Автори | А.О. Семенов1, В.В. Мартинюк1, М.В. Євсєєва2, О.В. Осадчук1, Я.О. Осадчук1 |
Афіліація |
1Вінницький національний технічний університет, Хмельницьке шосе, 95, 21021 Вінниця, Україна 2Вінницький національний медичний університет імені М.І. Пирогова, вул. Пирогова, 56, 21018 Вінниця, Україна |
Е-mail | semenov.a.o@vntu.edu.ua |
Випуск | Том 15, Рік 2023, Номер 1 |
Дати | Одержано 04 жовтня 2022; у відредагованій формі 14 лютого 2023; опубліковано online 24 лютого 2023 |
Цитування | А.О. Семенов, В.В. Мартинюк, М.В. Євсєєва, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 15 № 1, 01006 (2023) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.15(1).01006 |
PACS Number(s) | 72.80.Ga, 73.43.Fj |
Ключові слова | Температурні властивості, Магнітне поле (31) , Концентрація носіїв заряду (4) , Напівпровідниковий матеріал. |
Анотація |
У роботі представлений спосіб отримання комплексного -метокси (міді (II), вісмуту (III)) ацетилацетонату Cu3Bi(AA)4(OCH3)5, де HAA H3C-C(O)-CH2-C(O)-CH3 і результати досліджень електричних параметрів цієї речовини. Встановлено, що досліджуваний матеріал є напівпровідником. Склад, структуру та фізико-хімічні властивості синтезованого гетерометалевого -метокси (міді (II), вісмуту (III)) ацетилацетонату перевірено елементним, рентгенофазовим, магнітохімічним, ІЧ-спектроскопічним та термогравіметричним дослідженнями. Для виділеної комплексної сполуки (АА)4(OCH3)5 (І) розраховано молярну масу та кількість валентних електронів в одній молекулі. Молярна маса дорівнювала 950,5 г/моль, а число валентних електронів – 229. Для експериментальних досліджень було створено циліндричний зразок масою 0,1 г і об’ємом 17,67·10 – 9 м3 із комплексної сполуки (I) методом пресування. Дослідження електропровідних властивостей ацетилацетонату μ-метокси (міді (II), вісмуту (III)) у стиснутому вигляді в інтервалі температур 50~120 °C показало різке зниження питомого електричного опору від 8·109 до 7·103 Ом·см з підвищення температури, що є характерним для напівпровідникових матеріалів. Електричну провідність матеріалу розраховували з урахуванням експериментальних вимірювань: 1 дорівнює 1,25·–10 8 1/(Ом∙м) для 50 °С і 2 дорівнює 1,4·10 – 2 1/(Ом∙м) для 120 °С. Досліджено вплив магнітного поля на напруженість електричного поля всередині досліджуваного зразка речовини. Також було отримано залежність напруги Холла від індукції магнітного поля для речовини зразка. Діапазон робочих температур від +50 до + 220 °C, хімічна сполука розкладається при 260 °C. Концентрація носіїв заряду зростає від 7,8·1017 м – 3 при 50 °C до 4,14·1029 м – 3 при 220 °C, а постійна Холла зменшується з 9,43 м3·C – 1 до 1,8·10 – 11 м3·C – 1, при підвищенні температури від 50 до 220 °С. Напруга Холла змінюється від 1,97·10 – 5 В до 1,97·10 – 3 В у діапазоні магнітного поля від 0 до 1000 мТл. Новий магніточутливий елемент на основі синтезованого напівпровідникового матеріалу буде використовуватися для створення датчиків магнітного поля. |
Перелік посилань |