік 2020, Номер 3 |
| Сторінки |
03036-1 - 03036-5 |
| Назва |
Чисельне моделювання польового транзистора з каналом у вигляді нанородроту |
| Автори |
І.П. Бурик, А.О. Головня, І.М. Мартиненко, О.П. Ткач, Л.В. Однодворець |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 4 |
| Сторінки |
04030-1 - 04030-4 |
| Назва |
Оцінка виготовлення пристроїв від FET до CFET: огляд |
| Автори |
J. Lakshmi Prasanna, M. Ravi Kumar, Ch. Priyanka, Chella Santhosh |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 6 |
| Сторінки |
06030-1 - 06030-8 |
| Назва |
Оцінка продуктивності модифікованого безперехідного багатозатворного транзистора із вбудованим каналом |
| Автори |
K. Kalai Selvi, K.S. Dhanalakshmi, Kalaivani Kanagarajan |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 1 |
| Сторінки |
01008-1 - 01008-5 |
| Назва |
Дослідження гетеродіелектричного заглибленого оксиду та TFETs з гетеропереходом із подвійним матеріалом |
| Автори |
P. Vimala, Bhoomi Reddy Venkata Sravanthi Reddy, Shreyas Yadav V.R, Suprith C. |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 4 |
| Сторінки |
04009-1 - 04009-4 |
| Назва |
Реалізація та аналіз L-подібного тунельного польового транзистора з використанням затвора та оксидної інженерії |
| Автори |
R. Dhanush, S. Ashok Kumar, V. Logisvary |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 5 |
| Сторінки |
05015-1 - 05015-4 |
| Назва |
Реалізація VTFET із лінійно градуйованою роботою виходу бінарного металевого затвору з повітряною кишенею |
| Автори |
K. Kalai Selvi, K.S. Dhanalakshmi |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 6 |
| Сторінки |
06014-1 - 06014-6 |
| Назва |
Органічний польовий транзистор на основі полі-3-гексилтіофену як датчик парів аміаку |
| Автори |
Akhiruddin Maddu, Andri Gunawan, Irmansyah Irmansyah |
| Випуск |
Том 15, Рік 2023, Номер 6 |
| Сторінки |
06020-1 - 06020-6 |
| Назва |
Детектування іонізуючого випромінювання за допомогою польового транзистора на основі відновленого оксиду графену |
| Автори |
І.Б. Оленич, Ю.Ю. Горбенко, Л.С. Монастирський, О.І. Аксіментьєва, О.С. Дзендзелюк |
| Випуск |
Том 16, Рік 2024, Номер 2 |
| Сторінки |
02019-1 - 02019-4 |
| Назва |
Підвищення продуктивності ведичного множника за допомогою FinFET |
| Автори |
P. Vimala, Soumya G. Hosmani |
| Випуск |
Том 16, Рік 2024, Номер 2 |
| Сторінки |
02002-1 - 02002-5 |
| Назва |
Новий транзистор GAA FinFET без n- і p-каналів |
| Автори |
A. Lazzaz, K. Bousbahi, M. Ghamnia |
| Випуск |
Том 16, Рік 2024, Номер 2 |
| Сторінки |
02010-1 - 02010-5 |
