Аналіз зростання 2D тонких плівок перехідного металу на графенових підкладках на основі кластеризації методом молекулярно-променевої епітаксії

Автори A.A. Khatri1, P.M. Yawalkar2, P. William3 , V.M. Tidake4, P.M. Patare5, P.B. Khatkale6, S.S. Ingle5
Афіліація

1Department of Computer Engineering, Jaihind College of Engineering, Kuran, SPPU, Pune, MH, India

2Department of Computer Engineering, MET's Institute of Engineering, Nashik, India

3Department of Information Technology, Sanjivani College Engineering, Kopargaon, SPPU, Pune, India

4Department of MBA, Sanjivani College of Engineering, Kopargaon, SPPU, Pune, India

5Department of Mechanical Engineering, Sanjivani College of Engineering Kopargaon, SPPU, Pune, India

6Sanjivani University, Kopargaon, MH, India

Е-mail william160891@gmail.com
Випуск Том 16, Рік 2024, Номер 4
Дати Одержано 12 квітня 2024; у відредагованій формі 21 серпня 2024; опубліковано online 27 серпня 2024
Цитування A.A. Khatri, P.M. Yawalkar, P. William, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 4, 04005 (2024)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.16(4).04005
PACS Number(s) 81.10.PqХх, 81.15.Hi
Ключові слова Аналіз росту, 2D дихалькогенід перехідного металу, Графенові підкладки, Молекулярно-променева епітаксія.
Анотація

Дихалькогеніди металів – це різновид хімічної речовини, яка складається з атома металу в парі з халькогеновими елементами, такими як селен і сірка. Ці матеріали мають відмінні електричні та оптичні характеристики, що робить їх захоплюючими для різноманітних застосувань, включаючи електроніку та оптоелектроніку. Дослідження росту тонких плівок дихалькогенідів металів передбачає аналіз їх контрольованого осадження та кристалізації. Розуміння процесів росту, взаємодії підкладки та контрольних параметрів, таких як температура та концентрація прекурсора, є критично важливими для виробництва високоякісних плівок із відповідними характеристиками, закладаючи шлях для розвитку нанотехнологій та виробництва пристроїв. У цьому дослідженні ми використовували аналітичний підхід дифракції високоенергетичних електронів із підтримкою машинного навчання (ML) для дослідження розвитку двовимірних (2D тонких шарів дихалькогенідів (ReSe2) з перехідних металів на графенових підкладках за допомогою молекулярної Променева епітаксія (MBE). Незалежний аналіз компонентів (ICA) і підхід Fuzzy C-Means були реалізовані для визначення різних шаблонів і представлення розмірності вихідного набору даних, ми використовували 20 незалежних компонентів (IC) і кожне зображення RHEED. було розподілено до найближчого центроїда, що призвело до кластеризації набору даних за допомогою нечітких C-середніх.

Перелік цитувань