| Назва |
Електрофізичні та структурні властивості гетеропереходів n-ZnS/P-CdTe |
| Автори |
Д.І. Курбатов, Н.М. Опанасюк, А.С. Опанасюк, В.В. Косяк |
| Випуск |
Том 1, Рік 2009, Номер 3 |
| Сторінки |
030 - 042 |
| Назва |
Електричні характеристики переходу Шоткі Au/n-GaN з ізоляційним шаром High-k SrTiO3 |
| Автори |
Varra Niteesh Reddy, D.V. Vivekananda, G. Sai Krishna, B. Sri Vivek, P. Vimala |
| Випуск |
Том 11, Рік 2019, Номер 4 |
| Сторінки |
04005-1 - 04005-5 |
| Назва |
Отримання електричних параметрів діода в умовах кімнатної температури в пристрої на основі InAsSb |
| Автори |
K. Mahi, B. Messani, H. Aït-Kaci |
| Випуск |
Том 11, Рік 2019, Номер 4 |
| Сторінки |
04030-1 - 04030-6 |
| Назва |
Аналітична оцінка струму рекомбінації різкого асиметричного p-n переходу |
| Автори |
О.Б. Галат, О.Л. Донченко |
| Випуск |
Том 11, Рік 2019, Номер 5 |
| Сторінки |
05005-1 - 05005-8 |
| Назва |
Оптимізація електричних характеристик діода Шотткі Au/n-InN/InP на основі контактної техніки різних діаметрів |
| Автори |
A. Baghdad Bey,, A. Talbi, M. Berka,, M.A. Benamara, F. Ducroquet, A.H. Khediri, Z. Benamara |
| Випуск |
Том 12, Рік 2020, Номер 3 |
| Сторінки |
03027-1 - 03027-6 |
