Електричні властивості та фотовідгук гетеропереходу NiFe2O4/InSe

Автори В.I. Іванов1, I.Г. Ткачук1, 3 , І.Г. Орлецький2 , З.Д. Ковалюк1 , М.В. Товарницький1, Б.В. Кушнір1
Афіліація

1Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення, 58001 Чернівці, Україна

2Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича, 58012 Чернівці, Україна

3Буковинський державний медичний університет, 58002 Чернівці, Україна

Е-mail ivan.tkachuk.1993@gmail.com
Випуск Том 16, Рік 2024, Номер 4
Дати Одержано 18 травня 2024; у відредагованій формі 21 серпня 2024; опубліковано online 27 серпня 2024
Цитування В.I. Іванов1, I.Г. Ткачук та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 16 №4, 04028 (2024)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.16(4).04028
PACS Number(s) 73.40. – c, 78.66. – w
Ключові слова Селенід Індію (13) , Гетероструктури (8) , Спрей-піроліз (14) , Вольт-амперні характеристики (14) , Фотовідгук (4) .
Анотація

Досліджені умови нанесення методом спрей-піролізу при температурі 623 К тонких напівпровідникових феритових плівок n-NiFe2O4 на підкладки з кристалічного шаруватого напівпровідника n-InSe для створення фоточутливих гетероперехолів n-NiFe2O4/n-InSe. За температурною залежністю прямих і зворотних вольт-амперних характеристик встановлено механізми протікання струмів крізь гетероперехід. Проаналізована спектральна фоточутливість гетеропереходу n-NiFe2O4/n-InSe в діапазоні енергії 1.26÷3.2 еВ.

Перелік цитувань