Назва |
Gate Leakage Current Reduction With Advancement of Graded Barrier AlGaN/GaN HEMT |
Автори |
Palash Das, Dhrubes Biswas |
Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
Сторінки |
0972 - 0978 |
Назва |
Structural, Optical, and Magnetic Properties of Zn1-xMnxs (x = 0.00, 0.01, and 0.03) Nanoparticles |
Автори |
S.S. Kanmani, N. Rajkumar, K. Ramachandran |
Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
Сторінки |
1064 - 1070 |
Назва |
Characterization of GaN Nanorods Fabricated Using Ni Nanomasking and Reactive Ion Etching: A Top-Down Approach |
Автори |
Ashutosh Kumar, Michael Latzel, C. Tessarek, S. Christiansen, R. Singh |
Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 2 |
Сторінки |
02001-1 - 02001-3 |
Назва |
Method of Measurement Isobaric Heat Capacity of the Organic Liquid |
Автори |
Yu.A. Neruchev, V.I. Korotkovskiy |
Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 4 |
Сторінки |
04034-1 - 04034-3 |
Назва |
Mechanisms of Fractal Formation in Colloidal Carbon-Bearing Natural System |
Автори |
A.P. Kuzmenko, V.V. Chakov, Chan Nyein Aung, M.B. Dobromyslov |
Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 4 |
Сторінки |
04019-1 - 04019-3 |
Назва |
Grain Size Induced Metal-insulator Transition in La0.7Sr0.3MnO3 Compounds |
Автори |
Hilal Ahmad Reshi, Vilas Shelke |
Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 4 |
Сторінки |
04053-1 - 04053-3 |
Назва |
Double Peak Behavior of Resistivity-Temperature Curves in (Nd / Pr)0.67Sr0.33MnO3 Manganites |
Автори |
Bharat Singh, Naresh Kumar, Masroor Ahmad Bhat, Rajneesh Mohan, S. Bhattacharya, N.K. Gaur |
Випуск |
Том 6, Рік 2014, Номер 2 |
Сторінки |
02005-1 - 02005-3 |
Назва |
Formation of Polymer Films in Organic Photovoltaic Systems |
Автори |
M.N. Orlova, L.I. Kolesnikova, I.V. Schemerov, S.I. Didenko |
Випуск |
Том 6, Рік 2014, Номер 3 |
Сторінки |
03009-1 - 03009-4 |
Назва |
3D-Self-Assemblage and Self-Organization on Natural Colloidal Microinclusions in Mineral Sediments |
Автори |
A.P. Kuzmenko, Chan Nyein Aung, V.V. Rodionov, M.B. Dobromyslov |
Випуск |
Том 6, Рік 2014, Номер 3 |
Сторінки |
03022-1 - 03022-6 |
Назва |
Production of Quasicomposite Surface Layer of a Metal Material by Shock Wave Strain Hardening |
Автори |
A.V. Kirichek, D.L. Soloviev, A.Y. Altukhov |
Випуск |
Том 6, Рік 2014, Номер 3 |
Сторінки |
03070-1 - 03070-4 |
Назва |
Volatile Organic Compounds are Ghosts for Organic Solar Cells |
Автори |
Prakash R. Somani, Savita P. Somani, Masayoshi Umeno |
Випуск |
Том 6, Рік 2014, Номер 4 |
Сторінки |
04010-1 - 04010-2 |
Назва |
Effect of Metal on Characteristics of MPc Organic Diodes |
Автори |
M. Benhaliliba, Y.S. Ocak, C.E. Benouis |
Випуск |
Том 6, Рік 2014, Номер 4 |
Сторінки |
04009-1 - 04009-3 |
Назва |
Confined Energy State Based Hypothetical Observations about Device Parameters of AlGaN / GaN HEMT |
Автори |
Palash Das, Dhrubes Biswas |
Випуск |
Том 7, Рік 2015, Номер 1 |
Сторінки |
01006-1 - 01006-3 |
Назва |
Self-assembly and Self-organization Processes of Carbon Nanotubes in the Colloidal Systems |
Автори |
A.P. Kuzmenko, Thet Phyo Naing, Myo Min Than, Chan Nyein Aung, M.B. Dobromyslov, S.G. Emelyanov, L.M. Chervyakov |
Випуск |
Том 7, Рік 2015, Номер 4 |
Сторінки |
04014-1 - 04014-3 |
Назва |
Dimensional Effects in Micro- and Nanostructural Changes in Grain and Intragrained Structure of Steel 45 at Static-pulse Treatment |
Автори |
A.V. Kirichek, A.P. Kuzmenko, D.L. Soloviev, S.V. Barinov, A.Yu. Altukhov, S.A. Silantiev, A.N. Grechukhin, Myo Min Than, M.B. Dobromyslov |
Випуск |
Том 7, Рік 2015, Номер 4 |
Сторінки |
04023-1 - 04023-4 |
Назва |
