Електронна структура та термоелектричні властивості кристала β-Ag8GeSe6, розраховані за методом теорією функціоналу густини

Автори І.В. Семків1 , Г.А. Ільчук1 , М. Павловські2, Н.Ю. Кашуба1, Н.Т. Покладок1, А.І. Кашуба1
Афіліація

1Кафедра загальної фізики, Національний університет «Львівська політехніка», 79013 Львів, Україна

2Фізичний факультет, Варшавська політехніка, 00-662 Варшава, Польща

Е-mail ihor.v.semkiv@lpnu.ua
Випуск Том 16, Рік 2024, Номер 4
Дати Одержано 20 червня 2024; у відредагованій формі 14 серпня 2024; опубліковано online 27 серпня 2024
Цитування І.В. Семків, Г.А. Ільчук, М. Павловські, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 4, 04036 (2024)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.16(4).04036
PACS Number(s) 71.20. – b
Ключові слова Теорія функціоналу густини (3) , Електронна зона, Ефективна маса (3) , Густина стану, Коефіцієнт Зеєбека (3) , Коефіцієнт потужності.
Анотація

β-Ag8GeSe6 кристалізується в ромбічній структурі (просторова група Pma21) при кімнатній температурі та досліджується в рамках теорії функціоналу густини. Теоретичні першопринципні розрахунки електронної зонної структури, густини станів, коефіцієнта Зеєбека, коефіцієнта потужності, електропровідності та ефективної маси електрона та дірки кристала β-Ag8GeSe6 оцінені за допомогою узагальненого градієнтного наближення (GGA). Було використано функціонал Пердью–Берка–Ернзерхофа (PBE). Ефективна маса електронів і дірок була розрахована на основі електронної зонної структури. Вивчаються та обговорюються коефіцієнт Зеєбека, коефіцієнт потужності та електропровідність як функціональна температура. Усі отримані значення при кімнатній температурі порівнюються з відомими експериментальними результатами.

Перелік цитувань