Back

Results (25):

Назва Electronic Structure and Magnetic Properties of Cobalt Doped Zinc Oxide
Автори A. Rathor, V. Sharma, E. Chaturvedi, G. Sharma, O.U. Okeke
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 2
Сторінки 0268 - 0273
Назва Optical Behaviour of ZnO/Au Nanojunctions
Автори Shital V. Kahane, Darshana Y. Inamdar, Shailaja Mahamuni
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3
Сторінки 0563 - 0568
Назва Structural properties of nickel doped cadmium sulfide
Автори B. Srinivasa Rao, B. Rajesh Kumar, G. Venkata Chalapathi, V. Rajagopal Reddy, T. Subba Rao
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3
Сторінки 0620 - 0625
Назва Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated Using DVT Grown n-MoSe2 Crystals With Cu-Schottky Gates
Автори C.K. Sumesh, K.D. Patel, V.M. Pathak, R.Srivastava
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4
Сторінки 0709 - 0713
Назва Temperature Dependent I-V Characteristics of Ag/P-Sn0.2Se0.8 Thin Film Schottky Barrier Diode
Автори K.K. Patel, M. Patel, K.D. Patel, G.K. Solanki, V.M. Pathak, R. Srivastava
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4
Сторінки 0783 - 0786
Назва Spatial Confinement of Optical Phonons in ZnO Nanowalls and Nanorods
Автори M. Arora, R.P. Pant
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4
Сторінки 0814 - 0817
Назва Thermal Annealing Behaviour on Electrical Properties of Pd/Ru Schottky Contacts on n-Type GaN
Автори N. Nanda Kumar Reddy, V. Rajagopal Reddy
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5
Сторінки 0921 - 0925
Назва Barrier Inhomogeneities of Al/p-In2Te3 Thin Film Schottky Diodes
Автори R.R. Desai, D. Lakshminarayana, Ramesh Sachdeva, P.B. Patel, C.J. Panchal, M.S. Desai, N. Padha
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5
Сторінки 0995 - 1004
Назва Electrical Transport Characteristics of Pd/V/N-InP Schottky Diode From I-V-T and C-V-T Measurements
Автори S. Sankar Naik, V. Rajagopal Reddy
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5
Сторінки 1048 - 1055
Назва New Evolving Directions for Device Performance Optimization Based Integration of Compound Semiconductor Devices on Silicon
Автори Partha Mukhopadhyay, Palash Das, Edward Y. Chang, Dhrubes Biswas
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5
Сторінки 1102 - 1111
Назва Prospects of III-Vs for Logic Applications
Автори U.P. Gomes, Y.K. Yadav, S. Chowdhury,  K. Ranjan, S. Rathi, D. Biswas
Випуск Том 4, Рік 2012, Номер 2
Сторінки 02009-1 - 02009-5
Назва Fabrication and Characterization of Al/p-CuInAlSe2 Thin Film Schottky Diodes
Автори Usha Parihar, N. Padha, C.J. Panchal
Випуск Том 5, Рік 2013, Номер 2
Сторінки 02015-1 - 02015-5
Назва Comparison of Atomic Level Simulation Studies of MOSFETs Containing Silica and Lantana Nanooxide Layers
Автори K. Bikshalu, M.V. Manasa, V.S.K. Reddy, P.C.S. Reddy, K. Venkateswara Rao
Випуск Том 5, Рік 2013, Номер 4
Сторінки 04058-1 - 04058-3
Назва Deposition of Cadmium Sulphide Thin Films by Photochemical Deposition and Characterization
Автори H.L. Pushpalatha, R. Ganesha
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 1
Сторінки 01008-1 - 01008-3
Назва The Current-voltage Characteristics Simulation of the Betavoltaic Power Supply
Автори S.U. Urchuk, A.A. Krasnov, S.A. Legotin, S.I. Didenko, V.N. Murashev, U.C. Omel’chenko, U.V. Osipov, O.I. Rabinovich, A.V. Popkova
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 4
Сторінки 04005-1 - 04005-4
Назва Influence of the SHI Irradiation on the XRD, AFM, and Electrical Properties of CdSe Thin Films
Автори Rajesh Singh, Radha Srinivasan
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 2
Сторінки 02036-1 - 02036-3
Назва Structural and Optoelectronic Properties of Polycrystalline CdS Thick Film Prepared by Screen Printing
Автори B.Y. Bagul, P.S. Sonawane, A.Z. Shaikh, Y.N. Rane, S.R. Gosavi
Випуск Том 10, Рік 2018, Номер 5
Сторінки 05018-1 - 05018-4
Назва Вплив домішки Au на структурні та оптичні властивості тонких плівок ZnO, отриманих методом CVD
Автори S.A. Najim, N.Y. Jamil, K.M. Muhammed
Випуск Том 11, Рік 2019, Номер 2
Сторінки 02003-1 - 02003-4
Назва Отримання електричних параметрів діода в умовах кімнатної температури в пристрої на основі InAsSb
Автори K. Mahi, B. Messani, H. Aït-Kaci
Випуск Том 11, Рік 2019, Номер 4
Сторінки 04030-1 - 04030-6
Назва BSIM3v3 характеристика та моделювання транзисторів MOS Si1 – xGex за 130 нм субмікронною технологією
Автори M. Hebali, M. Bennaoum, M. Benzohra, D. Chalabi, A. Saïdane
Випуск Том 11, Рік 2019, Номер 4
Сторінки 04021-1 - 04021-6
Назва Оцінка та вилучення електричних параметрів різних фотоелектричних моделей за допомогою ітераційних методів
Автори B. Benabdelkrim, A. Benatillah, T. Ghaitaoui
Випуск Том 11, Рік 2019, Номер 5
Сторінки 05008-1 - 05008-7
Назва Вплив діелектричного шару NaCl на електричні властивості діодів Шотткі графіт/n-Cd1 – xZnxTe, виготовлених шляхом перенесення нарисованої плівки графіту на підкладки
Автори M.M. Солован, Г.П. Пархоменко, В.В. Брус, А.І. Мостовий, П.Д. Мар'янчук
Випуск Том 13, Рік 2021, Номер 4
Сторінки 04008-1 - 04008-4
Назва Характеристики напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) за допомогою MATLAB
Автори Abdelkrim Mostefai
Випуск Том 14, Рік 2022, Номер 2
Сторінки 02029-1 - 02029-4
Назва Основні характеристики напівпровідників антимоніду арсеніду галію та індію (GaxIn1 – xAsySb1 – y) за допомогою MATLAB
Автори Abdelkrim Mostefai
Випуск Том 14, Рік 2022, Номер 4
Сторінки 04027-1 - 04027-4
Назва Покращення електричних властивостей сонячної елемента типу ITO/Si/GaAs/Si/ITO при зміні розташування проміжного шару GaAs
Автори M. Hebali, M. Bennaoum, H.A. Azzeddine, B. Ibari, A. Maachou, D. Chalabi
Випуск Том 15, Рік 2023, Номер 1
Сторінки 01023-1 - 01023-4