Heterostructure Active Area Optimization by Simulation |
Автори |
O.I. Rabinovich, S.I. Didenko, S.A. Legotin, I.V. Fedorchenko, U.V. Osipov |
Випуск |
Том 7, Рік 2015, Номер 4 |
Сторінки |
04035-1 - 04035-3 |
Назва |
Model of Band Diagram LED White Light in the System of GaN/InGaN |
Автори |
Yu.P. Holovaty, V.G. Kosushkin, N.A. Khahaev, D.A. Romanov, L.M. Chervyakov, E.K. Naimi, S.L. Kozhitov |
Випуск |
Том 7, Рік 2015, Номер 4 |
Сторінки |
04069-1 - 04069-3 |
Назва |
Heterocyclic Polymers Perspectives in Nanolayers of Donor Acceptor Heterojunction for Organic Photovoltaic Application |
Автори |
M.N. Orlova, S.I. Didenko, O.I. Rabinovich, D.S. Saranin |
Випуск |
Том 7, Рік 2015, Номер 4 |
Сторінки |
04085-1 - 04085-4 |
Назва |
Theoretical Analysis of Optical Gain in GaN / AlxGa1 – x N Quantum Well Lasers |
Автори |
K. Fellaoui, D. Abouelaoualim, A. Elkadadra, A. Oueriagli |
Випуск |
Том 7, Рік 2015, Номер 4 |
Сторінки |
04061-1 - 04061-3 |
Назва |
Features of Formation of Ohmic Contacts and Gate on Epitaxial Heterostructure of AlGaN / GaN High Electron Mobility Transistor |
Автори |
I.A. Rogachev, A.V. Knyazkov, O.I. Meshkov, A.S. Kurochka |
Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 2 |
Сторінки |
02044-1 - 02044-3 |
Назва |
CH3NH3PBI3 IV Output Parameters Degradation Investigation |
Автори |
M.N. Orlova, S.I. Didenko, D.S. Saranin, O.I. Rabinovich, A.Y. Krukov, A.V. Kolesnikov |
Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 4 |
Сторінки |
04004-1 - 04004-4 |
Назва |
Features Self-Cobalt Gas-sensitive Film of Polyacrylonitrile |
Автори |
S.P. Konovalenko, T.A. Bednaya |
Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 4 |
Сторінки |
04024-1 - 04024-7 |
Назва |
Видима люмінесценція ІnGaN/GaN cвітлодіодів ультрафіолетового випромінювання 365 нм |
Автори |
В.П. Велещук, О.І. Власенко, З.К. Власенко, Д.М. Хміль, О.М. Камуз, І.В. Петренко, В.П. Тартачник, О.В. Шульга, В.В. Борщ |
Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 5 |
Сторінки |
05031-1 - 05031-5 |
Назва |
Realization and Characterization of P-typed Polythiophene Based Organic Photovoltaic Cells |
Автори |
Touhami Ghaitaoui,, , Ali Benatiallah, Youcef Sahli, Hamid Khachab |
Випуск |
Том 10, Рік 2018, Номер 1 |
Сторінки |
01008-1 - 01008-5 |
Назва |
Effect of Intrinsic Layer Thickness on PIN Structure for Tandem Solar Cell Based on Indium Gallium Nitride Using AMPS -1D |
Автори |
Omar Souilah, A. Benzair, B. Dennai, H. Khachab |
Випуск |
Том 10, Рік 2018, Номер 4 |
Сторінки |
04013-1 - 04013-4 |
Назва |
Електричні характеристики переходу Шоткі Au/n-GaN з ізоляційним шаром High-k SrTiO3 |
Автори |
Varra Niteesh Reddy, D.V. Vivekananda, G. Sai Krishna, B. Sri Vivek, P. Vimala |
Випуск |
Том 11, Рік 2019, Номер 4 |
Сторінки |
04005-1 - 04005-5 |
Назва |
Застосування структури зі зворотним подвійним дрейфом для виготовлення GaN IMPATT діода, що працює у терагерцевому діапазоні |
Автори |
Sahanowaj Khan, Rishav Dutta, Aritra Acharyya, Arindam Biswas, Hiroshi Inokawa, Rudra Sankar Dhar |
Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 3 |
Сторінки |
03014-1 - 03014-4 |
Назва |
Електричне дослідження структур Au/GaN/GaAs (100) як функції частоти |
Автори |
A.M. Benamara, A.H. Kacha, A. Talbi, B. Akkal, Z. Benamara, S. Belarouci |
Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
Сторінки |
02008-1 - 02008-4 |
Назва |
Властивості вихідних, опромінених електронами світлодіодних гомоперехідних GaP, GaAsP та гетероперехідних InGaN структур |
Автори |
Т.М. Загородня, О.В. Мельниченко, В.П. Тартачник, М.Є. Чумак |
Випуск |
Том 16, Рік 2024, Номер 2 |
Сторінки |
02030-1 - 02030-6 |