Автори | В.I. Іванов1, I.Г. Ткачук1, 3 , І.Г. Орлецький2 , З.Д. Ковалюк1 , М.В. Товарницький1, Б.В. Кушнір1 |
Афіліація |
1Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення, 58001 Чернівці, Україна 2Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича, 58012 Чернівці, Україна 3Буковинський державний медичний університет, 58002 Чернівці, Україна |
Е-mail | ivan.tkachuk.1993@gmail.com |
Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 4 |
Дати | Одержано 18 травня 2024; у відредагованій формі 21 серпня 2024; опубліковано online 27 серпня 2024 |
Цитування | В.I. Іванов1, I.Г. Ткачук та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 16 №4, 04028 (2024) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(4).04028 |
PACS Number(s) | 73.40. – c, 78.66. – w |
Ключові слова | Селенід Індію (13) , Гетероструктури (9) , Спрей-піроліз (14) , Вольт-амперні характеристики (14) , Фотовідгук (4) . |
Анотація |
Досліджені умови нанесення методом спрей-піролізу при температурі 623 К тонких напівпровідникових феритових плівок n-NiFe2O4 на підкладки з кристалічного шаруватого напівпровідника n-InSe для створення фоточутливих гетероперехолів n-NiFe2O4/n-InSe. За температурною залежністю прямих і зворотних вольт-амперних характеристик встановлено механізми протікання струмів крізь гетероперехід. Проаналізована спектральна фоточутливість гетеропереходу n-NiFe2O4/n-InSe в діапазоні енергії 1.26÷3.2 еВ. |
Перелік посилань |