Чисельне дослідження, що включає модель мобільності для продуктивності п'єзорезистивних датчиків
| Автори | Abdelaziz Beddiaf1,2, Abderrahim Lanani1 , Fouad Kerrour2 |
| Приналежність |
1Department of Electrical Engineering, Abbes Laghrour University of Khenchela, Algeria 2Modeling Laboratory of Renewable Energy Device and Nanoscale- MoDERNa Departement of Electronics, University of Constantine 1, Algeria |
| Е-mail | beddiafaziz@yahoo.fr |
| Випуск | Том 15, Рік 2023, Номер 1 |
| Дати | Одержано 12 січня 2023; у відредагованій формі 14 лютого 2023; опубліковано online 24 лютого 2023 |
| Посилання | Abdelaziz Beddiaf, Abderrahim Lanani, Fouad Kerrour, Ж. нано- електрон. фіз. 15 № 1, 01009 (2023) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.15(1).01009 |
| PACS Number(s) | 07.07.Df, 72.20.Fr |
| Ключові слова | Сенсори (6) , П'єзорезистивність, Рухливість (6) , Напруга зміщення. |
| Анотація |
У роботі ми представляємо аналіз, заснований на дослідженні рухливості, яка є дуже важливим електричним параметром п'єзорезистора і безпосередньо пов'язана з п'єзорезистивним ефектом в датчику тиску. Було визначено, яким чином температура впливає на рухливість при застосуванні електричного потенціалу. З цією метою розроблено теоретичний і чисельний підхід, заснований на мобільності кремнієвого п'єзорезистора p-типу та кінцево-різницевої моделі (FDM) для самонагрівання. Таким чином, еволюцію рухливості встановлено в залежності від часу для різних рівнів легування та підвищення температури за допомогою чисельної моделі в поєднанні з моделлю рухливості. Крім того, рухливість була розрахована як функція напруги зміщення для деяких геометричних параметрів датчика, таких як довжина сторони мембрани та її товщина. Показано, що на рухливість сильно впливає підвищення температури, викликане прикладеним потенціалом, коли датчик приводиться в дію протягом тривалого часу. Як наслідок, виникає дрейф вихідної реакції датчика. Представлена робота дає змогу передбачити їх температурну поведінку через самонагрівання та покращити цей ефект шляхом оптимізації геометричних властивостей пристрою та зменшення амплітуди напруги, що подається на міст. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Лазерна модифікація морфології та дефектної структури гетероструктур на основі кристалів CdTe детекторного класу [01001-1-01001-6]2) Електропровідність композитних матеріалів на основі n-InSe і терморозширеного графіту [01002-1-01002-4]
3) Аналіз надійності та доступності літій-іонних акумуляторів під час багатьох відмов [01003-1-01003-5]
4) Триступінчастий хвилеводний поляризатор із перегородкою в діапазоні робочих частот 7.7-8.1 ГГц [01004-1-01004-5]
5) Порівняльне дослідження структурних і магнітних властивостей сплавів Fe1 – xAlx, виготовлених за допомогою дугового плавлення та кульового помелу [01005-1-01005-5]
6) Вплив фізичних величин на електричні параметри гетерометалевого -метокси (міді (II), вісмуту (III)) ацетилацетонату [01006-1-01006-5]
7) Нові технології лазерного зміцнення деталей паливної апаратури [01007-1-01007-7]
8) Високоефективний двовимірний фотонно-кристалічний біосенсор для діагностики еритроцитів, інфікованих малярією [01008-1-01008-6]
9) Synthesis of Thin Films Based on Silver Sulfide in Air at Atmospheric Pressure in a Gas DischargeСинтез тонких плівок на основі сульфіду срібла в повітрі при атмосферному тиску в газовому розряді [01010-1-01010-6]
10) Планарний n+-n-n+ діод з бічними активними границями на InP підкладці [01011-1-01011-4]
11) Динаміка та механічні властивості решітки золота та срібла з використанням безпараметричного псевдопотенціалу [01012-1-01012-5]
12) Фізичні та технологічні параметри азотування сталі Х28 в середовищі аміаку [01013-1-01013-4]
13) Оптичне поглинання композиту на основі двошарових нанодротів [01014-1-01014-6]
14) Вплив температури відпалу на структурні та оптичні властивості легованих телуром тонких плівок ZnO для оптоелектронних застосувань [01015-1-01015-5]
15) Магнітні наночастинки як регулятори ланцюгових структур в обертовому магнітному полі [01016-1-01016-6]
16) Аналіз падіння напруги джерела живлення (IR-Drop) і затримки поширення з використанням з’єднань зі складеною графеновою нанострічкою (F-GNR) [01017-1-01017-5]
17) Структурні та електронні властивості сплавів FeNi3 та FeNi2Pt [01018-1-01018-5]
18) Вплив дифузії бору на утворення силіциду титану [01019-1-01019-5]
19) Effect of Temperature on the Performance of CGS/CIGS Tandem Solar Cell [01020-1-01020-6]
20) Фотоелектричні властивості кремнію, легованого марганцем і германієм [01021-1-01021-4]
21) Вплив моделей ідеалізації на прогин пластини з функціонально градуйованим матеріалом (ФГМ) [01022-1-01022-5]
22) Покращення електричних властивостей сонячної елемента типу ITO/Si/GaAs/Si/ITO при зміні розташування проміжного шару GaAs [01023-1-01023-4]
23) Modeling and Optimization of CMOS Compatible Various ZnO/SiO2/Si Multilayer Structure for SAW Devices Using FEM [01024-1-01024-6]
24) Низькопрофільна широкосмугова антена з двома портами MIMO, що працює на частоті 38 ГГц для додатків 5G мм-хвиль [01025-1-01025-5]
25) Компактна мультирезонансна широкосмугова MIMO-антена для систем зв’язку 5G у мм-діапазоні хвиль [01026-1-01026-6]
26) Компактна двопортова антенна MIMO-матриця для додатків діапазону ISM/5G NR/WLAN [01027-1-01027-5]
27) Мініатюрна переносна текстильна UWB монопольна антена для реєстрації радіочастотної енергії [01028-1-01028-6]
28) Обгрунтування ефекту гігантського магнітоопору у магнітопорядкованих тришарових структурах Co/Cu/Co та Fe/Cr/Fe з використанням формули Фукса [01029-1-01029-5]
29) Діелектричні властивості фазових переходів в нітратах двовалентних елементів [01030-1-01030-3]
30) Персоналії. Проценко Іван Юхимович [01031-1-01031-1]
