Автори | A.A. Khatri1, P.M. Yawalkar2, P. William3 , V.M. Tidake4, P.M. Patare5, P.B. Khatkale6, S.S. Ingle5 |
Афіліація |
1Department of Computer Engineering, Jaihind College of Engineering, Kuran, SPPU, Pune, MH, India 2Department of Computer Engineering, MET's Institute of Engineering, Nashik, India 3Department of Information Technology, Sanjivani College Engineering, Kopargaon, SPPU, Pune, India 4Department of MBA, Sanjivani College of Engineering, Kopargaon, SPPU, Pune, India 5Department of Mechanical Engineering, Sanjivani College of Engineering Kopargaon, SPPU, Pune, India 6Sanjivani University, Kopargaon, MH, India |
Е-mail | william160891@gmail.com |
Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 4 |
Дати | Одержано 12 квітня 2024; у відредагованій формі 21 серпня 2024; опубліковано online 27 серпня 2024 |
Цитування | A.A. Khatri, P.M. Yawalkar, P. William, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 4, 04005 (2024) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(4).04005 |
PACS Number(s) | 81.10.PqХх, 81.15.Hi |
Ключові слова | Аналіз росту, 2D дихалькогенід перехідного металу, Графенові підкладки, Молекулярно-променева епітаксія. |
Анотація |
Дихалькогеніди металів – це різновид хімічної речовини, яка складається з атома металу в парі з халькогеновими елементами, такими як селен і сірка. Ці матеріали мають відмінні електричні та оптичні характеристики, що робить їх захоплюючими для різноманітних застосувань, включаючи електроніку та оптоелектроніку. Дослідження росту тонких плівок дихалькогенідів металів передбачає аналіз їх контрольованого осадження та кристалізації. Розуміння процесів росту, взаємодії підкладки та контрольних параметрів, таких як температура та концентрація прекурсора, є критично важливими для виробництва високоякісних плівок із відповідними характеристиками, закладаючи шлях для розвитку нанотехнологій та виробництва пристроїв. У цьому дослідженні ми використовували аналітичний підхід дифракції високоенергетичних електронів із підтримкою машинного навчання (ML) для дослідження розвитку двовимірних (2D тонких шарів дихалькогенідів (ReSe2) з перехідних металів на графенових підкладках за допомогою молекулярної Променева епітаксія (MBE). Незалежний аналіз компонентів (ICA) і підхід Fuzzy C-Means були реалізовані для визначення різних шаблонів і представлення розмірності вихідного набору даних, ми використовували 20 незалежних компонентів (IC) і кожне зображення RHEED. було розподілено до найближчого центроїда, що призвело до кластеризації набору даних за допомогою нечітких C-середніх. |
Перелік посилань |