Електричні властивості і фоточутливість гетеропереходів n-Mn2O3/p-InSe, виготовлених методом спрей-піролізу 

Досліджені умови нанесення методом спрей-піролізу при температурі 350 оС тонких напівпровідникових плівок Mn2O3 на підкладки з кристалічного шаруватого напівпровідника p-InSe для створення анізотипних гетеропереходів n-Mn2O3/p-InSe. InSe є перспективним матеріалом для фотоелектроніки. Використання плівки Mn2O3, яка є прозорою в області максимальної фоточутливості InSe, дозволяє ефективно експлуатувати оптичні властивості InSe при створенні різних напівпровідникових пристроїв. Перевагою використання шаруватих напівпровідників при виготовленні гетеропереходів є те, що якісні інтерфейси отримуються навіть при значному неспівпаданні параметрів кристалічних граток вихідних матеріалів. Це значно розширює вибір матеріалів гетеропереходів. Проведені виміри електричних та фотоелектричних параметрів гетеропереходів n-Mn2O3/p-InSe та запропоновано теоретичні моделі, що їх описують. Побудовано графічні залежності I-V характеристик, послідовного опору, висоти потенційного бар’єру та фоточутливості. Встановлено, що дані гетеропереходи є фоточутливі та володіють випрямляючими властивостями. Використовуючи енергетичні параметри вихідних матеріалів, побудовано енергетичну діаграму гетеропереходу, яка дозволяє провести аналіз фізичних процесів в отриманих гетеропереходах. За температурною залежністю як прямих, так і зворотних вольт-амперних характеристик встановлена динаміка зміни з температурою енергетичних параметрів гетеропереходу, а також механізми протікання струму крізь гетероперехід. Проаналізована спектральна фоточутливість гетеропереходу.