Включення багатомостових каналів у затвор навколо нанодротового польового транзистора

Автори S. Ashok Kumar , J. Soundararajan, P. Mahendra Peruman, J. Susmitha, K. Krishnaprasath
Приналежність

Department of Electronics and Communication Engineering, Sri Manakula Vinayagar Engineering College, Puducherry, India

Е-mail 6691ashok@gmail.com
Випуск Том 15, Рік 2023, Номер 5
Дати Одержано 28 липня 2023; у відредагованій формі 16 жовтня 2023; опубліковано online 30 жовтня 2023
Посилання S. Ashok Kumar, J. Soundararajan, P. Mahendra Peruman, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 15 № 5, 05019 (2023)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.15(5).05019
PACS Number(s) 85.30.Tv
Ключові слова GAA NWFET, GAA NWMBCFET, TCAD (11) , MBCFET, UTB (2) .
Анотація

3-канальний прямокутний Gate All Around Nanowire Multi Bridge Channel Field Effect Transistor (GAA NWMBCFET) представлений у цій роботі шляхом інтеграції багатомостового каналу в Gate All Around Nanowire Field Effect Transistor (GAA NWFET) зі збільшеним струмом стоку та покращеним. Зменшений ефект короткого каналу (SCE) для довжини затвора 35 нм. Ємність затвора значно збільшується через вертикально розташовані канали, закриті затвором. Щоб зрозуміти характеристики та поведінку запропонованого GAA NWMBCFET, проведено ретельний аналіз з використанням надійної фізичної моделі: моделі транспортування носіїв, що залежить від температури (DD). У цьому аналізі модель мобільності (ММ) зіграла вирішальну роль у врахуванні ефектів концентрації допінгу та електричного поля. Крім того, модель звуження забороненої зони (BNM) і рекомбінаційна модель Шоклі-Ріда-Холла (SRM) відіграли важливу роль у вирішенні проблем із терміном служби носія. Використання Synopsys Sentaurus Technology Computer Aided Design (TCAD) полегшило моделювання запропонованої нами моделі, дозволяючи ретельно вивчити її характеристики. Прямокутний багатоканальний мостовий пристрій демонструє в 2,3 рази кращий струм стоку, ніж прямокутний нанодротяний транзистор. Крім того, ультратонкий корпус (UTB) у пристрої блокує підпорогове коливання (SS) і зниження бар’єру, викликане стоком (DIBL), що сприяє мінімізації струму відключення. Поточний диск має збільшення на 28 % для LG  5 нм, ніж GAA NWFET. Крім того, для повного розуміння поведінки пристрою, був проведений детальний аналіз транс-провідності для довжини затвора 35 нм. Крім того, аналіз було розширено до довжини затвора 5 нм, що дало змогу ретельно оцінити транзистори.

Перелік посилань